公开(公告)号：CN1855484A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073779.5

申请日：2006-03-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  李宪贞 ,  牟然坤 ,  具在本

IPC: H01L27/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/3248 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 公开了能够避免像素电路电短路的平板显示器，以及制造该平板显示器的方法。在一个实施例中，平板显示器包括具有孔的绝缘膜、具有通过绝缘膜的孔外露部分的像素电极、在绝缘膜上形成的导体以及覆盖导体的加盖层。根据本发明的实施例，导体由传导胶形成并且导体胶的粗糙表面通过在导体上形成的加盖层钝化，因此能避免在导体和相对像素电极之间的短路。

公开(公告)号：CN1604702A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410092128.1

申请日：2004-08-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  具在本 ,  李宪贞

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5346

Abstract: 本发明的发光显示器件包括具有其上形成薄膜晶体管的绝缘衬底。该薄膜晶体管包括源电极和/或漏电极。在薄膜晶体管的至少一部分上的绝缘衬底上形成钝化层，并且该钝化层具有形成于其中的导通孔，该导通孔电接触源电极或者漏电极。在导通孔中形成像素电极。在除了对应于像素电极的区域之外的钝化层的整个上表面上形成阻光层。在除了对应于像素电极的区域之外的阻光层的上表面上形成平坦化层。

公开(公告)号：CN1543284A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410028710.1

申请日：2004-03-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宽熙 ,  柳承润 ,  李宪贞 ,  朴商一 ,  具在本

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/558 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明公开一种高效有机电致发光显示器及其制造方法，该显示器包括：设置在基板上的、彼此分开的R、G和B单元像素的阳极电极；形成在阳极电极上的R、G和B单元像素的有机薄膜层；和形成在基板整个表面上的阴极电极。R、G和B单元像素中的至少一个单元像素的阳极电极具有不同于其它单元像素的阳极电极的厚度。每个单元像素的阳极电极包括具有高反射率的第一膜和用于调节功函数的第二膜。单元像素中至少一个单元像素的第二膜具有不同于其它单元像素第二膜的厚度。R单元像素第二膜比其它单元像素的第二膜厚。

公开(公告)号：CN1819299A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510135849.0

申请日：2005-12-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 杨南喆 ,  金慧东 ,  徐旼彻 ,  具在本 ,  李尚旻 ,  李宪贞

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/32 ,  H01L51/40 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/0015 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0512

Abstract: 披露一种提供与半导体层形成图案相同的结果的具有转变区域的薄膜晶体管、一种具有薄膜晶体管的平板显示器和一种用于制造薄膜晶体管和平板显示器的方法。薄膜结构包括门电极；源电极和漏电极，每个电极与门电极隔离；以及连接到源电极和漏电极上的有机半导体层。有机半导体层包括具有不同于沟道区周围的晶体结构的晶体结构的转变区域。

公开(公告)号：CN1710721A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200510077506.3

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  具在本

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/20 ,  H01L21/312 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法以及具有该TFT的平板显示器(FPD)，其中，所述的TFT包括：衬底；栅电极，设置在衬底上；栅绝缘层，设置在栅电极上；源电极和漏电极，设置在栅绝缘层上并且与栅电极绝缘；和有机半导体层，接触源电极和漏电极并且与栅电极绝缘。在此，氧化部分被设置在与有机半导体层接触的源电极和漏电极的部分上，并且，氧化部分由功函数大于有机半导体层的HOMO能级的材料形成。

公开(公告)号：CN1655655A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510054183.6

申请日：2005-02-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  朴商一

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/50 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2320/0233 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/5253

Abstract: 一种OLED包括具有电路区域和像素区域的基板。至少一个电路薄膜晶体管(TFT)和至少一个像素TFT分别排列在电路区域和像素区域上。每个TFT具有半导体层、栅电极、源电极和漏电极。像素电极电连接到像素TFT的源和漏电极中的一个。至少一个氮化硅层布置在源和漏电极与基板之间，且在整个像素区域中开口。

公开(公告)号：CN1575078A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046556.0

申请日：2004-06-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  李宪贞 ,  金尚彻 ,  金昌树

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/12

CPC classification number: H05B33/28 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明公开了一种采用多层型像素电极的有机电致发光器件及其制造方法。该有机电致发光器件包括：衬底；位于该衬底上预定区域中的第一像素电极；以及位于该第一像素电极上且完全覆盖该第一像素电极的第二像素电极。于是，消除了因原电池现象导致的膜破损。