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公开(公告)号：CN101481784A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810200824.8
申请日：2008-10-07
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C22F1/18
Abstract: 本发明为了解决钛合金相变温度高，流变应力大，热加工困难的难题，公开了一种有效改善钛合金热加工工艺的方法，所述方法是通过在高温下增加钛合金的吸氢含量，以降低钛合金的相变温度，从而实现改善钛合金热加工工艺目的的。与现有技术相比，本发明不仅解决了钛合金工件在高温热加工时产生的缺陷和困难，而且具有成本低廉、操作简单易行、减少了对模具的损坏及能保证对钛合金工件不造成任何形状和性能影响等有益效果。
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公开(公告)号：CN117809210A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310422125.2
申请日：2023-04-19
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G06V20/40 , G06V20/54 , G06V10/82 , G06V10/62 , G06T7/254 , G06V10/74 , G06V10/25 , G06T5/50 , G06V10/77 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/048 , G06N3/0475 , G06N3/094 , G06V10/26 , G06V10/28 , G06V10/34 , G06V10/36 , G06V10/30
Abstract: 本发明属于图像处理领域，具体涉及一种基于帧差法和孪生网络的运动目标检测方法及其应用。该方法如下：S1：利用DCGAN对初始样本图像进行数据扩充构成特征库。S2：采集视频流数据并进行分帧处理得到连续的序列图像。S3：采用三帧图像差分法对序列图像进行处理，获取运动目标的位置信息。S4：对当前帧图像进行图像分割得到目标图像。S5：构建用于对目标图像和样本图像进行相似度分析的孪生神经网络。S6：将目标图像与特征库中的样本进行相似度分析，并输出相似度值最大的类别信息。S7：在视频流数据中标注识别出的类别信息和相似度值。本发明解决现有的基于深度神经网络的图像目标检测方法在实时性、精度和硬件开销上无法兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN104362197A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410571211.0
申请日：2014-10-23
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0352 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种立体采光式全固态太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池包括透明玻璃壳体和封装在壳体内的电池芯，所述的电池芯由内至外依次由钛丝、二氧化钛纳米管阵列薄膜、硫氰酸亚铜薄膜及碳纤维构成。本发明电池是先采用阳极氧化法在钛丝表面制备二氧化钛纳米管阵列薄膜，并作退火处理；再采用计时电位法在二氧化钛纳米管阵列薄膜表面电沉积硫氰酸亚铜薄膜；然后将碳纤维缠绕在硫氰酸亚铜薄膜表面，得到结构为Ti/TiO2/CuSCN/碳纤维的全固态电池芯；最后将所得电池芯置入透明玻璃管中进行封装制备得到。本发明提高了太阳能电池对太阳光的利用率和长期工作的稳定性，且具有结构简单、紧凑，制作方便、成本低廉等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271137A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810036965.0
申请日：2008-05-05
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及半导体领域制造测试领域，具体地是一种用于半导体薄膜材料电学性能表征的Pseudo－MOS测试台及其测试方法，包括测试台、测试台架、固定配件、导电载物台及测试屏蔽盒，其特征在于：还包括压力控制系统、探针定位系统，测试台上装有导电载物台及测试屏蔽盒，压力控制系统、探针定位系统采用固定配件安装在测试台架上；本发明的有益效果是：该测试台在样品不接受外界光电干预的条件下便可以对样品施加相应的电流、电压，从而对半导体薄膜样品进行电学性能测试，测试的数据非常精确，而且测试周期短。
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公开(公告)号：CN204516360U
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201520168619.3
申请日：2015-03-24
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本实用新型公开了一种低功耗静态存储器，其包括存储器阵列和多个自偏压电路，每个自偏压电路均由一个由字线控制的P型晶体管和一个栅极与漏极相连的N型晶体管组成；组成每个自偏压电路的P型晶体管的一端与动态电源相连接，另一端与存储器阵列电源相连接，组成每个自偏压电路的N型晶体管的一端与固定电源相连接，另一端与存储器阵列电源相连接。本实用新型提供的低功耗静态存储器，既可以使未参与读写操作的存储器单元处于相对比较低的电压下，从而达到减少漏电的目的，同时又不会因为动态电压过低而导致存储器功能失效，可满足动态电压频率调节情况下的应用要求，具有极强的实用价值。
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公开(公告)号：CN202758867U
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201220478213.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: H01L23/31
Abstract: 本实用新型公开了一种集成电路芯片结构，其包括集成电路及邻接于所述集成电路周边的密封环，所述密封环的至少一个侧边为双边结构，且至少一个双边结构中的内侧边上设有至少1个开口。本实用新型提供的集成电路芯片结构，既可以防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声影响，可降低噪声耦合，防止电磁讯号干扰敏感电路运作等，且结构简单，加工方便，具有极强的实用性，可广泛推广应用。
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公开(公告)号：CN201210180Y
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200820058014.9
申请日：2008-05-05
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型涉及半导体领域制造测试领域，具体地是一种用于新型绝缘体上半导体薄膜电学表征的测试系统，包括测试台、测试台架、固定配件、导电载物台及测试屏蔽盒，其特征在于：还包括压力控制系统、探针定位系统，测试台上装有导电载物台及测试屏蔽盒，压力控制系统、探针定位系统采用固定配件安装在测试台架上；本实用新型的有益效果是：该测试台在样品不接受外界光电干预的条件下便可以对样品施加相应的电流、电压，从而对半导体薄膜样品进行电学性能测试，测试的数据非常精确，而且测试周期短。
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公开(公告)号：CN203573659U
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201320647460.4
申请日：2013-10-18
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本实用新型公开了一种具有自偏压的静态随机存储器，其包括存储器阵列及其电路，其特征在于：还包括数个自偏压电路，每个自偏压电路均由一个字线控制的P型晶体管和一个栅极与漏极相连的N型晶体管组成。本实用新型提供的具有自偏压的静态随机存储器，其自偏压电路可在不影响读写操作模式电压的条件下，能有效降低静态工作状态下的电压；由于不需要特别调节电源电压，因此，该存储器便于集成，同时能有效降低存储器阵列的漏电流，具有极强的实用价值，便于广泛推广应用。
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