公开(公告)号：CN100568436C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200510113205.1

申请日：2005-10-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李亢雨 ,  陈勇完 ,  韩仁泽 ,  金夏辰 ,  裵民钟

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/481 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/89

Abstract: 本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。

公开(公告)号：CN100552857C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200410089647.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 陈勇完 ,  李玹姃 ,  文钟云 ,  郑得锡 ,  崔浚熙 ,  赵晟希

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  H01J1/3042

Abstract: 本发明提供一种形成碳纳米管发射器的方法。该形成碳纳米管发射器的方法包括：在衬底上以预定形状形成碳纳米管复合物；在该碳纳米管复合物上涂覆呈液相的表面处理材料，并进行干燥；以及将该变干的表面处理材料从该碳纳米管复合物上剥离。

公开(公告)号：CN1707727A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510072913.5

申请日：2005-05-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴永俊 ,  陈勇完 ,  韩仁泽

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/46 ,  H01J29/08 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J3/022 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种场发射器件及使用该场发射器件的场发射显示器。该场发射器件包括玻璃基板、形成在玻璃基板上且具有凹的部分的材料层、形成在材料层上的阴极电极、形成在阴极电极凹的部分上的电子发射极、形成在阴极电极上并具有与凹的部分连通的腔的栅极绝缘层、以及形成在栅极绝缘层上并具有与腔对准的栅极孔的栅极电极。

公开(公告)号：CN1707732A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076159.2

申请日：2005-06-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 陈勇完 ,  卢昌镐

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种制造碳纳米管场致发射器件的方法。该方法包括：在基底结构上形成催化剂层，在催化剂层上涂布含有碳纳米管粉末的溶液，以及在碳纳米管涂层上涂布化学淀积溶液。该方法可以提供一种具有改进的场致发射效率和更长的使用寿命的碳纳米管场致发射器件。

公开(公告)号：CN1630002A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410089647.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 陈勇完 ,  李玹姃 ,  文钟云 ,  郑得锡 ,  崔浚熙 ,  赵晟希

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  H01J1/3042

Abstract: 本发明提供一种形成碳纳米管发射器的方法。该形成碳纳米管发射器的方法包括：在衬底上以预定形状形成碳纳米管复合物；在该碳纳米管复合物上涂覆呈液相的表面处理材料，并进行干燥；以及将该变干的表面处理材料从该碳纳米管复合物上剥离。

公开(公告)号：CN1185675C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01111250.6

申请日：2001-03-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔原鳳 ,  尹敏在 ,  陈勇完

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10S977/952

Abstract: 用碳纳米管作为电子发射源的场致发射阵列和制造方法。包括形成背板组件，背板组件包括形成在背板上的条形阴极和碳纳米管。前板组件包括在前板上形成条形阳极，和在阳极上淀积荧光体；通过在非导电板中形成对应于阳极且彼此分开预定距离的多个开口，和在非导电板上形成条形栅极，所述栅极与阳极条垂直且具有对应于多个开口的多个发射开口；通过隔板支撑具有栅极的非导电板并按预定的距离使它和背板隔开。背板组件和前板组件，使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。