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公开(公告)号：CN102789938B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110129406.6
申请日：2011-05-18
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种磁控管、磁控管的制造方法及应用上述磁控管的物理沉积室。其中，本发明提供的磁控管包括可绕靶材中心轴旋转的极性方向相反的内磁极和外磁极，内磁极设置于外磁极的内部，在内、外磁极之间形成闭合曲线形的磁场轨道，由中心轴发射出去的任一角度的半径与磁场轨道有且仅有一次相交；磁控管绕中心轴旋转过程中，上述磁场轨道使靶材表面任一单位面积所获得的磁场扫描强度大致相等，从而有效提高靶材的利用率以及工艺的均匀性。利用本发明所提供的磁控管制造方法所制造的磁控管以及本发明提供的物理沉积室同样能够有效提高靶材利用率及工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN103255382B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210038271.7
申请日：2012-02-20
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射源及磁控溅射设备，磁控溅射源包括靶材、固定件、磁控管以及驱动机构，靶材和驱动机构固定在固定件上，磁控管与驱动机构连接，而且磁控管紧靠靶材的表面，在驱动机构的驱动下磁控管对靶材的表面进行扫描，驱动机构包括旋转驱动机构和直线驱动机构，其中：旋转驱动机构用于驱动磁控管在靶材的表面作旋转运动，直线驱动机构用于驱动磁控管在靶材的表面作直线往复运动；在旋转驱动机构和直线驱动机构的共同作用下，磁控管在靶材的表面进行旋转运动的同时作直线往复运动。该磁控溅射源可以准确地控制磁控管的扫描轨迹以及在不同位置的停留时间，从而使靶材均匀腐蚀，提高靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN102560395B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010613102.2
申请日：2010-12-29
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455 , H01J37/347
Abstract: 本发明公开了磁控源，磁控溅射设备和磁控溅射方法。磁控源包括：靶材；位于靶材上方的磁控管；与磁控管相连以控制磁控管在靶材上方移动的扫描机构；扫描机构包括：桃形轨道，磁控管可移动地设置在桃形轨道上；与桃形轨道的极坐标原点相连，所述第一驱动轴用于驱动桃形轨道绕第一驱动轴的轴线转动的第一驱动轴；与第一驱动轴相连，所述第一驱动器用于驱动第一驱动轴转动的第一驱动器；和用于通过传动组件驱动所述磁控管沿桃形轨道移动的第二驱动器。本发明的磁控源，一方面由第一驱动器驱动桃形轨道转动，另一方面通过第二驱动器控制磁控管沿桃形轨道的运动速度，从而可以提高靶材的利用率并能达到较理想的靶材刻蚀效果，且具备高金属离化率。
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公开(公告)号：CN103103482A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110356144.7
申请日：2011-11-10
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种用于驱动磁控管的驱动机构及磁控溅射设备，所述驱动机构包括箱体、旋转运动单元、传动单元以及直线运动单元，所述直线运动单元包括第一齿条、第二齿条、设有第一啮合部和第一非啮合部的第一齿轮以及设有第二啮合部和第二非啮合部的第二齿轮，当所述第一齿条与所述第一齿轮的第一啮合部啮合时，所述第二齿条处于所述第二齿轮的第二非啮合部位置；当所述第二齿条与第二齿轮的所述第二啮合部啮合时，所述第一齿条处于所述第一齿轮的第一非啮合部位置。该驱动机构在旋转运动单元向一个方向旋转的同时使第一驱动轮与第二驱动轮交错地驱动被驱动部件作直线运动，从而提高驱动机构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102994966A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110275874.4
申请日：2011-09-16
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/35 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开了一种磁控源的扫描机构、磁控源和磁控溅射设备。磁控源的扫描机构包括：驱动轴，所述驱动轴上设有第一齿轮；曲柄，所述曲柄的第一端与所述驱动轴相连以由所述驱动轴驱动旋转；第二齿轮，所述第二齿轮与所述第一齿轮啮合；传动部件，所述传动部件具有第三齿轮，所述第三齿轮与所述第二齿轮啮合；和摇杆，所述摇杆的第一端与所述曲柄的第二端可枢转地相连，在所述摇杆的第一端与所述摇杆的第二端之间的位置所述摇杆还与所述传动部件可相对滑动地相连以便所述摇杆同时由所述曲柄和所述传动部件驱动。根据本发明实施例的磁控源的扫描机构可以提高靶材的利用率和靶材刻蚀的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102789938A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110129406.6
申请日：2011-05-18
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种磁控管、磁控管的制造方法及应用上述磁控管的物理沉积室。其中，本发明提供的磁控管包括可绕靶材中心轴旋转的极性方向相反的内磁极和外磁极，内磁极设置于外磁极的内部，在内、外磁极之间形成闭合曲线形的磁场轨道，由中心轴发射出去的任一角度的半径与磁场轨道有且仅有一次相交；磁控管绕中心轴旋转过程中，上述磁场轨道使靶材表面任一单位面积所获得的磁场扫描强度大致相等，从而有效提高靶材的利用率以及工艺的均匀性。利用本发明所提供的磁控管制造方法所制造的磁控管以及本发明提供的物理沉积室同样能够有效提高靶材利用率及工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN102464278B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010532049.3
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种直线驱动装置，其包括相互连接的中心轴、安装连接部、波纹管、导向连接部、直线动力源以及支撑杆；其中，中心轴在导向连接部及支撑杆的配合作用下进行高精度的直线往复运动，波纹管则用于使中心轴所处的密闭腔室与外界保持密封。由于上述支撑杆及导向连接部均被波纹管隔离在密闭腔室的外部而不会与密闭腔室发生相互影响，从而可有效避免导向部件的润滑物对密闭腔室造成污染的问题，同时也可避免密闭腔室内的高温及真空环境对导向部件的精度及使用寿命产生影响的问题，因而使本发明提供的直线驱动装置具有导线精度高及使用寿命长的优点。此外，本发明还提供一种应用上述直线驱动装置的半导体处理设备。
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公开(公告)号：CN103177918A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110448612.3
申请日：2011-12-26
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种磁控管及等离子体加工设备，所述磁控管包括极性相反的内磁极和外磁极，所述内磁极与所述外磁极相互不接触地嵌套在一起，所述内磁极和外磁极在其径向截面上的形状均为螺旋线。该磁控管可以提高靶材的利用率，不仅可以降低等离子体加工设备生产成本，而且可以提高等离子体加工设备的生产效率。
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公开(公告)号：CN103094156A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110349863.6
申请日：2011-11-03
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了基片处理设备及其腔室装置和基片加热方法。所述腔室装置包括：腔室本体，其内限定有处理腔室；设在所述处理腔室内的顶部的加热部件；设在所述处理腔室内用于支承基片的支承台，支承台的上表面与加热部件相对；和匀热板，匀热板在等待位置和匀热位置之间可移动，其中在匀热位置匀热板位于加热部件与支承台之间而在等待位置匀热板离开加热部件与支承台之间。根据本发明实施例的腔室装置，可以将由加热部件产生的热均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片，因此可以实现对基片的均匀加热。
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公开(公告)号：CN102534529A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010621854.3
申请日：2010-12-24
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 刘旭
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射源及应用该磁控溅射源的磁控溅射设备。其中，所述磁控溅射源包括磁控管及驱动装置，所述磁控管和所述驱动装置相连接，所述驱动装置用于驱动所述磁控管以螺旋线形轨迹对整个靶材区域进行扫描。从而在将本发明提供的磁控溅射源应用于磁控溅射工艺中时，能够使靶材各个区域均被有效溅射，以避免靶材上的某些区域不能被充分利用的问题；并且，还可通过调节驱动装置的运行速度而对磁控管在其靶材中心区域和边缘的停留时间进行有效调节，从而使靶材各区域的消耗速率趋于一致，进而有效提高靶材的利用率。本发明提供的磁控溅射设备同样能够有效提高靶材的利用率。
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