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公开(公告)号：CN119947569A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411510999.4
申请日：2024-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种用于实现多级存储器的存储器设备和通过使用该存储器设备实现多级存储器的方法。该存储器设备包括：彼此分开的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的自选择存储器层，具有双向阈值切换特性，包括基于硫属化物的材料，并且被配置为具有取决于施加到其上的电压的极性和强度而变化的阈值电压；以及电阻式存储器层，所述电阻式存储器层在所述第二电极与所述自选择存储器层之间并且具有取决于施加到其上的电压而变化的电阻特性。所述存储器设备被配置为通过改变施加在所述第一电极与所述第二电极之间的电压的脉冲极性、脉冲数量、脉冲高度和脉冲宽度中的至少一个来实现多级电阻状态。
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公开(公告)号：CN119894006A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411449038.7
申请日：2024-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够实现多级存储器的基于硫属化物的存储器装置和包括该基于硫属化物的存储器装置的电子设备。所述存储器装置包括：第一电极和第二电极，其被布置成彼此间隔开；以及存储器层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括具有彼此不同的阈值电压的多个存储器材料层。多个存储器材料层中的每一个包括基于硫属化物的材料，具有双向阈值切换(OTS)特性，并且被配置为具有根据所施加的电压的极性和强度而变化的阈值电压。
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公开(公告)号：CN118695600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410330568.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有极性相关阈值电压偏移特性的自选择存储器件和/或包括该自选择存储器件的存储装置。该存储器件包括第一电极、远离并面对第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的存储层。存储层具有双向阈值开关特性，并且被配置为使得存储层的阈值电压随着存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，阈值电压根据施加到存储层的偏压的极性和强度而改变。此外，元素成分分布被配置为响应于存储层的阈值电压改变而在存储层中保持恒定。
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公开(公告)号：CN114566591A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110935795.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括多个半导体单元器件的半导体装置。每个半导体单元器件可以布置于在垂直于衬底的方向上彼此分开的第一绝缘层和第二绝缘层之间。每个半导体单元器件可以包括在平行于衬底的方向上并排延伸的选择器件层和相变材料层。相变材料层可以具有类超晶格结构。相变材料层可以沿着由第一绝缘层、第二绝缘层和选择器件层形成的凹陷部分布置。
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公开(公告)号：CN114464731A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110775864.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115482851A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210423496.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 电阻式存储器装置，其包括电阻式存储器图案；和电连接至所述电阻式存储器图案的选择元件图案，所述选择元件图案包括硫属化物开关材料和至少一种金属材料，所述硫属化物开关材料包括锗、砷和硒，且所述至少一种金属材料包括铝、锶或铟，其中所述选择元件图案包括非均匀材料层，在所述非均匀材料层中所述至少一种金属材料在所述选择元件图案中的含量根据在所述选择元件图案内的位置是可变的。
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公开(公告)号：CN106328708B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201610102164.4
申请日：2016-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法。其中一种晶体管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一层的二维材料结构，使得所述至少一层的边缘在基板上并且所述至少一层基本上垂直于基板延伸；源电极和漏电极，连接到二维材料结构的相反端；栅绝缘层，在源电极和漏电极之间的二维材料结构上；和在栅绝缘层上的栅电极。所述至少一层的每个包括具有二维晶体结构的半导体。
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公开(公告)号：CN108267814B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201711283653.5
申请日：2017-12-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
Abstract: 提供了非互易光传输器件及包括该非互易光传输器件的光学装置。一种非互易光传输器件包括光输入部分、光输出部分、以及插置在光输入部分与光输出部分之间并包括光波导的中间连接部分。光波导中的任何一个或任何组合的复折射率在光输入部分与光输出部分之间变化，并且经过非互易光传输器件的光的传输方向由复折射率的变化控制。
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公开(公告)号：CN108267814A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711283653.5
申请日：2017-12-07
CPC classification number: G02F1/093 , G02B6/12007 , G02B6/2746 , G02B6/2935 , G02B6/4209 , G02B2006/12157 , G02F1/0955 , G02F1/31 , G02F2203/04 , G02F2203/06 , G02B6/12 , G02B6/122
Abstract: 提供了非互易光传输器件及包括该非互易光传输器件的光学装置。一种非互易光传输器件包括光输入部分、光输出部分、以及插置在光输入部分与光输出部分之间并包括光波导的中间连接部分。光波导中的任何一个或任何组合的复折射率在光输入部分与光输出部分之间变化，并且经过非互易光传输器件的光的传输方向由复折射率的变化控制。
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