公开(公告)号：CN102782809A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180012720.4

申请日：2011-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  秋田胜史 ,  石塚贵司

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  C30B25/10 ,  C30B29/40 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L21/0262 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种包含含锑层，能够以减少导致良率大幅下降的凸状表面缺陷而被有效率地生产，并且能够抑制导致性能降低的杂质污染的外延晶片、光电二极管等。该生产方法特征在于其包括全金属有机气相沉积方法在衬底（1）上生长含锑层（Sb）的步骤；以及在含锑层上生长包括窗口层的无锑层，并且，从含锑层的生长到窗口层的生长结束，在425℃或更大且525℃或更小的生长温度下完成生长。

公开(公告)号：CN105144410A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022894.2

申请日：2014-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柴田馨 ,  秋田胜史 ,  藤井慧 ,  石塚贵司

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14652 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3422 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。

公开(公告)号：CN102203960B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201080003113.7

申请日：2010-07-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  石塚贵司 ,  秋田胜史 ,  永井阳一 ,  田边达也

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，其中能够有效地生长具有许多对量子阱的多量子阱结构并同时确保优异的晶体品质。本发明还提供了通过这种方法制造的半导体器件。本发明制造半导体器件的方法包括形成具有50对以上由III-V族化合物半导体构成的量子阱的多量子阱结构(3)的步骤。在所述形成多量子阱结构(3)的步骤中，通过全金属有机气相淀积法(全金属有机MOVPE法)来形成所述多量子阱结构。

公开(公告)号：CN103503165A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021545.X

申请日：2012-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  藤井慧 ,  石塚贵司 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/109

Abstract: 提供了以下内容：一种光电探测器，其中，在具有近红外区到远红外区中的灵敏度的III-V半导体中，可以以高精度来控制载流子浓度；一种外延晶片，其形成用于光电探测器的材料；以及，一种用于制作外延晶片的方法。本发明提供有：衬底，其包括III-V族化合物半导体；光接收层，其用于接收光；窗口层，其具有比光接收层大的带隙能量；以及，p-n结，其至少被定位在光接收层处；并且特征在于，窗口层表面的均方根表面粗糙度为10nm或更大且40nm或更小。

公开(公告)号：CN103403884A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010022.5

申请日：2012-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035209 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/68 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提供一种光电二极管等，该光电二极管可以在1.5μm至1.8μm的近红外波长范围内具有足够高的灵敏度并且可以具有低暗电流。根据本发明的光电二极管（10）包括：缓冲层（2），其设置为与InP衬底（1）的顶部相邻并与之接触；和吸收层（3），其位于缓冲层上并与之接触。吸收层包括50或更多个对，其中第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）构成一对，第一半导体层（3a）具有0.73eV或更小的带隙能量，第二半导体层（3b）具有比第一半导体层（3a）的带隙能量大的带隙能量。第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）形成应变补偿量子阱结构，并且每层都具有不小于1nm且不大于10nm的厚度。

公开(公告)号：CN102612758A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201180004431.X

申请日：2011-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  中幡英章 ,  猪口康博 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。