含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法

    公开(公告)号:CN118620392A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410255911.2

    申请日:2024-03-06

    Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供含有使上层抗蚀剂的感度、LWR、分辨度改善,对图案崩塌防止有贡献的热硬化性含硅材料的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物,含有为聚硅氧烷树脂的缩合反应型热硬化性含硅的材料(Sx),其特征为:该材料具有会和自由基化学物种进行反应的非缩合反应性有机基团,该树脂中含有超过0且为70mol%以下的下述通式(Sx‑4)表示的重复单元或通式(Sx‑5)表示的重复单元中任一者以上,且该有机基团在聚硅氧烷树脂的热硬化反应后仍为未反应的状态而残留。#imgabs0#

    硅化合物的制备方法及硅化合物

    公开(公告)号:CN111057088A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201910984985.9

    申请日:2019-10-16

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法,其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法,其特征在于,在铂类催化剂的存在下,逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体,并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]

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