公开(公告)号：CN118338765A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410525485.X

申请日：2024-04-29

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  唐建立 ,  王家宁 ,  金师磊 ,  李树兵 ,  侯张晨 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  龚士静

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10N79/00

Abstract: 本发明公开了一种基于超低晶态电阻Ge‑Te基相变薄膜射频开关阵列及制备方法，所述的射频开关包括衬底、底电极层即加热元件层，相变层、绝缘层、顶电极层即射频传输层、地导体层、钝化层和共地金属连接层。处于相变层之下的加热元件通过经纬线方式有序排布，且利用硅通孔技术向下穿透钝化层，将地导体层地连接。加热元件层和射频传输层通过绝缘层隔开有效避免信号之间相互干扰，提高了整体器件的射频传输性能。

公开(公告)号：CN115528168A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211198007.X

申请日：2022-09-29

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  李明 ,  周鑫 ,  李树兵 ,  侯张晨 ,  王林 ,  崔安阳 ,  张金中 ,  姜凯 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  褚君浩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关及制备方法，所述的射频开关包括衬底，一层相变材料层，一层加热元件层，一层隔热层，一层钝化层和一层射频传输层。处于相变材料层之下的加热元件先向外横向延伸后利用硅通孔技术向下穿透衬底与加热元件的终端电路连接起来，使加热元件终端电路位于加热元件的下方。加热元件终端电路位于相对于相变材料层和射频传输层的不同层间水平，最终实现减少寄生电容的目的，提高了整体器件的射频传输性能。

公开(公告)号：CN114188476A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111391172.2

申请日：2021-11-23

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  李明 ,  周鑫 ,  李树兵 ,  张金中 ,  姜凯 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  褚君浩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关采用四层加工工艺。由下往上分别为加热层、隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，加热方式为间接加热。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关是在已有的成熟硅半导体加工工艺基础上来制作间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关，从而在可以提高相变开关可靠性的同时，使相变开关的制作工艺变得更简单，成本更低且集成度更好。