公开(公告)号：CN102173795B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110025514.9

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体(图尔)有限公司

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。

公开(公告)号：CN103130502B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201110375437.X

申请日：2011-11-23

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  樱井英章 ,  藤井顺 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种能够提高寿命可靠性的铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器。本发明的铁电薄膜采取如下形态，即由选自包括Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs的组中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物以某种恒定比例混合在由(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9)所示的复合金属氧化物中的混合复合金属氧化物的形态，其中，层叠2～23层的烧成层而构成，烧成层的厚度t为45～500nm，烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均X为200～5000nm，烧成层均满足1.5t＜X＜23t的关系。

公开(公告)号：CN103360065A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310098827.6

申请日：2013-03-26

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01L41/1876 ,  H01G4/018 ,  H01G4/1245 ,  H01L28/56 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/025 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H03H9/02031 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（111）面，层厚在45nm～270nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。

公开(公告)号：CN103359786A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310085420.X

申请日：2013-03-18

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C01G25/00 ,  C04B35/622 ,  C04B35/491

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/306 ,  H01G4/33 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/29 ,  H01L41/318 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高的寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，PZT铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（100）面，层厚在45nm～150nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。