公开(公告)号：CN112921303A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110090264.0

申请日：2021-01-22

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 乌李瑛 ,  瞿敏妮 ,  马玲 ,  程秀兰

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开了一种在金属铜上形成保护层的制备方法。所述方法利用热法原子层沉积系统，在较低温度下在半导体基底的铜金属表面制备金属氧化物介质层，从而形成金属铜的保护层。所述金属氧化物介质层包括氧化铝、氧化铪、氧化钛等。本发明可以在器件加工过程中有效的保护金属铜表面，并防止铜的继续氧化，提高器件性能。

公开(公告)号：CN112259613A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011156256.3

申请日：2020-10-26

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 乌李瑛 ,  程秀兰 ,  瞿敏妮 ,  付学成 ,  马玲 ,  权雪玲

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/329 ,  H01L29/16 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供了一种提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备。在制备锗MOS器件结构时，利用等离子增强型原子层沉积设备，通过对锗衬底进行NH3/N2混合等离子体原位预处理，然后在锗衬底上原子层沉积高介电绝缘介质层如二氧化铪，可以提高高介电绝缘介质层和锗衬底之间的层间界面的质量、抑制锗向高介电绝缘介质层的扩散，并对界面的陷阱电荷有重要的限制作用。本发明能够更有效地降低锗MOS器件的漏电流，增加累积电容，改善锗MOS器件的性能，同时，原位NH3/N2混合等离子体处理可以在原子层沉积HfO2薄膜前直接利用原子层沉积设备的等离子体同步原位处理锗衬底，提高了生产效率，使其在工业领域更具有潜在优势。

公开(公告)号：CN111045300A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911113066.0

申请日：2019-11-14

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张笛 ,  王英 ,  孔路瑶 ,  徐剑 ,  瞿敏妮

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀配合湿法辅助去除SU-8负性光刻胶的方法；包括：采用等离子体去胶工艺，通入O2/CF4混合气体去除基片上的SU-8负性光刻胶；采用湿法工艺，将经过等离子体去胶工艺的基片放入丙酮、乙醇中浸泡后并一同放入超声设备中超声处理，清洗，氮气吹干。本发明的方法可实现硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属结构等材料上SU-8负性光刻胶的有效去除。通过确定最优刻蚀工艺参数有效地解决现阶段SU-8负性光刻胶去胶难的问题，而且不会对基底材料和通过沉积、溅射和电镀等工艺制作的微结构产生损伤，从而可以广泛地应用在制作高深宽比模具、微流体、微光学等MEMS结构器件、生物医学和芯片封装等领域。