一种直线驱动装置及应用该装置的半导体处理设备

    公开(公告)号:CN102464278A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010532049.3

    申请日:2010-10-29

    Abstract: 本发明提供一种直线驱动装置,其包括相互连接的中心轴、安装连接部、波纹管、导向连接部、直线动力源以及支撑杆;其中,中心轴在导向连接部及支撑杆的配合作用下进行高精度的直线往复运动,波纹管则用于使中心轴所处的密闭腔室与外界保持密封。由于上述支撑杆及导向连接部均被波纹管隔离在密闭腔室的外部而不会与密闭腔室发生相互影响,从而可有效避免导向部件的润滑物对密闭腔室造成污染的问题,同时也可避免密闭腔室内的高温及真空环境对导向部件的精度及使用寿命产生影响的问题,因而使本发明提供的直线驱动装置具有导线精度高及使用寿命长的优点。此外,本发明还提供一种应用上述直线驱动装置的半导体处理设备。

    一种接地/支撑装置及应用该装置的等离子体处理设备

    公开(公告)号:CN102108503A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200910241850.X

    申请日:2009-12-10

    Inventor: 刘旭 姚立强

    Abstract: 本发明提供一种用于等离子体处理设备的载板接地/支撑装置,包括刚性的支撑柱、载板接触部和弹性部件。其中,载板接触部位于支撑柱的顶端,用以对所述等离子体处理设备中的载板进行支撑并使其电接地;弹性部件在压力作用下其高度可在弹性范围内发生变化,从而使接地/支撑装置的整体高度发生变化。此外,本发明还提供一种等离子体处理设备,包括工艺腔室、设置于工艺腔室内的载板以及设置于载板下方的多个上述本发明提供的接地/支撑装置。本发明提供的接地/支撑装置及等离子体处理设备能够克服载板不共面等的问题,对载板进行有效的接地和支撑。

    一种支撑装置及应用该装置的等离子体处理设备

    公开(公告)号:CN102108503B

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN200910241850.X

    申请日:2009-12-10

    Inventor: 刘旭 姚立强

    Abstract: 本发明提供一种用于等离子体处理设备的载板支撑装置,包括刚性的支撑柱、载板接触部和弹性部件。其中,载板接触部位于支撑柱的顶端,用以对所述等离子体处理设备中的载板进行支撑并使其电接地;弹性部件可在压力作用下借助自身弹性而调节自身的高度,以保证在使用多个所述支撑装置支撑所述载板时,各个支撑装置均能与所述载板保持良好的接地和支撑。此外,本发明还提供一种等离子体处理设备,包括工艺腔室、设置于工艺腔室内的载板以及设置于载板下方的多个上述本发明提供的支撑装置。本发明提供的支撑装置及等离子体处理设备能够克服载板不共面等的问题,对载板进行有效的接地和支撑。

    磁控源,磁控溅射设备和磁控溅射方法

    公开(公告)号:CN102560395A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201010613102.2

    申请日:2010-12-29

    CPC classification number: C23C14/35 H01J37/3408 H01J37/3455 H01J37/347

    Abstract: 本发明公开了磁控源,磁控溅射设备和磁控溅射方法。磁控源包括:靶材;位于靶材上方的磁控管;与磁控管相连以控制磁控管在靶材上方移动的扫描机构;扫描机构包括:桃形轨道,磁控管可移动地设置在桃形轨道上;与桃形轨道的极坐标原点相连,所述第一驱动轴用于驱动桃形轨道绕第一驱动轴的轴线转动的第一驱动轴;与第一驱动轴相连,所述第一驱动器用于驱动第一驱动轴转动的第一驱动器;和用于通过传动组件驱动所述磁控管沿桃形轨道移动的第二驱动器。本发明的磁控源,一方面由第一驱动器驱动桃形轨道转动,另一方面通过第二驱动器控制磁控管沿桃形轨道的运动速度,从而可以提高靶材的利用率并能达到较理想的靶材刻蚀效果,且具备高金属离化率。

    磁控源和磁控溅射设备、以及磁控溅射方法

    公开(公告)号:CN102400106A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201010277532.1

    申请日:2010-09-08

    Abstract: 磁控源和磁控溅射设备、以及磁控溅射方法,本发明公开了一种磁控源,包括:靶材;磁控管,所述磁控管位于所述靶材之上;和控制所述磁控管移动的扫描机构,所述扫描机构包括:轨道,所述磁控管沿所述轨道确定的方向可移动;第一驱动机构,所述第一驱动机构与所述轨道相连以驱动所述轨道在与所述靶材平行的平面上旋转;和第二驱动机构,所述第二驱动机构相对于所述第一驱动机构独立,所述第二驱动机构驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向移动。通过本发明实施例可以分别对轨道的转动角速度和磁控管在由轨道确定的方向上的移动速度进行控制,从而能够提高靶材利用率,并且增加单位面积上的功率密度以提高金属离化率。

    一种磁控溅射源及磁控溅射设备

    公开(公告)号:CN103255382A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201210038271.7

    申请日:2012-02-20

    Inventor: 李杨超 刘旭

    Abstract: 本发明提供一种磁控溅射源及磁控溅射设备,磁控溅射源包括靶材、固定件、磁控管以及驱动机构,靶材和驱动机构固定在固定件上,磁控管与驱动机构连接,而且磁控管紧靠靶材的表面,在驱动机构的驱动下磁控管对靶材的表面进行扫描,驱动机构包括旋转驱动机构和直线驱动机构,其中:旋转驱动机构用于驱动磁控管在靶材的表面作旋转运动,直线驱动机构用于驱动磁控管在靶材的表面作直线往复运动;在旋转驱动机构和直线驱动机构的共同作用下,磁控管在靶材的表面进行旋转运动的同时作直线往复运动。该磁控溅射源可以准确地控制磁控管的扫描轨迹以及在不同位置的停留时间,从而使靶材均匀腐蚀,提高靶材的利用率。

    基片处理设备及其腔室装置

    公开(公告)号:CN103088288A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201110343642.8

    申请日:2011-11-03

    CPC classification number: C23C14/541 C23C16/46

    Abstract: 本发明公开了基片处理设备及其腔室装置。所述腔室装置包括:腔室本体,其内限定有处理腔室;加热部件,设在所述处理腔室内的顶部;支承台,设在所述处理腔室内用于支撑基片,支承台的上表面与加热部件相对;匀热板,设在处理腔室内且位于石英窗与支承台之间;和透明介质窗,透明介质窗位于加热部件与匀热板之间,透明介质窗的外周沿与腔室本体的内周壁相连以将处理腔室隔成加热部件所处的上部腔室和匀热板所处的用于对基片进行处理的下部腔室。根据本发明实施例的腔室装置,可以将由加热灯产生的热均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片,因此可以实现对基片的均匀加热。

    磁铁及其加工方法和磁控溅射源

    公开(公告)号:CN102456478A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201010523028.5

    申请日:2010-10-22

    Abstract: 本发明涉及一种磁铁及其加工方法和磁控溅射源,其中,加工方法包括:将磁粉加工成型后进行烧结和电镀处理,以得到初始磁铁;在所述初始磁铁外表面套置非磁性的密闭外套;对套置非磁性的密闭外套的所述初始磁铁进行充磁以得到磁铁。在本实施例中,通过将磁铁的外表面密闭套置一层非磁性的密闭外套,以保护磁铁免受外界的气体或液体的腐蚀或污染,同时还可提高磁铁的机械强度和抗冲击能力,从而延长磁铁的使用寿命;并且,将充磁工序设定在完成烧结、电镀和焊接等高温工序之后进行,使充磁得到的磁铁不需要再经历高温工序,从而保持磁铁的磁性的稳定。

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