-
公开(公告)号：CN1622708A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410089749.4
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/0013 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/558
Abstract: 提供了一种有机发光显示器，该有机发光显示器可以如下构成：TFT衬底，该TFT衬底包括绝缘衬底和具有至少一个源电极和一个漏电极的TFT；下电极，其形成在TFT衬底上并连接到源/漏电极其中之一；绝缘层，其具有暴露一部分下电极的开口；有机薄膜层，其形成在下电极的暴露部分和绝缘层上；以及上电极，其形成在有机薄膜层上，其中绝缘层在开口的边缘具有小于40°的锥角，并且在下电极与有机薄膜层之间形成小于或等于3000埃的台阶。所述有机发光显示器可以避免器件故障。
-
公开(公告)号：CN1607880A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410098194.X
申请日：2004-08-18
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/181 , C09K2211/182 , C09K2211/185 , H01L51/0013 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H05B33/14 , Y10T428/26
Abstract: 公开了用于小分子全色有机EL显示器的施主膜，以及使用该施主膜的小分子全色有机EL显示器的生产方法。该施主膜包括基膜，形成于基膜上的光热转化层，和形成于光热转化层上的迁移层，其中迁移层由至少两层构成，且与基膜相邻的第一层是高分子材料而高分子材料上的第二层是小分子材料。提供了该施主膜，其生产方法，以及使用该施主膜生产的全色有机EL显示器，从而使适于显示器特性的结构不受限制和所使用材料的种类增加，由此实现了具有优良性能的有机EL显示器。
-
公开(公告)号：CN1192683C
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02152428.9
申请日：2002-11-27
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/0013 , H01L51/0059
Abstract: 一种有机EL显示装置包括第一和第二电极和置于其间的发光层以及排列于第一电极与发光层之间的有机可溶性衍生物层，其中所述有机可溶性衍生物层防止杂质扩散至发光层。
-
公开(公告)号：CN1417285A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02146961.X
申请日：2002-10-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/14 , C09K2211/1408 , C09K2211/1441 , H01L51/0013 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/5012 , H01L51/56 , Y10S428/917
Abstract: 在有机EL显示器的发光层中用的发光聚合物组合物包括具有降低第一种和第二种发光聚合物各元素之间内聚力的不同的界面特性的至少第一种和第二种发光聚合物。
-
公开(公告)号：CN100448054C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410082543.9
申请日：2004-09-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金茂显
CPC classification number: H01L51/5215 , H01L27/3248 , H01L51/5231
Abstract: 提供了一种有源矩阵有机发光显示器件，其包括：衬底，具有沟道区、源区和漏区并位于衬底预定区域上的有源层。第一电极与源区和漏区中的一个相连并延伸至衬底之上，并且具有由至少一个导电层形成的多层结构。第二电极与第一电极相隔并与源区和漏区中的另一个相连，并且具有和第一电极相同的由导电层形成的层叠结构。具有至少一有机发射层的有机功能层位于第一电极上。第三电极位于有机功能层上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100423284C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410011802.9
申请日：2004-09-23
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/32 , H05B33/00 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76804 , H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L51/5209
Abstract: 一种可通过减少接触孔和通孔的圆锥角来降低元件故障的平面显示器。该平面显示器包括：一至少具有源电极和漏电极的薄膜晶体管，其形成于绝缘衬底上；一绝缘层，其具有用于暴露源电极和漏电极之一的通孔；以及一阳极，其通过通孔与上述源电极和漏电极之一连接。通孔和阳极具有60°或更小的圆锥角。源电极和漏电极通过接触孔分别与薄膜晶体管的源极区和漏极区连接。接触孔也具有60°或更小的圆锥角。
-
公开(公告)号：CN1958302A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143367.4
申请日：2006-11-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种用于成像施主薄膜的成像层到受体基板上的激光诱导热成像设备。该激光诱导热成像设备包括：基板台和施主薄膜，其中，该基板台包括磁铁，并且适于容放具有有机光发射装置的象素区的受体基板，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间，并且包括对应于施主薄膜的成像部分的图案的开口部分和用于与该基板台形成磁力的永磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
-
公开(公告)号：CN1923529A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610121986.3
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: B41M5/24 , B44B7/00 , H01L21/00 , H01L21/683 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)设备和使用该设备制造电子装置的方法。该LITI设备包括室腔、基底支撑件、接触框和激光源或振荡器。所述LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成品电子装置的表面上。所述LITI设备利用磁力提供在可转移层和半成品电子装置的表面之间的紧密接触。通过在LITI设备的隔开的两个组件中形成的磁性材料产生磁力，可转移层和半成品电子装置的所述表面介于所述两个组件之间。磁体或磁性材料形成在LITI系统的两个以下组件中：1)半成品装置和膜供体装置；2)半成品装置和接触框；3)基底支撑件和膜供体装置；或者4)基底支撑件和接触框。
-
公开(公告)号：CN1789006A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510112769.3
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J3/407 , B41J11/0015 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种用于激光转写法的施体基板和利用该方法制造的有机发光显示器。激光转写设备包括通过接地装置接地的载物台，并且制造有机发光显示器的方法能控制利用该设备形成有机层的同时所堆积的静电。
-
公开(公告)号：CN1773721A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510129188.0
申请日：2005-10-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5225 , H01L2251/5392 , H01L2251/558
Abstract: 在一个实施例中，本发明提供一种有机发光显示器(OLED)，其包括：设置在基板上的TFT；设置在TFT上且具有通孔的绝缘层；设置在绝缘层上且通过通孔连接到TFT的漏极电极的象素电极；设置在象素电极上的发射层；以及设置在发射层上且暴露通孔的至少上部分的对电极图案。这避免了对电极和象素层之间紧密的构造接近度，从而减小了短路的可能性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
81
records
(took 0.026 seconds)
