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公开(公告)号：CN107026225A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610825789.3
申请日：2016-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；以及发光结构上的磁层。磁层可具有平行于有源层的上表面的至少一个磁化方向。磁层可产生平行于有源层的上表面的磁场。磁层可包括可具有不同的磁化方向的多个结构。在发光结构上可包括多个磁层。磁层可位于接触电极上。磁层可与焊盘电极隔离。
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公开(公告)号：CN106486587A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610729750.1
申请日：2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L27/156 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号：CN108695355B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201810234077.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：多个发光单元，其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；绝缘层，其位于所述多个发光单元上，并且在所述多个发光单元中的每一个中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其位于绝缘层上，并且将第一接触区与第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；透明支承衬底，其位于绝缘层和连接电极上；以及透明键合层，其位于绝缘层与透明支承衬底之间。
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公开(公告)号：CN106257696B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201610437305.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。
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公开(公告)号：CN108231820A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711267205.6
申请日：2017-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种发光二极管(LED)装置，包括：多个彼此间隔开的发光结构；多个电极层，其分别在多个发光结构的第一表面上；保护层，其分别在多个发光结构中的每一个的第二表面上；分离层，其使多个发光结构彼此电绝缘，并且使所述多个电极层彼此电绝缘；多个荧光体层，其分别在多个发光结构的第二表面上，所述多个荧光体层中的每一个各自输出不同颜色的光；以及分隔层，其在荧光体层之间并将多个荧光体层彼此分离，分隔层包括衬底结构、绝缘结构或金属结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594584B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201310354117.5
申请日：2013-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和发光设备以及半导体发光器件的制造方法。该半导体发光器件包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、第一内部电极、第二内部电极、绝缘部件以及第一焊盘电极和第二焊盘电极。有源层布置在第一导电半导体层的第一部分上，并且有源层上面布置有第二导电层。第一内部电极布置在第一导电半导体层的与第一部分分开的第二部分上。第二内部电极布置在第二导电半导体层上。绝缘部件分别布置在第二部分的一部分、第一内部电极以及第二内部电极上，而第一焊盘电极和第二焊盘电极布置在绝缘部件上并且分别与第一内部电极和第二内部电极中的相应一个电极连接。
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公开(公告)号：CN107134469A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710126385.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L27/156 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
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公开(公告)号：CN106257696A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610437305.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。
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公开(公告)号：CN103594584A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310354117.5
申请日：2013-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和发光设备以及半导体发光器件的制造方法。该半导体发光器件包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、第一内部电极、第二内部电极、绝缘部件以及第一焊盘电极和第二焊盘电极。有源层布置在第一导电半导体层的第一部分上，并且有源层上面布置有第二导电层。第一内部电极布置在第一导电半导体层的与第一部分分开的第二部分上。第二内部电极布置在第二导电半导体层上。绝缘部件分别布置在第二部分的一部分、第一内部电极以及第二内部电极上，而第一焊盘电极和第二焊盘电极布置在绝缘部件上并且分别与第一内部电极和第二内部电极中的相应一个电极连接。
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