光掩模坯料及其制造方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103376642B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201310150443.4

    申请日:2013-04-26

    Inventor: 深谷创一

    CPC classification number: G03F1/26 G03F1/32 G03F1/50

    Abstract: 本发明提供光掩模坯料及其制造方法。本发明的目的是提供一种光掩模坯料,其中存在很少的翘曲并且其中在光掩模制造工序结束后翘曲变化量也小。首先,沉积相移膜(S101),接着,在260℃至320℃的温度范围内对所述相移膜进行热处理四小时以上(S102),并且然后在其上进行闪光照射处理(S103)。在上述处理后在所述相移膜上沉积遮光膜(S104),由此获得光掩模坯料(S105)。

    光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法

    公开(公告)号:CN103424980B

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201310182376.4

    申请日:2013-05-16

    CPC classification number: G03F1/26 G03F1/30 G03F1/54 G03F1/80

    Abstract: 本发明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。设置在透明衬底(1)上的遮光膜(2)具有单层结构或多层结构,至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外,该遮光膜(2)的光学浓度为2以上且4以下并且具有防反射功能。构成遮光膜(2)的由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此,将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻,能够以高精度进行图案转印。

    光掩模坯
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105425534A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510575349.2

    申请日:2015-09-11

    Abstract: 光掩模坯包括含有选自由氮、氧、碳和氢组成的组中的至少一种的铬系材料膜作为硬掩模膜,其中每单位膜厚度的蚀刻速率之比(A/B)在0.7-0.9的范围内,并且该铬系材料膜具有对应于70nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有耐蚀刻性提高并且膜应力降低的铬系材料的薄膜的光掩模坯。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。

    光掩模坯料的制造方法及光掩模坯料

    公开(公告)号:CN104280998A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201410314410.3

    申请日:2014-07-03

    Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料的制造方法及光掩模坯料,提高构成光掩模坯料的光学膜的特性的面内均一性。在腔室(50)内将在主面形成有光学膜(20)的石英基板(10)载置于基座(30)上。在灯罩(90)内收纳有闪光灯(60),闪光通过2个石英板(70a、70b)而向光学膜(20)照射。在2个石英板(70a、70b)中的石英板(70b)的表面形成有透射率调整区域(80),向光学膜(20)照射的光量在面内具有分布。如果对光学膜(20)照射闪光,则该光学膜(20)的光学特性依赖于接受到的照射能量而变化,因此,例如在成膜后的光学膜的特性在面内具有不均一分布的情况下,如果向光学膜照射具有消除这些的照射能量分布的闪光,则可以提高光学膜的特性的面内均一性。

    光掩模坯料
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108572509B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN201810188726.0

    申请日:2018-03-08

    Abstract: 本发明涉及光掩模坯料,该光掩模坯料具有在透明衬底上的任选第一膜、第二膜、第三膜和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成,该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由含铬材料形成,该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。在氯基干法刻蚀时,第四膜的刻蚀完成时间比第二膜的刻蚀完成时间长。

    半色调相移光掩模坯料
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108572510B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN201810188719.0

    申请日:2018-03-08

    Abstract: 本发明涉及半色调相移光掩模坯料,该半色调相移光掩模坯料具有在透明衬底上的用作半色调相移膜的第一膜、用作遮光膜的第二膜、用作硬掩模膜的第三膜、和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成,该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由无硅的含铬材料形成,该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。

    光掩模坯料
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108572509A

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201810188726.0

    申请日:2018-03-08

    Abstract: 本发明涉及光掩模坯料,该光掩模坯料具有在透明衬底上的任选第一膜、第二膜、第三膜和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成,该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由含铬材料形成,该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。在氯基干法刻蚀时,第四膜的刻蚀完成时间比第二膜的刻蚀完成时间长。

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