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公开(公告)号：CN113600452A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110967305.X
申请日：2015-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及LaNiO3薄膜的形成方法及器件的制造方法，本发明的LaNiO3薄膜的形成方法包括：在被Pt电极包覆的基板中，在将吸附于每1cm2的所述基板表面的H2量、H2O量及CO量分别设为1.0×10‑10g以下、2.7×10‑10g以下、4.2×10‑10g以下的状态下，将LaNiO3薄膜形成用液体组合物涂布于所述基板表面并进行干燥而形成涂膜的工序；临时烧结所述涂膜的工序；及烧成所述临时烧结后的涂膜而形成LaNiO3薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN106104826B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580015871.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/318 , C04B35/491 , H01B3/12 , H01L41/187
Abstract: 本发明涉及一种用于形成PZT系压电膜的组合物，该PZT系压电膜由掺杂Mn的复合金属氧化物所构成，所述组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮，该PZT系前体包含构成所述复合金属氧化物的各金属原子，且所述组合物以如下比例含有所述PZT系前体：将所述组合物中的金属原子比表示为Pb:Mn:Zr:Ti时，Pb满足1.00～1.20、Mn满足0.002以上且小于0.05、Zr满足0.40～0.55、Ti满足0.45～0.60，且所述Zr与所述Ti的金属原子比的合计比例成为1。
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公开(公告)号：CN104072132B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410054324.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/187
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/1283 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物包括PZT前驱体、二醇、水及碳链为6以上12以下的直链一元醇、并包含聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇。组合物100质量%中所占的上述PZT前驱体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量%，组合物100质量%中的上述二醇的比例为16～56质量%，上述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.01～0.25摩尔，上述水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5～3摩尔，组合物100质量%中的直链一元醇的比例为0.6～10质量%。
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公开(公告)号：CN106133932A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015351.2
申请日：2015-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/187 , C01G25/00 , H01L41/318
CPC classification number: H01L41/1876 , C01G25/006 , C01P2002/54 , C04B35/491 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3296 , C04B2235/48 , C09D5/24 , H01L41/318
Abstract: 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮等，所述PZT系前体含有构成复合金属氧化物的各金属原子。组合物中的金属原子比Pb:Ce:Zr:Ti满足(1.00～1.28):(0.005～0.05):(0.40～0.55):(0.60～0.45)，且以Zr与Ti的金属原子比的合计比例成为1的比例含有PZT系前体。组合物100质量％中所占的PZT系前体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量％，组合物100质量％中的二醇的比例为16～56质量％，聚乙烯吡咯烷酮等的比例相对于PZT系前体1摩尔，以单体换算为0.01～0.25摩尔。
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公开(公告)号：CN104072133A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410055655.9
申请日：2014-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: H01G4/08 , B05D1/38 , B05D3/0254 , C23C16/409 , H01G4/018 , H01G4/06 , H01G4/30 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02356 , H01L28/55 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其形成方法和复合电子组件。所述PZT系铁电薄膜通过如下来形成，即在具有下部电极的基板的该下部电极上涂布一次或两次以上PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行预烧结之后，通过烧成使其结晶，其中，薄膜由从薄膜表面测定时的平均粒径在500～3000nm的范围的PZT系粒子构成，在薄膜表面上的晶界的一部分或全部中析出有平均粒径为20nm以下的与上述PZT系粒子不同性质的微粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104058743A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410054822.8
申请日：2014-02-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/624
CPC classification number: H01B3/448 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1254 , C23C18/1291 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液及铁电薄膜的形成方法。该铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物及含N-甲基吡咯烷酮的有机掺杂剂，含有以氧化物换算计为17质量%以上的PZT系化合物，聚乙烯吡咯烷酮相对于所述PZT系化合物的摩尔比以单体换算计为，PZT系化合物:聚乙烯吡咯烷酮=1:0.1～0.5，所述溶胶-凝胶液中含3质量%～13质量%的N-甲基吡咯烷酮。
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公开(公告)号：CN103359785A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310085165.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01G25/00 , C04B35/622 , C04B35/491
CPC classification number: H01B13/06 , C23C18/1216 , C23C18/1283 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01G7/06 , H01L28/55 , H01L29/78391 , H01L37/025 , H01L41/1876 , H01L41/318 , H03H9/02574 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜。该PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布PZT系铁电薄膜用组合物进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在下部电极上制造PZT系铁电薄膜时，将PZT系铁电薄膜形成用组合物以CSD法涂布形成于下部电极表面上的溶胶膜，使用红外线且通过温度模式稳定地进行临时烧结，该温度模式包括：第1保持阶段，从室温等预定温度升温而保持在200℃～350℃的范围内的温度；和第2保持阶段，从第1保持阶段的保持温度升温而保持在比第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的范围内的温度。
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公开(公告)号：CN103193477A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210003035.1
申请日：2012-01-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/622 , H01G4/14
Abstract: 本发明提供一种未包含对环境的负载较大的物质且能够用简单的方法制作适合用于薄膜电容器的介电薄膜且保存稳定性优异、涂膜性良好的介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及通过该方法形成的介电薄膜。一种液状介电薄膜形成用组合物，用于形成呈通式：Ca(4-3x)Cu3xTi4O12(式中0.5≤x≤1.1)所示的复合金属氧化物形态的薄膜，其特征在于，由用于构成该复合金属氧化物的原料以提供上述通式所示的金属原子比的比例溶解于有机溶剂中的有机金属化合物溶液构成，所述有机溶剂以具有通式：CnH2n+1COOH(其中n为2～6的整数)所示的直链或者1条或2条以上侧链的羧酸为主成分。
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公开(公告)号：CN105144353B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201480020867.1
申请日：2014-05-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L21/316 , C08L33/26 , C08L39/06
CPC classification number: H01L21/02197 , C09D133/26 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及其制造方法。本发明的铁电薄膜形成用组合物是通过预烧工序及烧成工序来调整成膜的杨氏模量，且即使每一次的涂膜较厚，烧成时也几乎不发生龟裂而能够获得结晶性较高的薄膜，从而可减少涂膜次数而提高薄膜的制造效率。通过使用铁电薄膜形成用组合物，即使每一次的涂膜较厚，烧成时也几乎不发生龟裂而形成结晶性较高的薄膜，所述铁电薄膜形成用组合物的特征在于，该铁电薄膜形成用组合物是包含铁电薄膜的前驱体、溶剂及反应控制物质，且通过涂膜的预烧及烧成来形成铁电薄膜的组合物，上述反应控制物质的含量是在200℃～300℃的预烧阶段中成膜的杨氏模量为42GPa以下且在400℃～500℃的烧成阶段中成膜的杨氏模量成为55GPa以上的量。
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公开(公告)号：CN106133932B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201580015351.2
申请日：2015-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/187 , C01G25/00 , H01L41/318
Abstract: 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮等，所述PZT系前体含有构成复合金属氧化物的各金属原子。组合物中的金属原子比Pb:Ce:Zr:Ti满足(1.00～1.28):(0.005～0.05):(0.40～0.55):(0.60～0.45)，且以Zr与Ti的金属原子比的合计比例成为1的比例含有PZT系前体。组合物100质量％中所占的PZT系前体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量％，组合物100质量％中的二醇的比例为16～56质量％，聚乙烯吡咯烷酮等的比例相对于PZT系前体1摩尔，以单体换算为0.01～0.25摩尔。
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