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公开(公告)号：CN1988033B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610166966.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/12 , G11C7/1075 , G11C29/1201 , G11C29/26 , G11C29/48 , G11C2029/1802
Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。
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公开(公告)号：CN1235068C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN02121511.1
申请日：2002-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/1359 , G02B5/04 , G11B2007/0006
Abstract: 提供一种形成为单体具有多个反射面的多面反射棱镜，该多面反射棱镜通过使用反射面之间的角度差在高度方向上减小光束的大小在垂直于高度方向的水平方向上来引导经过传输面入射的光束，并通过一个相对于水平方向小于45°角的反射面在高度方向上反射所引导的光束。通过使用该多面反射棱镜，光学系统的高度能被减小而与所使用的波长无关，并不减小光束尺寸，就能实现细小的光拾取器。
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公开(公告)号：CN1402230A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02129751.7
申请日：2002-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/13922 , G11B7/123 , G11B7/1356 , G11B7/1374 , G11B7/139 , G11B7/24056
Abstract: 一种光学拾取装置包括：一种发光单元，此发光单元发出比650nm波长要长的光束并照射于介质上，还接受及检测由介质反射回来的光，并且还有单透镜组成的0.7或更大的NA的物镜，此物镜把从发光单元发射出的入射光束在记录介质上汇聚成为光点。一种具有DVD系列的记录密度或更高密度的记录介质，其形成的材料适于700nm或更长的波长，以使被记录表面反射的复制信号得到优化。因此能够实现低成本高性能的紧凑高密度的光学记录/复制的装置。
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公开(公告)号：CN1054940C
公开(公告)日：2000-07-26
申请号：CN93114141.9
申请日：1993-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李镐哲
IPC: G11C11/413 , H01L27/108
CPC classification number: G11C7/1057 , G11C7/1051 , G11C7/22
Abstract: 一种数据输出缓冲器用来同步半导体存储装置，与外部时钟同步地进行数据的读/写，半导体存储装置包括第一移位寄存器，含有转送RAS信号的大量时钟级；从第一移位电路预定级取出数据输出边缘信号的电路；第一锁存电路，产生具有RAS信号信息的大量第一等待信号；第二移位电路，具传送CAS信号的大量时钟级；第二锁存电路，产生含CAS信号信息的大量第二等待信号；等待组合电路，接收第一和第二等待信号，以产生数据输出控制信号到数据输出缓冲器。
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公开(公告)号：CN1988035B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200610168692.6
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C8/16 , G11C11/408 , G11C11/4096 , G06F12/08
CPC classification number: G11C7/1075 , G06F13/1663 , G11C8/10 , G11C11/413
Abstract: 一种半导体存储器器件，包括：端口；数据线对，其中每个端口与所述数据线对之一相关；地址线组，其中每个端口与所述地址线组之一相关；存储器单元阵列的共享存储器区域，其中所述共享存储器区域可以通过所述端口来存取；存取控制器，耦合到所述端口，并且被配置成响应于通过所述端口接收的多个控制信号生成存取选择信号；以及存取路由器，耦合到所述共享存储器区域、所述数据线对、以及所述地址线组，所述存取路由器被配置成响应于所述存取选择信号选择性地将所述地址线组之一和所述数据线对之一耦合到所述共享存储器区域。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1988035A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610168692.6
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C8/16 , G11C11/408 , G11C11/4096 , G06F12/08
CPC classification number: G11C7/1075 , G06F13/1663 , G11C8/10 , G11C11/413
Abstract: 一种半导体存储器器件，包括：端口；数据线对，其中每个端口与所述数据线对之一相关；地址线组，其中每个端口与所述地址线组之一相关；存储器单元阵列的共享存储器区域，其中所述共享存储器区域可以通过所述端口来存取；存取控制器，耦合到所述端口，并且被配置成响应于通过所述端口接收的多个控制信号生成存取选择信号；以及存取路由器，耦合到所述共享存储器区域、所述数据线对、以及所述地址线组，所述存取路由器被配置成响应于所述存取选择信号选择性地将所述地址线组之一和所述数据线对之一耦合到所述共享存储器区域。
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公开(公告)号：CN1988033A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610166966.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/12 , G11C7/1075 , G11C29/1201 , G11C29/26 , G11C29/48 , G11C2029/1802
Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。
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公开(公告)号：CN1316738A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01101320.6
申请日：2001-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/1384 , G11B7/08576 , G11B7/0929 , G11B7/0932 , G11B7/0933 , G11B7/0935 , G11B7/122 , G11B7/1356
Abstract: 一种光学读/写系统，包括：一个基座；一个旋转安置在基座上的光盘；包括一个物镜的光学头；一个安置在基座上的致动器臂，使得传动装置可以通过音圈电机在光盘的径向上绕枢轴转动；一个由致动器臂支撑的负荷梁，通过外力沿光盘的径向并上、下轻微地移动；一个连接到负荷梁的挠性件，用于支撑滑块，使滑块能够接触到记录表面；和一个安置到致动器臂和负荷梁的自由端的驱动装置，用于在径向对负荷梁的自由端提供驱动力。
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公开(公告)号：CN102376695A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110230869.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李镐哲
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L21/98
CPC classification number: H01L24/97 , H01L23/3107 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 一种堆叠半导体器件可以具有三维堆叠的多个芯片。堆叠半导体器件可以包括第一半导体芯片和至少一个第二半导体芯片。第一半导体芯片可以包括多个第一硅通孔(TSV)。至少一个第二半导体芯片可以包括多个第二TSV。至少一个第二半导体芯片可以堆叠在第一半导体芯片上方并可以比第一半导体芯片薄。因此，堆叠半导体器件可以具有改善的可靠性。
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