-
公开(公告)号：CN1982211A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610105416.5
申请日：2006-07-06
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B01J37/0244 , B01J23/38 , B01J23/74 , B01J33/00 , B01J37/347 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；在所述催化剂金属层上形成钝化层以降低所述催化剂金属层的活性；以及在未被所述钝化层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。因此，所生长的碳纳米管具有适合于场致发射器件的碳纳米管发射器的密度。
-
公开(公告)号：CN100473602C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410074935.0
申请日：2004-09-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管(CNT)结构，一种制造碳纳米管结构的方法，以及采用该碳纳米管结构的场发射器和显示装置。制造CNTs的方法包括在形成有催化剂材料层的基底上生长第一CNTs，以及由在第一CNTs表面上的催化剂材料、在第一CNTs的表面上生长第二CNTs。在第一CNTs的侧壁上生长的第二CNTs在低电压下发射电子。此外，由于将第二CNTs用作电子发射源，所提供的CNT结构获得高电子发射电流。而且，由于第一CNTs的均匀直径，该CNT结构获得均匀的场发射。
-
公开(公告)号：CN100406377C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610009255.X
申请日：2006-02-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明提供形成CNT的方法和制造使用该CNT的FED装置的方法。形成CNT的方法包括：准备其上形成有硅层的基板；在该硅层上顺序形成缓冲层和催化剂金属层；通过退火该基板通过该硅层、该缓冲层、以及该催化剂金属层之间的扩散部分形成金属硅化物畴；以及在该催化剂金属层的表面上生长CNT。
-
公开(公告)号：CN1883807A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510079413.4
申请日：2005-06-21
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种以更高的均匀性形成催化剂颗粒的新方法，该催化剂用于生长碳纳米管；以及一种均匀性得到提高的碳纳米管的合成方法。所述形成催化剂颗粒的方法包括：将催化金属前体溶液涂布到基材上；冷冻干燥涂布到基材上的催化金属前体溶液；及还原冷冻干燥的催化金属前体为催化金属。该形成催化剂颗粒的方法，在通过冷冻干燥催化剂金属前体溶液形成催化剂颗粒时，可以使催化剂颗粒的结块和/或重结晶最小化。通过该方法形成的催化剂颗粒，具有非常均匀的颗粒尺寸，并非常均匀地分布在基材上。
-
公开(公告)号：CN1590291A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074935.0
申请日：2004-09-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管(CNT)结构，一种制造碳纳米管结构的方法，以及采用该碳纳米管结构的场发射器和显示装置。制造CNTs的方法包括在形成有催化剂材料层的基底上生长第一CNTs，以及由在第一CNTs表面上的催化剂材料、在第一CNTs的表面上生长第二CNTs。在第一CNTs的侧壁上生长的第二CNTs在低电压下发射电子。此外，由于将第二CNTs用作电子发射源，所提供的CNT结构获得高电子发射电流。而且，由于第一CNTs的均匀直径，该CNT结构获得均匀的场发射。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1992198A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610153696.7
申请日：2006-09-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/768 , C01B31/02
Abstract: 提供了一种生长碳纳米管的方法和一种使用该碳纳米管形成半导体器件的导电线的方法。形成半导体器件的导电线的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成具有多个突起的电极；在电极上形成催化剂层，其覆盖突起并促进碳纳米管的生长；形成覆盖催化剂层的绝缘层；在绝缘层中形成通孔，其暴露催化剂层的表面的一部分；以及通过在催化剂层的表面上方向通孔内注入含碳气体，在催化剂层的表面上生长碳纳米管，从而形成导电线。该形成导电线的方法可以用于减小半导体器件的电阻并提高半导体器件的电流密度，并实现半导体器件的超高度集成，因为碳纳米管导电线可以应用于微小通孔。
-
公开(公告)号：CN1982210A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610101172.3
申请日：2006-07-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10S977/876
Abstract: 提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述的生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被无定形碳层覆盖的催化剂金属层的表面生长碳纳米管。在所述的生长碳纳米管的方法中，以适于场致发射器件的发射器的密度，在低温下，以低成本生长碳纳米管。
-
公开(公告)号：CN1700400A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072906.5
申请日：2005-05-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J29/06 , H01J29/481
Abstract: 本发明提供了一种场发射显示器及其制造方法。该场发射显示器包括：衬底；在衬底的顶面上相互平行地形成的多个底栅极电极；在底栅极电极的上面部分上垂直于底栅极电极形成的多个阴极电极，在阴极电极的与底栅极电极相交的部分中形成各个阴极孔；在阴极电极上相对于阴极孔的中心对称形成的多个发射极；及在阴极孔的中心部分形成的与底栅极电极电连接的多个栅极电极。
-
公开(公告)号：CN100568436C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200510113205.1
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/847 , Y10S977/89
Abstract: 本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。
-
公开(公告)号：CN101097826A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710003741.5
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/938 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供一种形成碳纳米管(CNT)结构的方法以及利用形成碳纳米管结构的该方法制造场发射器件的方法。形成CNT结构的方法包括：在基板上形成电极；在所述电极上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成颗粒形催化剂层；蚀刻通过所述催化剂层暴露的所述缓冲层；以及从形成在所述被蚀刻的缓冲层上的所述催化剂层生长CNT。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.023 seconds)
