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公开(公告)号：CN110036460B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201780073050.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开一种干式蚀刻剂组合物、及使用其的发明，该干式蚀刻剂组合物含有1,3,3,3‑四氟丙烯、与CHxClyFz(x、y、z为1以上的整数，且x+y+z＝4)所表示的氢氯氟烃，且相对于1,3,3,3‑四氟丙烯的上述氢氯氟烃的浓度为3体积ppm以上且不足10000体积ppm。本发明的目的在于：于半导体制造工艺中，在无损HFO‑1234ze的良好的蚀刻特性的情况下提高HFO‑1234ze的保存稳定性，抑制酸性物质的产生，而防止保存容器或配管、蚀刻腔室的腐蚀。
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公开(公告)号：CN104220632B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201380015350.9
申请日：2013-02-20
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23F1/12
Abstract: 本发明公开一种干洗方法，其特征在于，该干洗方法使用β‑二酮去除附着于成膜装置的金属膜，将包含β‑二酮与NOx(表示NO、N2O中的至少1个)的气体用作清洁气体，使该清洁气体与处于200℃～400℃的温度范围内的该金属膜反应，从而去除该金属膜。依据该方法，根据附着金属膜的情况产生温度差可以进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN104969333A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007116.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。
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公开(公告)号：CN102884348A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180021294.0
申请日：2011-03-08
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: F16K1/302 , F16J3/02 , F16K7/126 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K25/00 , F17C2205/0329 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2223/0123 , F17C2260/036 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明提供一种卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀。根据本发明，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动，该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为0.2％～10％。本发明的阀具有充分的气密性，可以较佳地用作卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102803565A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026145.9
申请日：2010-03-29
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种使对用于吸附氟化氢的吸附剂进行回收、更换的维护变得容易且能够稳定地供给氟气的氟气生成装置(100)。该氟气生成装置包括精制线(20)，该精制线包含精制装置，该精制装置利用吸附剂除去由电解槽(1)的熔融盐气化而混入到从阳极(103a)生成的氟气中的氟化氢气体，精制线(20)包括并联配置有至少两台精制装置的第1精制部(21)和并联配置有至少两台精制装置的、配置在第1精制部(21)的下游的第2精制部(22)，通过了第1精制部(21)的任一精制装置的氟气被导入到第2精制部(22)的任一精制装置。
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公开(公告)号：CN102639748A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080054753.0
申请日：2010-11-19
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C14/14 , C23C14/564 , C23C16/06
Abstract: 本发明公开的是包含CHF2COF而成的用于去除堆积物的清洁气体。该清洁气体可包含O2、O3、CO、CO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、XFn(式中，X表示Cl、I或者Br，n表示1≤n≤7的整数。)、CH4、CH3F、CH2F2、CHF3、N2、He、Ar、Ne、Kr等，可适用于包含W、Ti、Mo、Re、Ge、P、Si、V、Nb、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ir、Sb、Ge、Au、Ag、As、Cr及其化合物等的堆积物。该清洁气体不仅清洁性能优异，且容易获取，实质上不副产对环境造成负担的CF4。
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公开(公告)号：CN101883623A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880119103.2
申请日：2008-10-24
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/304 , B01D2251/306 , B01D2251/60 , B01D2257/204 , B01D2258/0216 , C01B7/0706 , C01B7/195
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将气体中的ClO3F除去的廉价的除去方法。通过使含有ClO3F作为杂质的气体与还原剂反应，能够廉价地除去气体中的杂质ClO3F。或者，通过使用在水溶液中的标准电极电势为-0.092V以下的还原剂、或者将还原剂在水溶液的状态下用于反应，能够廉价地除去气体中的杂质ClO3F。
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公开(公告)号：CN102741987B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180008023.1
申请日：2011-01-25
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , C07C21/22 , C09K13/00
CPC classification number: H01L21/31055 , C09K13/00 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136
Abstract: 本发明的干蚀刻剂的特征在于，其包含由化学式CF3C≡CX（其中，X表示H、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2或CF2H。）表示的氟化丙炔和下述中的任一者：（B）选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2以及COF2组成的组中的至少一种气体，（C）选自由F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn（式中，Y表示Cl、Br或I。n表示整数，1≦n≦5。）组成的组中的至少一种气体，以及（D）选自由CF4、CHF3、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3ClF3H以及C4F8组成的组中的至少一种气体，所述干蚀刻剂发挥对环境的负担小这一效果，且工艺窗口广，还可应对要求高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。
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