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公开(公告)号：CN103338954B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201280007001.8
申请日：2012-02-02
IPC: B60K1/04
CPC classification number: B60L11/18 , B60K1/04 , B60K2001/0411 , B60R16/04
Abstract: 一种车辆设备安装结构，该车辆设备安装结构将其中容纳了驱动车辆的旋转电机的马达壳体（12）布置在发动机舱（20）中，且包括控制旋转电机的PCU（13）和向PCU供应电力的辅助电池（14）。此结构包括：将PCU固定到马达壳体（12）上的固定部分（22），和将辅助电池（14）连接到通过在压溃方向上压溃而吸收冲击载荷的侧构件（15）。连接部分（23）具有在压溃方向上可移位的可移位构件。辅助电池布置在PCU的车辆前侧上，使得PCU和辅助电池在压溃方向上部分地重叠。辅助电池布置为可响应于冲击载荷而移动经过PCU。
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公开(公告)号：CN103370230B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280008618.1
申请日：2012-02-13
IPC: B60R16/04
CPC classification number: B62D21/155 , B60K1/00 , B60R16/04 , B60Y2200/92 , B60Y2306/01
Abstract: 包括作为混合动力车辆（10）的车辆骨架部件的侧面构件（15）、连接2个侧面构件（15）的前横梁（18）、连接在侧面构件（15）上的弹性支承件（16）、配置在PCU（13）的车辆前方侧并经由支承座（23）和固定件（22）安装到前横梁（18）上的辅助电池、安装到前横梁（18）上的散热器（17）、经由发动机支架连接到车辆骨架部件的发动机（11）以及马达壳（12）、从马达壳（12）延伸的车轴（25）、以及经由引导板（19）和连结用的螺栓与马达壳（12）连接的PCU（13）。由此，提供在车辆的碰撞时能够抑制电力控制装置等车辆搭载设备与其他部件碰撞，能够抑制电力控制装置等车辆搭载设备的损伤的车辆设备搭载结构。
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公开(公告)号：CN100514675C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200580014771.5
申请日：2005-05-12
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p-型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n-型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。
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公开(公告)号：CN1890813A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036076.4
申请日：2004-12-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本发明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。
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公开(公告)号：CN103702849B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180072492.X
申请日：2011-07-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: B60L3/0007 , B60K1/00 , B60K1/04 , B60K2001/0411 , B60L3/0046 , B60L3/0053 , B60L3/0069 , B60L3/04 , B60L11/1803 , B60L11/1868 , B60L11/1877 , B60L11/1879 , B60L11/1883 , B60L11/1896 , B60L11/1898 , B60L2210/40 , B60R16/04 , B60Y2306/01 , Y02T10/7066 , Y02T10/7241 , Y02T90/34
Abstract: 本发明提供一种使配置于前舱内的电力控制器受到的碰撞时的冲击减轻的技术。机动车100在前舱内具备电力控制器4和装置2。电力控制器4和装置2沿机动车横向排列配置。电力控制器4的角部或者突起面向装置2的侧面。在机动车发生了碰撞时，装置2的侧面接触电力控制器4的角部。因为装置2的侧面的强度比电力控制器4的强度小，所以装置2先损坏。装置2成为缓冲件，减小了电力控制器4所受的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103702849A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201180072492.X
申请日：2011-07-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: B60L3/0007 , B60K1/00 , B60K1/04 , B60K2001/0411 , B60L3/0046 , B60L3/0053 , B60L3/0069 , B60L3/04 , B60L11/1803 , B60L11/1868 , B60L11/1877 , B60L11/1879 , B60L11/1883 , B60L11/1896 , B60L11/1898 , B60L2210/40 , B60R16/04 , B60Y2306/01 , Y02T10/7066 , Y02T10/7241 , Y02T90/34
Abstract: 本发明提供一种使配置于前舱内的电力控制器受到的碰撞时的冲击减轻的技术。机动车100在前舱内具备电力控制器4和装置2。电力控制器4和装置2沿机动车横向排列配置。电力控制器4的角部或者突起面向装置2的侧面。在机动车发生了碰撞时，装置2的侧面接触电力控制器4的角部。因为装置2的侧面的强度比电力控制器4的强度小，所以装置2先损坏。装置2成为缓冲件，减小了电力控制器4所受的损伤。
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公开(公告)号：CN103370230A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280008618.1
申请日：2012-02-13
IPC: B60R16/04
CPC classification number: B62D21/155 , B60K1/00 , B60R16/04 , B60Y2200/92 , B60Y2306/01
Abstract: 包括作为混合动力车辆（10）的车辆骨架部件的侧面构件（15）、连接2个侧面构件（15）的前横梁（18）、连接在侧面构件（15）上的弹性支承件（16）、配置在PCU（13）的车辆前方侧并经由支承座（23）和固定件（22）安装到前横梁（18）上的辅助电池、安装到前横梁（18）上的散热器（17）、经由发动机支架连接到车辆骨架部件的发动机（11）以及马达壳（12）、从马达壳（12）延伸的车轴（25）、以及经由引导板（19）和连结用的螺栓与马达壳（12）连接的PCU（13）。由此，提供在车辆的碰撞时能够抑制电力控制装置等车辆搭载设备与其他部件碰撞，能够抑制电力控制装置等车辆搭载设备的损伤的车辆设备搭载结构。
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公开(公告)号：CN100505302C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480036076.4
申请日：2004-12-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本分明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。
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公开(公告)号：CN1979859A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610162001.1
申请日：2006-12-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 堀田幸司
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H03K17/567 , H03K17/081 , H03K17/08148 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，它设有主开关元件区域的主电极、传感器开关元件区域的传感器电极、以及形成于主电极与传感器电极之间的保护器件。当主电极与传感器电极之间产生预定电位差时，保护器件使主电极与传感器电极电连接。这种半导体器件可以处理超额的电压，例如传感器电极与栅极之间产生的ESD，同时还可以防止栅极驱动损耗增大。
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公开(公告)号：CN1316628C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410074196.5
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/58
Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。
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