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公开(公告)号：CN112326617A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011229259.5
申请日：2020-11-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种瞬态毒侵探测系统及方法。系统包括样品靶室、第一脉冲光调制器、偏振分束器、第二脉冲光调制器、偏振片和信息处理器。先将被测样品放入样品靶室，激光信号依次经第一脉冲光调制器和偏振分束器，于所述偏振分束器产生第一偏振激光和第二偏振激光，所述第一偏振激光进入样品靶室冲击被测样品；同时泵浦激光依次经第二脉冲光调制器和偏振片进入样品靶室冲击被测样品，所述被测样品经所述第一偏振激光和所述泵浦激光的冲击产生荧光。将第二偏振激光和荧光送入信息处理器，作为二阶关联函数的输入，通过观察二阶关联函数值的变化，实现对被测样品瞬态毒侵过程的探测。
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公开(公告)号：CN106645077A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510709422.0
申请日：2015-10-28
Applicant: 上海大学
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G01N21/658
Abstract: 本发明公开了一种基于新型高低温阶梯扩孔法的“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法。首先在高温30℃条件下进行第一次扩孔，制备出孔径为83～87nm的UTAM，随后进行在低温13℃～20℃条件下进行第二次扩孔，制备出孔径为95～97nm的UTAM，随后进行金属真空热阻沉积，并去除UTAM，最终制得“热点”尺寸小于5nm的高增强SERS活性基底。本发明提供的“热点”尺寸小于5nm的金属纳米点阵SERS基底形貌均一，结构可控，拉曼信号增强显著，增强因子可达1010，且增强信号均一稳定。本发明方法，基于UTAM表面纳米结构制备技术的优势，通过高低温阶梯扩孔，结合真空热阻沉积，可方便地实现极小热点（
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公开(公告)号：CN110042391B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910368012.2
申请日：2019-05-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于阳极氧化铝模板、的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列的制备方法，通过纳米压印阳极氧化铝，模板方法制备了高度有序的一维镍纳米阵列，并在此基础上利用SILAR在镍纳米阵列上包裹一定厚度的钒酸铋颗粒以形成一维的钒酸铋‑镍纳米阵列。本发明合成条件温和，操作简便并且重复率很高，通过进一步的光电催化性能测试表明该一维纳米结构光电极在光催化分解水时具有较高的光响应电流、较高的光吸收效率以及较好的光腐蚀稳定性。因此，通过上述方法制备得到的一维钒酸铋‑镍纳米阵列是一种新颖的、效率较高的光电极，其为钒酸铋半导体材料用于光电催化能源转化的研究带来了新的发展启示。
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公开(公告)号：CN110090950A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910345971.2
申请日：2019-04-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 金-氧化锌半导体复合结构的合成方法。本发明涉及Au@ZnO纳米结构的制备。人们对分析检测手段提出了更高的要求。超灵敏的表面增强拉曼光谱(surface-enhanced Raman spectroscopy,SERS)技术因其无损无污染的指纹特征信息而被认为是高效低廉、强有力的分析检测手段而广泛用于环境领域。贵金属虽然具有优异的SERS检测性能，但是其局限性无法避免。随着科技的进步，使得半导体材料的SERS效应的直接观测取得重大进展，半导体逐渐成为非常有前景的SERS基底材料。但是半导体材料却因为SERS效应微弱无法与金属相提并论，而两者的复合却产生了1+1大于2的效应，使得实用上SERS技术与生物化学传感、气体探测及光催化性能的协同应用成为现实。
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公开(公告)号：CN106645077B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201510709422.0
申请日：2015-10-28
Applicant: 上海大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底制备方法。先在高温30℃条件下进行第一次扩孔，制备出孔径为83～87nm的UTAM，随后进行在低温13℃～20℃条件下进行第二次扩孔，制备出孔径为95～97nm的UTAM，随后进行金属真空热阻沉积，并去除UTAM，制得“热点”尺寸小于5nm的高增强SERS活性基底。本发明提供的“热点”尺寸小于5nm的金属纳米点阵SERS基底形貌均一，结构可控，拉曼信号增强显著，增强因子可达1010，且增强信号均一稳定。本发明方法通过高低温阶梯扩孔，结合真空热阻沉积，可实现极小热点尺寸的灵活调控，制备成本低，便于SERS技术在检测领域应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106011969B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610406577.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/24 , C23C14/18 , C23C14/24 , C25D3/46 , C25D3/12 , C25D5/12 , C25D5/18 , C23C28/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种镍基上金纳米颗粒阵列及其制备方法，该阵列以镍基底材料上排列有金纳米颗粒阵列；所述金纳米颗粒阵列是不连续型的，其金纳米颗粒的粒径为30~72nm，颗粒的中心距为98~102 nm；或者所述金纳米颗粒阵列是连续型的，其金纳米颗粒的粒径为30~100 nm，颗粒的中心距为98~102nm。本发明提供的方法比较灵活，制备得到的镍基上金纳米颗粒阵列中的金颗粒既可以是不连续的也可以使连续的。并且所用的AAO模板可以重复使用。同时兼具操作简单，成本低，能获得大面积高度有序的金纳米颗粒阵列的优点，有望应用于太阳能电池、光电催化、传感器、信息存储等。
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公开(公告)号：CN105761943B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201610230558.8
申请日：2016-04-14
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种镍锡合金纳米孔阵列及其制备方法。本发明是基于大孔阳极氧化铝模板的结构特性制备得到大面积有序、可控的镍锡合金纳米孔阵列。所述的纳米孔的直径为200~400nm，长度1~6μm。本发明制备的镍锡合金纳米孔阵列具有大的比表面积，垂直的孔道结构、高的导电性以及结构稳定性。本发明方法，可以根据模板的结构参数调节镍锡合金纳米孔阵列的结构参数，同时还可以实现不同金属纳米孔阵列的制备，具有制备工艺简单，成本低廉，重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN105870213A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610230560.5
申请日：2016-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0224 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L31/022425 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极及其制备方法，介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极是以不锈钢片为导电基底，由介孔状纳米α?Fe2O3层与纳米金层叠加形成的厚度为600~800nm的光吸收层均匀涂覆于不锈钢片，形成高效率的光电极。一种介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极制备方法主要涉及用凝胶溶胶法制备介孔状的纳米α?Fe2O3层并与纳米金层相叠加，经高温退火后形成介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极。本发明方法原料廉价易得，整个光电极制备过程快捷，易于大批量制备，且得到的介孔α?Fe2O3与纳米金叠层光电极与单纯的介孔α?Fe2O3光电极相比，光电流增大了38%。
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公开(公告)号：CN105645350A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610120002.3
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00015 , B81C1/00023 , B81C1/00222
Abstract: 本发明公开了一种微纳结构的制作装置及方法，它包括直线步进电机(1)、移动平台(2)、可移动挡板(3)、挡板支架(4)、底座(5)、电气控制装置(6)，其方法，是先将载物固定在移动平台(2)上，然后向在未被遮挡载物的表面沉积第一种材料；利用电气控制装置(6)控制直线步进电机(1)带动装在移动平台(2)上的载物向未被遮挡的方向位移，然后再向在未被遮挡的，未沉积的载物表面上沉积第二种材料；取下移动平台(2)的载物，对第一种材料进行剥离处理，剥离后制得微纳结构。本发明能够在载物表面上的指定区域引入材料，提高原材料利用率，无需模板、低成本制作、流程简单、速度快，使得微米结构、纳米结构、纳米电路等结构或器件的复杂成型变得更加简易、精确。
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公开(公告)号：CN103257132B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310131120.0
申请日：2013-04-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底是在硅单晶衬底粘附有一层具有有序银纳米帽阵列结构的银薄膜；该银薄膜的厚度为：80～150nm；所述的银纳米帽为隆起的中心带孔的泡状结构，直径为30～95nm，相邻两纳米帽中心距为100～110nm。本发明提供的银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，增强因子可达109，且增强信号均一稳定。本发明方法，可以根据超薄氧化铝模板的结构参数和金属沉积过程调节银纳米帽的结构参数和形貌，实现金属纳米帽阵列基底参数对拉曼表面增强效果的可调可控。具有操作简单，成本低，易于批量生产，不同批次间可重复性高的优点。
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