公开(公告)号：CN101258606B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200680032460.6

申请日：2006-08-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 张建六

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78603

Abstract: 在本发明中，在塑料膜衬底(1)上形成薄膜晶体管，在所述塑料膜衬底(1)的面内方向中具有热收缩率或热膨胀系数的各向异性。形成沟道，使得所述衬底的热收缩率或热膨胀系数最大的方向(7)不平行于流过该薄膜晶体管的电流的方向(8)。于是，提供了在塑料膜衬底上形成的具有稳定且一致的电学特性的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101583558A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200880002540.6

申请日：2008-01-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 香取笃史 ,  张建六

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0086

Abstract: 一种具有彼此电绝缘的多个导电区域的结构部件，其中，所述多个导电区域通过连续的氧化区域彼此电绝缘，并且，所述氧化区域各由氧化物形成，所述氧化物由其中形成有多个通孔或沟槽的材料制成。

公开(公告)号：CN102933319B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180027518.9

申请日：2011-06-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 秋山贵弘 ,  张建六

IPC: B06B1/06

CPC classification number: H02N1/08 ,  B06B1/067 ,  G01N29/00 ,  G01N29/2418 ,  G01N2291/101 ,  H02N1/00 ,  H02N11/002

Abstract: 为了提出具有高的S/N比的机电换能器装置，一种机电换能器装置包括：第一基板；二维地排列于第一基板的前表面上并被配置为提供声波与电信号之间的转换的机电换能器元件；作为与第一基板的后表面电连接的第二基板的电气布线基板；被设置在第一基板与第二基板之间的第一声学匹配层；被布置于第二基板的后表面上的声学衰减部件；和被设置在第二基板与声学衰减部件之间的第二声学匹配层。

公开(公告)号：CN102046515B8

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN200980119872.7

申请日：2009-05-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 香取笃史 ,  张建六 ,  高木诚

IPC: H01L21/027 ,  B81B3/00

Abstract: 一种具有相互电绝缘的多个导电区域的结构包括在导电区域的上面之上可动地支撑的可动件，所述可动件具有与所述导电区域相对的电极，所述结构被构建为能够通过所述导电区域的下面来发射和接收电信号，所述多个导电区域通过相继连接的氧化区域被绝缘，所述氧化区域由具有通孔或沟槽的材料的氧化物形成。

公开(公告)号：CN102015127B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200980115089.3

申请日：2009-04-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 张建六

IPC: B06B1/02 ,  B81B3/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0114

Abstract: 在电容型机电变换器的制造方法中，在基板(4)上形成第一电极(8)，在第一电极(8)上形成具有引向第一电极的开口(6)的绝缘层(9)，并且，在绝缘层上形成牺牲层。在牺牲层上形成具有第二电极(1)的膜片(3)，并且，在膜片中设置作为蚀刻剂入口的孔径。蚀刻牺牲层以形成空腔(10)，并且然后密封用作蚀刻剂入口的孔径。通过经由开口(6)和膜片的孔径使电流在第一电极(8)和外部设置的对电极之间流动的电解蚀刻，来执行蚀刻。

公开(公告)号：CN101548367B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200780045098.0

申请日：2007-11-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 张建六

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969

Abstract: 提供蚀刻方法，其中能对包括镓和锌的至少一种与铟的非晶氧化物半导体膜进行选择性蚀刻。在该蚀刻方法中，使用碱性蚀刻溶液进行该选择性蚀刻。该碱性蚀刻溶液尤其含有特定浓度范围的氨。

公开(公告)号：CN101496183B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200780028762.0

申请日：2007-07-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 张建六

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L29/78693 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供含有Ga和Zn中至少一种和In的非晶氧化物层的蚀刻方法，其包括使用含有乙酸、柠檬酸、盐酸和高氯酸中任一种的蚀刻剂蚀刻该非晶氧化物层。

公开(公告)号：CN102076428A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124101.7

申请日：2009-06-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 江崎隆博 ,  张建六 ,  添田康宏 ,  玉森研尔

IPC: B06B1/02

CPC classification number: H01L23/5226 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0257 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种元件阵列，包括多个具有第一电极和第二电极的元件，在第一电极和第二电极之间具有空隙；通过凹槽对于每个元件分离第一电极，绝缘的连接衬底与第一电极接合，以及从对于每个元件分离的各个第一电极中的每一个第一电极穿过连接衬底到与第一电极相对的一侧地形成布线。

公开(公告)号：CN101123194A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710140773.X

申请日：2007-08-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 张建六

IPC: H01L21/465

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供了含有至少In、Ga和Zn的氧化物半导体膜的干蚀刻法，其包括在含有卤素基气体的气氛中蚀刻氧化物半导体膜。