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公开(公告)号：CN100473602C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410074935.0
申请日：2004-09-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管(CNT)结构，一种制造碳纳米管结构的方法，以及采用该碳纳米管结构的场发射器和显示装置。制造CNTs的方法包括在形成有催化剂材料层的基底上生长第一CNTs，以及由在第一CNTs表面上的催化剂材料、在第一CNTs的表面上生长第二CNTs。在第一CNTs的侧壁上生长的第二CNTs在低电压下发射电子。此外，由于将第二CNTs用作电子发射源，所提供的CNT结构获得高电子发射电流。而且，由于第一CNTs的均匀直径，该CNT结构获得均匀的场发射。
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公开(公告)号：CN100465720C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410092217.6
申请日：2004-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/1335 , H01J1/30 , H01J31/00 , G09G3/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01J9/241 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 提供一种用于液晶显示器的场发射背光装置。背光装置包括：下衬底；以平行线交替形成在下衬底上的第一电极和第二电极；设置在第一和第二电极中至少第一电极上的发射器；与下衬底隔开预定距离的上衬底，使得上衬底和下衬底彼此面对；形成在上衬底的底面上的第三电极；以及形成在第三电极上的荧光层，其中沿第一和第二电极中至少第一电极的两边缘以预定间隔设置发射器。由于背光装置具有三极管型场发射构造，所以场发射非常稳定。由于第一电极和第二电极被形成在同一平面中，所以改善了亮度均匀度并简化了制造工艺。如果发射器被设置在第一电极和第二电极上，以及为第一电极和第二电极交替地施加阴极电压和栅极电压，则能够改善发射器的使用寿命和亮度。
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公开(公告)号：CN1883807A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510079413.4
申请日：2005-06-21
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种以更高的均匀性形成催化剂颗粒的新方法，该催化剂用于生长碳纳米管；以及一种均匀性得到提高的碳纳米管的合成方法。所述形成催化剂颗粒的方法包括：将催化金属前体溶液涂布到基材上；冷冻干燥涂布到基材上的催化金属前体溶液；及还原冷冻干燥的催化金属前体为催化金属。该形成催化剂颗粒的方法，在通过冷冻干燥催化剂金属前体溶液形成催化剂颗粒时，可以使催化剂颗粒的结块和/或重结晶最小化。通过该方法形成的催化剂颗粒，具有非常均匀的颗粒尺寸，并非常均匀地分布在基材上。
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公开(公告)号：CN1276496C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02144500.1
申请日：2002-09-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了一种形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法。形成自衬底抬高的浮置结构的方法包括：在衬底上形成膨胀引发层，该层可以由与预定反应气体的反应而产生导致体积膨胀的副产物；在所得结构上形成用于浮置结构的目标层；在所得结构上形成孔，反应气体通过该孔供给；通过该孔供应反应气体，使得该目标层因膨胀引发层与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高；以及通过该孔去除副产物，使得目标层自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离，形成浮置结构。
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公开(公告)号：CN1590291A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074935.0
申请日：2004-09-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管(CNT)结构，一种制造碳纳米管结构的方法，以及采用该碳纳米管结构的场发射器和显示装置。制造CNTs的方法包括在形成有催化剂材料层的基底上生长第一CNTs，以及由在第一CNTs表面上的催化剂材料、在第一CNTs的表面上生长第二CNTs。在第一CNTs的侧壁上生长的第二CNTs在低电压下发射电子。此外，由于将第二CNTs用作电子发射源，所提供的CNT结构获得高电子发射电流。而且，由于第一CNTs的均匀直径，该CNT结构获得均匀的场发射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101101903A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710007707.5
申请日：2007-01-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76885 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L23/5226 , H01L23/53276 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的利用碳纳米管的层间布线结构以及制造该层间布线结构的方法。该层间布线结构包括从催化剂层表面生长的多个碳纳米管和碳纳米管束，其中由于上部中碳纳米管的聚集，该碳纳米管束的上部比该碳纳米管束的下部具有更高的碳纳米管密度。该方法包括形成电连接到下电极的催化剂层；从该催化剂层的表面生长多个碳纳米管；通过聚集上部中的所述碳纳米管形成上部比下部具有更高碳纳米管密度的碳纳米管束；形成层间电介质，其覆盖该下电极，围绕该碳纳米管束，且暴露该碳纳米管束的仅上表面；以及形成上电极，其接触该碳纳米管束的所述上表面。
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公开(公告)号：CN1882204A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610093763.0
申请日：2006-06-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H05B33/02
CPC classification number: H01J31/123 , H01J1/304 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明提供了铁电冷阴极和包括其的铁电场致发射装置。该铁电冷阴极包括：基板；下电极层，其由该基板的上表面上的导电材料形成；铁电层，其由该下基板的上表面上的铁电材料形成；和超细线性材料网，其形成该铁电层上的上电极，并且通过分布在网结构中的超细线性导电材料粒子形成的多个网孔外露该铁电层上表面的一部分。
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公开(公告)号：CN1822281A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510137515.7
申请日：2005-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B01J21/185 , B01J23/74 , B01J23/745 , B01J35/0013 , B01J37/0219 , B01J37/0228 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了一种构图用于合成碳纳米管(CNT)的催化剂层的方法和使用该方法制造场发射器件(FED)的方法。所述构图催化剂层的方法包括：在基板上形成催化剂层，所述催化剂层由具有弱酸负离子团的金属盐形成；在所述催化剂层上形成光致抗蚀剂；使用光掩模将所述光致抗蚀剂曝光为预定的图案；使用强碱显影溶液来去除所述光致抗蚀剂和催化剂层的预定区；和去除所述光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN1797660A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510131015.2
申请日：2005-12-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B32/168 , C01B32/172 , C01B2202/08 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种垂直排列碳纳米管的方法。该方法包括：在形成有催化剂金属层的基板上生长碳纳米管；以束的形式从该基板分离生长的碳纳米管；在放入有充电物的电解液内放入分离的碳纳米管束，将碳纳米管与充电物混合，并且使碳纳米管束带电；以及将带电的碳纳米管束利用电泳垂直附着到电极的表面上。
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公开(公告)号：CN1767122A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510113205.1
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/847 , Y10S977/89
Abstract: 本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。
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