公开(公告)号：CN100547734C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200680017368.2

申请日：2006-05-02

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人三重大学

Inventor： 平松和政 ,  三宅秀人 ,  土田良彦 ,  小野善伸 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明提供一种第3-5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3-5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3-5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3-5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。

公开(公告)号：CN101014682A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580028879.X

申请日：2005-08-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田恭太 ,  小广健司 ,  土田良彦

IPC: C09K11/77 ,  C09K11/08 ,  C09K11/55 ,  C09K11/57 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/66 ,  C09K11/54 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/0883 ,  C09K11/54 ,  C09K11/55 ,  C09K11/576 ,  C09K11/625 ,  C09K11/643 ,  C09K11/663 ,  C09K11/77 ,  H01L33/502

Abstract: 一种荧光物质，其特征在于包含由式M1aM2bNc表示的化合物组成的基质晶体，其中M1是选自Mg、Ca、Sr、Ba和Zn的至少一种元素，M2是选自Al、Ga和In的至少一种元素，并且c＝(2a/3)+b，0＜a和0＜b；其中包含选自稀土金属、Zn和Mn的至少一种元素作为活化剂。

公开(公告)号：CN101595250A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003324.3

申请日：2008-01-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 土田良彦 ,  秦雅彦

IPC: C30B29/40 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/45585 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种用于制备第III－V族化合物半导体的方法，所述方法包括如下步骤：将第III族原料、第V族原料、载气以及必要时的其它原料供给到反应器中，以在所述反应器中的基板上通过有机金属气相外延法生长第III－V族化合物半导体，其中将所述第III族原料和所述第V族原料独立地供给到所述反应器中，并且将卤化氢与除所述第V族原料以外的原料或所述载气一起供给到所述反应器中。

公开(公告)号：CN101449401A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018826.9

申请日：2007-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 广山雄一 ,  秦雅彦 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  F21S2/00

CPC classification number: G02B6/0068 ,  G02B6/0025 ,  G02B6/0046 ,  G02B6/0051 ,  G02B6/0073 ,  H01L27/156 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/5036

Abstract: 本发明提供色调的稳定性优越，同时，还能够调节色调，且适合微细化的单片发光设备及使用了其的照明装置及其驱动方法。单片发光设备是多个发光二极管以单片阵列配置于单一基板上而成的照明用单片发光设备，所述发光二极管从具有pn结的半导体材料及该半导体输出光，并且，设置有含有用于吸收该光的一部分或全部，变换为不同的波长的光的荧光体的层，其中，所述阵列包括：由m个(m≥2)所述发光二极管构成的发光二极管群组，该发光二极管群组包括：各自具有预先规定的N种(N≥2，但N≤m)发光光谱形状的任一种的N种发光二极管，通过按根据发光光谱形状的种类分组的发光二极管组改变向所述发光二极管的供给电力量，能够改变自所述阵列整体的平均发光光谱。

公开(公告)号：CN101263213A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033992.1

申请日：2006-09-15

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 户田健司 ,  佐藤峰夫 ,  上松和义 ,  米野宪 ,  小广健司 ,  土田良彦

IPC: C09K11/79 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/78 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7741 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/778 ,  C09K11/7787 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7792 ,  C09K11/7794 ,  H01L33/502

Abstract: 本发明提供一种磷光体，所述磷光体能够提供在实践上提高主要为显色性的发光特性的发光器件。所述磷光体的特征在于包含由式aM1O－bM22O3－cM3O2表示的化合物，其中M1表示选自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一种元素，M2表示选自Al、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一种元素，M3表示选自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和Hf中的至少一种元素，a是不小于8且不大于10的值，b是不小于0.8且不大于1.2的值，并且c是不小于5且不大于7的值；并且具有至少一种元素作为活化剂，所述至少一种元素选自稀土元素、Mn、Bi和Zn，并且结合到所述化合物中。

公开(公告)号：CN101218688A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024736.6

申请日：2006-07-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  上田和正 ,  笠原健司 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种基板及半导体发光元件。基板形成具有曲面的凸部而成。半导体发光元件包括形成具有曲面的凸部而成的基板和在基板上的半导体层。