公开(公告)号：CN101842904B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880113516.X

申请日：2008-10-29

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 松室智纪 ,  笠原健司 ,  西冈幸也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0005

Abstract: 提供一种薄膜有源元件组，其提高有机薄膜晶体管组的制造简便性，并进一步抑制制造成本。该薄膜有源元件组具有驱动有源元件和开关有源元件，所述驱动有源元件在源极电极及漏极电极之间的通道区域形成半导体的通道层而构成，所述开关有源元件在源极电极及漏极电极之间的通道区域形成半导体的通道层而构成、且用于通断上述驱动有源元件的开关有源元件，上述驱动有源元件及上述开关有源元件，互相在通道宽度的方向上形成间隔地形成，以上述驱动有源元件的上述通道区域所属的直线和上述开关有源元件的上述通道区域所属的直线呈平行的状态地形成上述驱动有源元件及上述开关有源元件。

公开(公告)号：CN102835187A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180012571.1

申请日：2011-03-04

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  清水诚也 ,  仓田知己

IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L31/10 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/525 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/107 ,  H01L51/5246

Abstract: 本发明提供一种电气装置及其制造方法，所述电气装置具有：支承基板(12)；在支承基板(12)上设定的密封区域内设置的电路(14)；包围密封区域且设置在支承基板(12)上的密封构件(16)；隔着密封构件(16)贴合于支承基板(12)的密封基板(17)；配置在支承基板(12)与密封基板(17)之间的间隔件(23)。电路(14)具备具有有机层的电子元件(24)，密封构件(16)和间隔件(23)使用相同的材料形成。

公开(公告)号：CN101821840A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880110811.X

申请日：2008-10-09

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司

IPC: H01L21/336 ,  H05B33/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/0274 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78633 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供一种薄膜有源元件，其具备：透光性基板；形成于基板上的遮光性源电极/遮光性漏电极；形成于遮光性源电极/遮光性漏电极所属的平面上，并与遮光性源电极/遮光性漏电极之间隔着间隙而配置的透光性源电极/透光性漏电极；形成于遮光性源电极/遮光性漏电极与透光性源电极/透光性漏电极之间的间隙的通道层；以及对形成于间隙的通道层施加电场的栅电极。

公开(公告)号：CN101432850A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780008086.0

申请日：2007-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  笠原健司

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明涉及III－V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(I－1)～(I－6)：(I－1)在衬底基板上配置无机粒子；(I－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I－3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I－4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I－5)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(I－6)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II－1)～(II－7)：(II－1)在衬底基板上配置无机粒子；(II－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II－3)去除无机粒子；(II－4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II－5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II－6)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(II－7)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。

公开(公告)号：CN107430065A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019642.3

申请日：2016-03-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山本大贵 ,  山本武继 ,  笠原健司

IPC: G01N21/21 ,  G01B11/06 ,  G01N21/27 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种测定方法，所述方法对依次具有基底基板、吸收层及被测层的层叠基板进行测定，被测层具有单一或多层被测单层，所述方法具有下述步骤：通过从被测层所处的这侧照射包含波长短于界限波长的光的入射光、并测定反射光，从而取得界限波长以下的波长中的相互独立的2n(n为被测层中包含的被测单层的层数，为1以上的整数)个以上的反射光关联值的步骤，以及，使用2n个以上的反射光关联值，针对被测层中包含的各被测单层，计算与被测单层有关的值的步骤；作为界限波长，使用将吸收层的消光系数k以波长λ(单位为nm)的函数k(λ)的形式表示时的一次微分dk(λ)/dλ的绝对值成为消光微分界限值以下的波长范围内的最大波长。

公开(公告)号：CN107078034A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059596.5

申请日：2015-11-06

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山田永 ,  山本大贵 ,  笠原健司

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其中，在使用外延生长法在Si基板上形成III族氮化物半导体层的情况下，满足该III族氮化物半导体层要求的耐电压等特性，并且，在确保薄膜电阻等物性值的面内均匀性的同时翘曲量小。本发明提供一种半导体基板，其中，硅基板上的氮化物晶体层具有：反应抑制层，抑制硅原子与III族原子的反应；应力产生层，产生压缩应力；以及活性层，形成电子元件，反应抑制层、应力产生层以及活性层从硅基板侧起按反应抑制层、应力产生层、活性层的顺序配置，应力产生层具有：第1晶体层，块状晶体状态下的晶格常数为a1；以及第2晶体层，位于与所述第1晶体层的活性层侧相接的位置，且块状晶体状态下的晶格常数为a2(a1＜a2)。

公开(公告)号：CN102668708A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080042958.7

申请日：2010-09-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  清水诚也

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5092 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5231 ,  H01L51/524

Abstract: 本发明提供有机EL装置。该有机EL装置具有：第1基板、在上述第1基板上配置的阳极、在上述阳极上配置的发光层、由绝缘材料形成并且划分上述发光层的隔壁、覆盖上述发光层并且在隔壁上延伸的阴极、和隔着密封构件在上述第1基板重叠的第2基板，上述阴极具有多层膜结构，该多层膜结构具有向上述发光层注入电子的电子注入层和至少一个导电层，上述电子注入层覆盖上述发光层，至少一个导电层覆盖上述电子注入层。

公开(公告)号：CN101218688B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200680024736.6

申请日：2006-07-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  上田和正 ,  笠原健司 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种基板及半导体发光元件。基板形成具有曲面的凸部而成。半导体发光元件包括形成具有曲面的凸部而成的基板和在基板上的半导体层。

公开(公告)号：CN101884111A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118912.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西冈幸也 ,  松室智纪 ,  笠原健司

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种控制基板，其中，包含：基板主体、在基板主体的厚度方向的一个表面上设置的基底层、和在所述基底层的与所述基板主体相反一侧的表面上设置的且将电导通与不导通进行切换的开关元件，所述开关元件具有在所述基底层的与所述基板主体相反一侧的表面上通过涂布法形成的电极，所述基底层由如下所述的构件形成，所述构件与电极的胶粘性，比在基板主体的基底层侧的表面上通过涂布法形成电极时的电极与基板主体的胶粘性高。

公开(公告)号：CN101647320B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200880010127.4

申请日：2008-03-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0001 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明提供一种具有作为晶体管元件的有机薄膜晶体管的有机薄膜晶体管基板的制造方法，以提供可用更少工序形成堤坝的制造方法为目的。根据本发明的有机薄膜晶体管基板的制造方法，其中该有机薄膜晶体管基板在基板上的第1区域形成有机薄膜晶体管，具有与第1区域邻接并用于形成发光元件的第2区域，在第2区域的周缘部形成了堤坝部，该制造方法包括：第1工序，在基板上的第1区域形成有机薄膜晶体管，同时一直到第2区域都形成此有机薄膜晶体管所具有的栅绝缘层及有机半导体层中的至少一层，在第2区域上形成由形成在该区域上的叠层结构构成的堤坝前驱体层；以及第2工序，去除堤坝前驱体层中的周缘部以外的区域，形成由残存的堤坝前驱体层构成的堤坝部。