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公开(公告)号：CN113788452B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111014187.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法，包括如下步骤：准备玻璃基片，并进行清洗吹干；当掩膜材料为非光刻胶材料，将掩模薄膜沉积到玻璃基片上，再涂覆光刻胶；当掩膜材料为光刻胶材料，在玻璃基片上涂覆光刻胶；采用光刻的方式，将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上；当掩膜材料为非光刻胶材料，先对掩膜材料进行刻蚀，再对玻璃基片进行刻蚀；当掩膜材料为光刻胶材料，仅对玻璃基片进行刻蚀即可；利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料，形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺，可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min，粗糙度降低到40nm以下，侧壁垂直度接近90°。
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公开(公告)号：CN114924341B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210488488.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明提供一种提高FIB刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统，涉及离子束加工技术领域，包括：步骤S1：在目标材料上制备掩膜层；步骤S2：根据需要刻蚀的光栅结构设计优化FIB刻蚀参数；步骤S3：利用FIB刻蚀参数从掩膜层表面开始刻蚀，刻蚀深度至目标材料表面以下；步骤S4：去除掩膜层，在目标材料表面形成高侧壁垂直度的超浅光栅结构。本发明能够在铌酸锂等非导电材料表面实现刻蚀深度100nm以下、深度可控精度小于10nm、侧壁垂直度80°以上的超浅光栅结构。
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公开(公告)号：CN119179138A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411402035.8
申请日：2024-10-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于随机结构光栅的垂直入射铌酸锂光栅耦合器及制备方法，包括：硅衬底、埋氧层、铌酸锂层以及二氧化硅上包层；埋氧层一侧连接硅衬底，另一侧连接铌酸锂层；铌酸锂层包括随机结构光栅、锥形体以及直波导；直波导通过两侧锥形体连接两侧对称的随机结构光栅。本发明在不引入额外金属反射镜的条件下设计出了一种基于随机结构光栅的垂直入射铌酸锂光栅耦合器，极大降低了背反射从而提升了耦合效率，并且垂直耦合更易于芯片后道的封装。
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公开(公告)号：CN115343788B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210994615.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于循环刻蚀工艺的石英微透镜制备方法及石英微透镜，包括：光刻步骤：在石英表面上制备光刻胶柱体；热熔步骤：对带有光刻胶柱体的石英表面进行热熔处理，将光刻胶柱体转变为光刻胶透镜体；刻蚀步骤：对石英表面的光刻胶透镜体进行循环刻蚀处理，直至光刻胶完全消失，从而获得石英微透镜阵列。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114924341A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210488488.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明提供一种提高FIB刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统，涉及离子束加工技术领域，包括：步骤S1：在目标材料上制备掩膜层；步骤S2：根据需要刻蚀的光栅结构设计优化FIB刻蚀参数；步骤S3：利用FIB刻蚀参数从掩膜层表面开始刻蚀，刻蚀深度至目标材料表面以下；步骤S4：去除掩膜层，在目标材料表面形成高侧壁垂直度的超浅光栅结构。本发明能够在铌酸锂等非导电材料表面实现刻蚀深度100nm以下、深度可控精度小于10nm、侧壁垂直度80°以上的超浅光栅结构。
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公开(公告)号：CN115343788A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210994615.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于循环刻蚀工艺的石英微透镜制备方法及石英微透镜，包括：光刻步骤：在石英表面上制备光刻胶柱体；热熔步骤：对带有光刻胶柱体的石英表面进行热熔处理，将光刻胶柱体转变为光刻胶透镜体；刻蚀步骤：对石英表面的光刻胶透镜体进行循环刻蚀处理，直至光刻胶完全消失，从而获得石英微透镜阵列。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN113788452A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111014187.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法，包括如下步骤：准备玻璃基片，并进行清洗吹干；当掩膜材料为非光刻胶材料，将掩模薄膜沉积到玻璃基片上，再涂覆光刻胶；当掩膜材料为光刻胶材料，在玻璃基片上涂覆光刻胶；采用光刻的方式，将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上；当掩膜材料为非光刻胶材料，先对掩膜材料进行刻蚀，再对玻璃基片进行刻蚀；当掩膜材料为光刻胶材料，仅对玻璃基片进行刻蚀即可；利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料，形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺，可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min，粗糙度降低到40nm以下，侧壁垂直度接近90°。
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公开(公告)号：CN114578487A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210160444.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种集成有底部反射层的、垂直耦合的二元闪耀亚波长光栅耦合器，自上而下的薄膜功能层、键合层、底部反射层和衬底层。功能层为脊型结构，包括输入/出光栅耦合器、光子波导器件区域。输入/出光栅耦合器呈对称分布内设置有周期性排布的二元闪耀亚波长结构的光栅阵列，每个周期中设置有一个不同宽度的主级和次级亚波长光栅，相邻亚波长光栅之间形成宽度不一的间隔槽，最后一个次级亚波长光栅与中间的光波导区域相临近。降低器件复杂度的同时优化设计以实现最大光耦合效率，额外设置了底部反射层来防止光线向底部泄露，光纤和光栅之间所采用的完全垂直耦合方式还便于器件的测试和芯片的封装，结构较紧凑、制备工艺简单、可重复性好。
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