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公开(公告)号：CN1215968C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02803671.9
申请日：2002-01-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/308 , C23F13/14
CPC classification number: H01L21/30604 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C1/00801 , B81C2201/0107 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , C23F13/14
Abstract: 一种在制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层(8)。
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公开(公告)号：CN103991838A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410056864.5
申请日：2014-02-19
Applicant: 法国原子能及替代能源委员会
Inventor： 埃里克·奥利耶
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00515 , B81C1/00206 , B81C1/00412 , B81C1/00626 , B81C2201/0114 , B81C2201/0115 , B81C2201/038
Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括多孔表面的微米和/或纳米机械结构的方法。该方法包括由包含支撑基板和牺牲层的元件开始的以下步骤：a）形成第一层，所述第一层的至少一部分是多孔的，b）在所述第一层上形成提供结构的机械特性的由一种（或多种）材料制成的层，称为中间层，c）在所述中间层上形成第二层，所述第二层的至少一部分是多孔的，d）在由所述第一层、中间层和第二层构成的堆叠中形成所述结构，e）通过至少部分地去除所述牺牲层来剥离所述结构。
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公开(公告)号：CN103189305A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052447.8
申请日：2011-08-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C25D11/022 , B81C1/00071 , B81C2201/0114 , C25D7/04 , C25D11/26 , C25D11/34
Abstract: 通过使用反馈系统，以受控方式闭合或打开诸如纳米沟道和纳米孔的纳米流体通路。在存在电解质的通路内生长或去除氧化物层，直到通路达到选定尺寸或者通路被闭合。在制造期间测量纳米流体通路的尺寸变化。流过通路的离子电流水平可被用来确定通路尺寸。可通过对元件之间的流体通路的选择性氧化而控制流过流体元件的阵列的流体流。
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公开(公告)号：CN1495293A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03156788.6
申请日：2003-09-12
Applicant: PTS公司
CPC classification number: B82Y30/00 , B81C1/00476 , B81C1/00801 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , B81C2201/0139 , B81C2201/053
Abstract: 本发明涉及一种微机电结构，其通过在基片上沉积牺牲材料和结构材料而在一个电附着于基片的部件上形成一个结构层来形成。该结构层的电位高于该部件的电位。至少部分结构材料用保护材料覆盖，该保护材料的电位低于或等于部件的电位。该牺牲材料用一种脱除溶液去除。至少部分保护材料和脱除溶液经过表面活性剂处理，该表面活性剂对该部件的一个表面起作用。
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公开(公告)号：CN102272355A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153351.3
申请日：2009-12-08
Applicant: 南澳大利亚大学
Inventor： 杜桑·洛西克
IPC: C25C3/00 , C25C5/00 , C25D1/16 , C25B9/06 , C25C7/00 , H01M4/04 , C25C3/06 , C25D1/00 , C25C3/20 , C25D1/08
CPC classification number: C25D1/08 , B81C1/00047 , B81C2201/0114 , B81C2201/0115 , C25D1/00 , C25D1/006 , C25D11/02 , C25D11/045
Abstract: 一种制备多孔金属氧化物或准金属氧化物材料的方法，该方法包括：提供一阳极基底，包括金属或准金属基底；提供一阴极基底；用酸电解液将所述阳极基底和所述阴极基底连通，以形成一电化学电池；向所述电化学电池应用一电信号；和通过以下方式，在所述金属或准金属基底形成具有一定形状的孔：(a)随时间改变所述电信号的应用电压，以形成一电压循环，该电压循环包括施加最小电压的最小电压期，施加最大电压的最大电压期，及介于所述最小电压期和所述最大电压期之间的过渡期，其中在该过渡期内，电压从所述最小电压迅速增至所述最大电压，或者(b)随时间改变所述电信号的电流，以形成一电流循环，该电流循环包括施加最小电流的最小电流期、施加最大电流的最大电流期、及介于所述最小电流期和所述最大电流期之间的过渡期，其中在该过渡期内，电压从所述最小电流迅速增至所述最大电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1620402A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN03802613.9
申请日：2003-01-16
Applicant: “德默克里托斯”国家科学研究中心 , 阿多拉·G·那斯阿普罗
Inventor： 阿多拉·G·那斯阿普罗 , 格里哥里斯·卡查斯 , 第密特罗斯·尼古劳斯·帕哥尼斯
CPC classification number: B81C1/00071 , B81B2201/058 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C2201/0114 , B81C2201/0115 , G01F1/6845 , G01K7/028
Abstract: 本发明提供一种基于两个系列的集成热电偶(6和7)的使用的、性能改进的、微型化的硅热流传感器，所述集成热电偶(6和7)位于一个加热器(4)的两侧，它们都集成在一多孔硅薄膜(2)上，该多孔硅薄膜(2)位于一个孔(3)的顶部。其下有孔(3)的多孔硅薄膜(2)为所述传感器元件提供非常好的热隔离，这使得将所述加热器(4)保持在一个特定温度所需的功率非常低。其下有一个孔(3)的多孔硅薄膜(2)的形成过程是一个两步式单电化学过程，它以这样一个事实为基础，即阳极电流相对低时，我们处于多孔硅的形成状态，当此电流超过某个值时，我们就转到电抛光状态，所述过程以一低电流开始以形成多孔硅(2)，然后它被转到电抛光条件来形成位于其下的孔(3)。在此对采用所提出的方法的不同类型的热传感器装置，如流传感器，空气传感器，红外检测器，湿度传感器和热电功率发生器进行了描述。本发明还提供一种采用与形成多孔硅(17)和孔(16)相同的技术形成微射流通路(16)的方法。
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公开(公告)号：CN1496333A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN02803671.9
申请日：2002-01-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/308 , C23F13/14
CPC classification number: H01L21/30604 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C1/00801 , B81C2201/0107 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , C23F13/14
Abstract: 一种在制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层(8)。
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公开(公告)号：CN103991838B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410056864.5
申请日：2014-02-19
Applicant: 法国原子能及替代能源委员会
Inventor： 埃里克·奥利耶
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00515 , B81C1/00206 , B81C1/00412 , B81C1/00626 , B81C2201/0114 , B81C2201/0115 , B81C2201/038
Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括多孔表面的微米和/或纳米机械结构的方法。该方法包括由包含支撑基板和牺牲层的元件开始的以下步骤：a）形成第一层，所述第一层的至少一部分是多孔的，b）在所述第一层上形成提供结构的机械特性的由一种（或多种）材料制成的层，称为中间层，c）在所述中间层上形成第二层，所述第二层的至少一部分是多孔的，d）在由所述第一层、中间层和第二层构成的堆叠中形成所述结构，e）通过至少部分地去除所述牺牲层来剥离所述结构。
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公开(公告)号：CN102015127B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200980115089.3
申请日：2009-04-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 张建六
IPC: B06B1/02 , B81B3/00 , H01L21/306
CPC classification number: B06B1/0292 , B81B2201/038 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/00476 , B81C2201/0114
Abstract: 在电容型机电变换器的制造方法中，在基板(4)上形成第一电极(8)，在第一电极(8)上形成具有引向第一电极的开口(6)的绝缘层(9)，并且，在绝缘层上形成牺牲层。在牺牲层上形成具有第二电极(1)的膜片(3)，并且，在膜片中设置作为蚀刻剂入口的孔径。蚀刻牺牲层以形成空腔(10)，并且然后密封用作蚀刻剂入口的孔径。通过经由开口(6)和膜片的孔径使电流在第一电极(8)和外部设置的对电极之间流动的电解蚀刻，来执行蚀刻。
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公开(公告)号：CN1495293B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN03156788.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 阿尔特拉公司
CPC classification number: B82Y30/00 , B81C1/00476 , B81C1/00801 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , B81C2201/0139 , B81C2201/053
Abstract: 本发明涉及一种微机电结构，其通过在基片上沉积牺牲材料和结构材料而在一个电附着于基片的部件上形成一个结构层来形成。该结构层的电位高于该部件的电位。至少部分结构材料用保护材料覆盖，该保护材料的电位低于或等于部件的电位。该牺牲材料用一种脱除溶液去除。至少部分保护材料和脱除溶液经过表面活性剂处理，该表面活性剂对该部件的一个表面起作用。
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