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公开(公告)号：CN104112640B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310131017.6
申请日：2013-04-16
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 文莉辉
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射设备及磁控溅射方法，其包括反应腔室、溅射电源和驱动源，在反应腔室内的顶部设置有靶材，溅射电源与靶材电连接，用以在磁控溅射过程中向靶材输出溅射功率；在反应腔室内，且位于靶材的下方设置有基座，用以承载被加工工件；驱动源用于驱动基座上升或下降；而且，磁控溅射设备还包括控制单元，控制单元用于在磁控溅射的过程中控制驱动源驱动基座上升，以使靶材与基座的间距始终保持预定值不变。本发明提供的磁控溅射设备，其通过借助控制单元在磁控溅射的过程中控制驱动源驱动基座上升，以使靶材与基座的间距始终保持预定值不变，可以实现使靶材与基座的间距始终保持在最优值，从而可以提高薄膜均匀性和沉积速率。
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公开(公告)号：CN102485935B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010585727.2
申请日：2010-12-06
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/02 , C30B33/02 , H01L21/203
CPC classification number: C23C16/46 , C23C14/02 , H01L21/67103
Abstract: 本发明提供一种均热板及应用该均热板的基片处理设备，其中，上述均热板包括中心子均热板和至少一个位于中心子均热板外围的外环子均热板，并且在中心子均热板与外环子均热板之间以及在相邻的两个外环子均热板之间均具有隔热部，借助该隔热部能够有效阻止或降低相邻的子均热板之间的热传导。本发明所提供的均热板及应用该均热板的基片处理设备能够有效补偿基片边缘区域的热损失，从而使基片各区域的升温速度保持一致。
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公开(公告)号：CN102945788A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110234741.2
申请日：2011-08-16
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提出一种遮蔽装置，包括：遮蔽盘；托盘，用于承载遮蔽盘，且托盘之中设置有至少一个传感器，所述至少一个传感器用于检测遮蔽盘的状态；和转轴，所述转轴与托盘相连以带动托盘在空余位置和遮蔽位置之间移动。本发明还提出一种半导体处理设备。根据本发明的遮蔽装置能够准确检测遮敝盘在水平面上的任何方向上是否发生偏移，同时能够准确检测遮敝盘是否置于托盘上，还能够防止误判的发生。根据本发明的半导体处理设备，防止遮蔽盘错位对设备带来的损害，防止事故的发生，提高设备安全性。
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公开(公告)号：CN102465268A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010538417.5
申请日：2010-11-08
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提出一种磁控源，包括：靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材上方；和扫描机构，所述扫描机构与磁控管相连以控制所述磁控管围绕所述靶材的中心转动，且所述扫描机构以预设步长阶段性地调整所述磁控管的转动半径，其中，在每个阶段所述扫描机构控制所述磁控管的转动圈数和/或转速以在所述每个阶段对所述靶材刻蚀至预设深度。用户可以通过本发明中对磁控管运动方式的控制实现对磁控管运行轨迹的灵活控制，进而提高靶材利用率和金属离化率。
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公开(公告)号：CN102375175A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010248253.2
申请日：2010-08-06
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 文莉辉
Abstract: 本发明提供一种用于基片加工设备中的均光板，其包括一个透明的透射板以及对应于基片加工设备中的加热装置的位置而设置在透射板上的调光单元。该调光单元可对基片上正对加热装置位置处所受到的光照强度进行调节，并最终使基片得到均匀的升温。本发明同时还提供一种应用上述均光板的基片加工设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104746008B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310745435.4
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/22
Abstract: 本发明公开了一种去气腔室，包括腔室上盖、真空腔室和加热基座，腔室上盖与真空腔室围成封闭空间，加热基座设置于真空腔室内，去气腔室还包括进气管，进气管连接并贯穿加热基座的内部；其通过将进气管设置在加热基座的内部，在晶片背面充入气体，对晶片进行去气工艺，避免了对整个真空腔室充气的过程，减少了晶片在真空腔室的时间，从而缩短了工艺时间，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN104752291A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310750803.4
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 文莉辉
IPC: H01L21/677 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67703 , H01L21/67011 , H01L21/67706
Abstract: 本发明提供一种传输装置及等离子体加工设备，该传输装置用于实现工艺腔室和装卸腔室之间的基片的传送，传输装置包括承载部和旋转驱动机构，其中承载部用于承载基片；旋转驱动机构的驱动轴与承载部相连接，旋转驱动机构用于驱动承载部围绕驱动轴旋转，以使承载部在旋转的过程中可分别位于工艺腔室内设置的预设位置和装卸腔室内设置的取放片位置。本发明提供的传输装置，其可以降低投入成本，从而可以提高经济效益。
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公开(公告)号：CN102375175B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201010248253.2
申请日：2010-08-06
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 文莉辉
Abstract: 本发明提供一种用于基片加工设备中的均光板，其包括一个透明的透射板以及对应于基片加工设备中的加热装置的位置而设置在透射板上的调光单元。该调光单元可对基片上正对加热装置位置处所受到的光照强度进行调节，并最终使基片得到均匀的升温。本发明同时还提供一种应用上述均光板的基片加工设备。
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公开(公告)号：CN102808152A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110147138.0
申请日：2011-06-01
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种用于基片处理设备的加热装置包括：加热灯管，所述加热灯管具有正极和负极且所述加热灯管盘绕成多圈。根据本发明实施例的用于基片处理设备的加热装置可以使得加热面积大且加热均匀。本发明还提供一种具有上述加热装置的腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备。
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公开(公告)号：CN102534522A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010588197.7
申请日：2010-12-09
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射源及磁控溅射设备。其中，磁控溅射源包括磁控管及用于驱动该磁控管的驱动装置；借助该驱动装置可驱动磁控管以任意轨迹对靶材平面进行扫描，从而使靶材各个区域的消耗速率趋于一致，进而大幅提高靶材的利用率。本发明提供的磁控溅射设备中设置有上述本发明提供的磁控溅射源，因而其同样能够大幅提高靶材的利用率。
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