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公开(公告)号：CN101025969A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610160367.5
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/02 , G01Q80/00 , G11B9/1409 , G11B11/007 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种使用半导体探针再现信息的方法和设备。该设备包括：存储介质，包括铁电记录层，其中通过排列极化畴的极化方向来存储信息，和形成于铁电记录层上的物理记录层，通过形成凹点来在其上写入信息；产生复合信号的半导体探针，复合信号包括由存储介质的铁电记录层的电场变化产生的电场信号和由于物理记录层的形状变化引起的温度变化产生的热信号；信号探测器，探测由半导体探针产生的复合信号；解调器，解调由信号探测器探测的复合信号且从复合信息提取电场信号和热信号。通过调制将由场变化产生的信号和由热变化产生的信号彼此分离且探测了有效的信息信号，从而改善了信噪比，即使在存在热噪声的情况下也可以稳定地再现信息信号。
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公开(公告)号：CN1619816A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410068284.4
申请日：2004-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南润宇
IPC: H01L27/092 , H01L41/08 , H01L21/00 , B06B1/06 , G06K9/00
CPC classification number: G06K9/0002
Abstract: 提供一种指纹传感器及其制作方法，利用微电子机械系统(MEMS)工艺将各元件同时制作成薄膜形状，以便提高指纹鉴定速度。指纹传感器包括：形成在第一类型掺杂剂掺杂的衬底上的互补型金属氧化物半导体结构；形成在互补型金属氧化物半导体结构上的绝缘层；形成在绝缘层中心部分的下电极；形成在下电极上的压电区域；形成在压电层上的上电极；和形成为覆盖其上没有形成下电极的绝缘层的上表面部分、下电极、压电区域和上电极的指纹接触层。
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公开(公告)号：CN1517296A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03165014.7
申请日：2003-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L41/45 , B81B2201/0257 , B81B2201/032 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H04R1/406 , H04R17/02 , H04R2420/07
Abstract: 本发明公开柔性MEMS换能器及其制造方法、以及柔性MEMS无线扩音器。一种柔性无线MEMS扩音器，包括：柔性聚合物材料的衬底，在衬底上通过PECVD形成的柔性MEMS换能器结构，在衬底上印制的天线、用于与外界源通信，在衬底中嵌入的导线和接口电路以便电连接柔性MEMS换能器和天线，电连接到衬底的柔性电池层、用于将电源提供到MEMS换能器，以及电连接到电池层的柔性蓝牙模块层。柔性MEMS换能器包括：柔性衬底，在衬底上沉积的薄膜层，在薄膜层上形成的下电极层，在下电极层上通过沉积压电聚合物形成的有源层，在有源层上形成的上电极层，以及分别电连接到下电极层和上电极层的第一和第二连接焊盘。
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公开(公告)号：CN1517295A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03165013.9
申请日：2003-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/0257 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/45
Abstract: 本发明提供一种柔性MEMS换能器的制造方法，包括：在柔性衬底上形成牺牲层；通过PECVD在牺牲层上依次沉积薄膜层、下电极层、有源层和上电极层；对上电极层、有源层、和下电极层依次进行图形化；沉积上保护层以覆盖上电极层、下电极层和有源层；对连接到下电极层和上电极层的上保护层进行图形化，然后沉积连接焊盘层并对连接焊盘层进行图形化以形成连接到下电极层的第一连接焊盘和连接到上电极层的第二连接焊盘；以及对薄膜层进行图形化以露出牺牲层并去除牺牲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100578630C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200510117761.6
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , B82Y10/00 , G11B5/3106 , G11B5/3116
Abstract: 本发明提供了一种探针头和制造该探针头的方法。该探针头包括传感器单元，该传感器单元具有：传感器，其在预定的记录介质上记录数据或从预定的记录介质读取数据；第一屏蔽和第二屏蔽，以相互间预定的距离置于传感器的两侧；第一中间层和第二中间层，分别位于传感器和第一屏蔽之间以及传感器和第二屏蔽之间。该方法包括：提供基板；在基板上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一屏蔽；在第一屏蔽上形成第一中间层；在第一中间层上形成传感器；在传感器上形成第二中间层；在第二中间层上形成第二屏蔽；在第二屏蔽上形成保护层。因此，可同时改进探针头的分辨能力和灵敏度，且可易于制造该探针头。
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公开(公告)号：CN100378997C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410068284.4
申请日：2004-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南润宇
IPC: H01L27/092 , H01L41/08 , H01L21/00 , B06B1/06 , G06K9/00
CPC classification number: G06K9/0002
Abstract: 提供一种指纹传感器及其制作方法，利用微电子机械系统(MEMS)工艺将各元件同时制作成薄膜形状，以便提高指纹鉴定速度。指纹传感器包括：形成在第一导电类型掺杂剂掺杂的衬底上的互补型金属氧化物半导体结构；形成在互补型金属氧化物半导体结构上的绝缘层；形成在绝缘层中心部分的下电极；形成在下电极上的压电区域；形成在压电区域上的上电极；和形成为覆盖其上没有形成下电极的绝缘层的上表面部分、下电极、压电区域和上电极的指纹接触层。
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公开(公告)号：CN1577509A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071321.7
申请日：2004-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南润宇
CPC classification number: G11B5/855 , Y10T428/2457 , Y10T428/2462
Abstract: 公开一种具有极度平坦化表面的图案化的磁记录介质及其制造方法。该介质包括：图案化层，包括设置成其间具有预定节距的多个磁柱和填充在图案化层的磁柱的间隙中的边界层；和支撑图案化层的衬底。于是，在磁性层上方产生因稳定气流形成的空气轴承，并且容易实现超高密度的磁记录/复制。
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公开(公告)号：CN101025969B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610160367.5
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/02 , G01Q80/00 , G11B9/1409 , G11B11/007 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供了一种使用半导体探针再现信息的方法和设备。该设备包括：存储介质，包括铁电记录层，其中通过排列极化畴的极化方向来存储信息，和形成于铁电记录层上的物理记录层，通过形成凹点来在其上写入信息；产生复合信号的半导体探针，复合信号包括由存储介质的铁电记录层的电场变化产生的电场信号和由于物理记录层的形状变化引起的温度变化产生的热信号；信号探测器，探测由半导体探针产生的复合信号；解调器，解调由信号探测器探测的复合信号且从复合信息提取电场信号和热信号。通过调制将由场变化产生的信号和由热变化产生的信号彼此分离且探测了有效的信息信号，从而改善了信噪比，即使在存在热噪声的情况下也可以稳定地再现信息信号。
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