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公开(公告)号:CN107043346B
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN201610821939.3
申请日:2016-09-13
IPC: C07D209/86 , C07D401/10 , C07D487/04 , C07D219/02 , C07D519/00 , C07D409/14 , C07D209/88 , C07D405/14 , C07D405/10 , C07D251/24 , C09K11/06 , H01L51/50
Abstract: 公开组合物、薄膜、以及包括组合物和薄膜的有机发光器件。所述组合物包括给体化合物和受体化合物,其中所述给体化合物和所述受体化合物形成激基复合物。所述激基复合物满足如说明书中所描述的特定的条件。
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公开(公告)号:CN106978161B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN201710007177.8
申请日:2017-01-05
IPC: C07D409/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 公开组合物、包括所述组合物的薄膜、和包括所述组合物或薄膜的有机发光器件。包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物的组合物,其中Ar1、Ar2、Ar11、Ar12、L1、L11、a1、和a11与说明书中描述的相同。式1Ar1‑(L1)a1‑Ar2式2Ar11‑(L11)a11‑Ar12。
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公开(公告)号:CN100465720C
公开(公告)日:2009-03-04
申请号:CN200410092217.6
申请日:2004-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/1335 , H01J1/30 , H01J31/00 , G09G3/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01J9/241 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 提供一种用于液晶显示器的场发射背光装置。背光装置包括:下衬底;以平行线交替形成在下衬底上的第一电极和第二电极;设置在第一和第二电极中至少第一电极上的发射器;与下衬底隔开预定距离的上衬底,使得上衬底和下衬底彼此面对;形成在上衬底的底面上的第三电极;以及形成在第三电极上的荧光层,其中沿第一和第二电极中至少第一电极的两边缘以预定间隔设置发射器。由于背光装置具有三极管型场发射构造,所以场发射非常稳定。由于第一电极和第二电极被形成在同一平面中,所以改善了亮度均匀度并简化了制造工艺。如果发射器被设置在第一电极和第二电极上,以及为第一电极和第二电极交替地施加阴极电压和栅极电压,则能够改善发射器的使用寿命和亮度。
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公开(公告)号:CN106978161A
公开(公告)日:2017-07-25
申请号:CN201710007177.8
申请日:2017-01-05
CPC classification number: H01L51/0072 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/1092 , C09K2211/185 , H01L51/008 , H01L51/0085 , H01L51/009 , H01L51/5016 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/5384 , C09K2211/1088 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/50
Abstract: 公开组合物、包括所述组合物的薄膜、和包括所述组合物或薄膜的有机发光器件。包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物的组合物,其中Ar1、Ar2、Ar11、Ar12、L1、L11、a1、和a11与说明书中描述的相同。式1Ar1‑(L1)a1‑Ar2式2Ar11‑(L11)a11‑Ar12。
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公开(公告)号:CN106432211A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610664118.3
申请日:2016-08-12
IPC: C07D405/12 , C07D405/10 , C07D409/12 , C07D409/10 , C07D491/048 , C07D495/04 , C07D493/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D405/10 , C07D405/14 , C07D409/10 , C07D417/10 , C07D417/14 , C07D491/04 , C07D491/048 , C07D493/04 , C07D495/04 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1022 , C09K2211/1044 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/008 , H01L51/0085 , H01L51/009 , H01L51/5016 , H01L51/506 , H01L51/56 , C07D405/12 , C07D409/12 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/5012
Abstract: 公开稠环化合物和包括其的有机发光器件。所述稠环化合物由式1表示,其中,在式1中,基团和变量与说明书中描述的相同。式1
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公开(公告)号:CN101162678A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200710091800.9
申请日:2007-04-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/74 , H01J1/70 , H01J31/127 , H01J2329/28
Abstract: 本发明提供一种场发射装置的阳极面板。该阳极面板包括衬底、形成在衬底下表面上的阳极电极、形成在阳极电极下表面上并且相对于一个像素具有多个开口的黑矩阵、覆盖对应每个像素的开口和开口之间的黑矩阵的具有预定颜色的荧光体层、以及形成在荧光体层下表面上的反射层。
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公开(公告)号:CN101013642A
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200610143365.5
申请日:2006-11-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供制造场发射装置(FED)的方法,其中光掩模构图工艺的数目低并且FED的制造产率能够提高。该方法包括:在基板上顺序形成阴极层、第一绝缘层、以及栅极电极层;在栅极电极层上形成保护层以覆盖栅极电极层的顶面;通过蚀刻保护层和栅极电极层的预定部分暴露第一绝缘层的部分以形成在至少一行内的多个第一开口孔;形成第二绝缘层、聚焦电极层、光致抗蚀剂层;通过构图光致抗蚀剂层及使用光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模暴露第二绝缘层的部分以形成分别对应于第一开口孔的行的第二开口孔;通过从第二绝缘层的暴露表面蚀刻到第一绝缘层的底表面形成暴露阴极层的部分的发射器孔;去除光致抗蚀剂层;及在阴极层的暴露表面上形成电子发射发射器。
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公开(公告)号:CN1750222A
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN200510099039.4
申请日:2005-09-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/022 , H01J9/025 , H01J29/028 , H01J29/06 , H01J2329/00
Abstract: 提供了一种场致发射装置及其制造方法。所述场致电子发射装置包括衬底;形成于所述衬底的上表面具有阴极孔的阴极,所述阴极孔具有预定高度;在所述阴极的上表面形成的具有第一通孔的材料层,所述第一通孔的直径小于阴极孔的直径;形成于所述材料层的上表面的具有第一空腔的第一绝缘体;形成于第一绝缘体的上表面的具有第二通孔的栅极电极;以及在所述阴极孔的中央部分形成的发射器。
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