-
公开(公告)号：CN116707340A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310563515.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 厦门大学 , 厦门磐晟电气设备有限公司
IPC: H02M7/5387 , H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种基于自适应模糊控制的光伏逆变器，包括直流升压电路、全桥逆变电路和逆变控制器；光伏阵列的直流电输出经前级的直流升压电路和后级的全桥逆变电路转换成交流电并入电网；所述逆变控制器包括第一控制器和第二控制器；所述第一控制器为电压电流双闭环结构，包括PI控制器和滞环比较器，用于产生SPWM信号驱动所述全桥逆变电路；所述第二控制器为改进的模糊控制器，改进的模糊控制器的输入为逆变器交流侧电流及所述滞环比较器的开关频率的波动值，通过执行粒子群算法，以设置滞环比较器的当前最优环宽。本发明的光伏逆变器可通过基于粒子群算法的模糊控制来抑制逆变电路开关频率的变化。
-
公开(公告)号：CN116072707A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310089961.3
申请日：2023-02-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法。其中，所述结构包括：金属层、衬底；设置于衬底上部的缓冲区，包括若干缓冲层；设置于缓冲区上部的外延层；设置于外延层上部两侧的P阱区，P阱区中间处形成JFET区；所述P阱区上部设有超结区；所述JFET区上部设置有与JFET区、P阱区、超结区接触的栅氧化层区等。本发明结合多缓冲层，P+/N+超结结构以及栅氧化层区结构的方法；利用多缓冲层的结构转移峰值电场，提高了器件承受宇宙射线的能力，消除器件在N+源区，P阱区以及N‑的BJT器件结构的Krik效应的影响，进而达到提高器件耐辐射特性的效果；利用源极下段的P+/N+的超结结构有效降低接触电阻，降低器件的损耗，同时调控器件的电场分布情况。
-
公开(公告)号：CN119815867A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411915530.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 厦门大学 , 厦门新镓能半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种p型栅结构常关型GaN HEMT器件及制备方法，包括依次生长的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、间隔层和势垒层；势垒层上方设有源极和漏极，源极和漏极之间设有第一凹槽；势垒层、源极、漏极和第一凹槽上方设有AlN层；AlN层上方设有第一CuCrO2层，AlN层、源极、第一CuCrO2层、漏极上方设有第一钝化层，第一钝化层和第一CuCrO2层上侧设有栅极凹槽；第一CuCrO2层上方设有第二CuCrO2层，第二CuCrO2层上方设有栅极；栅极上方设有第二钝化层；第二钝化层上方设有浮空场板；浮空场板上方设有第三钝化层；源极上方设有源极场板；漏极上方设有漏极互联层。本发明解决阈值电压低等问题。
-
公开(公告)号：CN113745333B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111021113.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/36 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开一种含δ掺杂势垒层的常关型氧化镓基MIS‑HEMT器件及其制备方法，其中器件包括衬底和层叠设置在衬底一端面上的缓冲层，其还包括：沟道层、间隔层、δ掺杂层、势垒层、源电极、漏电极、介质层和栅电极；其中，所述δ掺杂层设置在间隔层远离沟道层的端面上，用于避免产生平行导电沟道。本发明采用δ掺杂势垒层结构来代替对整层进行均匀掺杂的势垒层结构，可以避免产生平行导电通道，并克服由其带来的器件跨导和击穿电压降低，射频特性功能下降和开关特性变差等不足。可以减弱陷阱效应，增大沟道中的2DEG浓度，以及提高器件的击穿电压和可靠性。本发明用于实现器件常关操作所采用的凹槽栅刻蚀技术具备工艺成熟、成本低、均匀性和重复性好等优势。
-
公开(公告)号：CN118034450A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410063064.X
申请日：2024-01-16
Applicant: 厦门大学 , 厦门磐晟电气设备有限公司
IPC: G05F1/67
Abstract: 本发明公开了一种改进型扰动观察法的最大功率点追踪算法。其中，所述方法包括：采集光伏输出电压U和光伏输出电流I；以输出电压和输出电流作为梯度算法的输入，扰动观察法的最佳步长α作为梯度算法的输出；把最佳步长α代入扰动观察法，进行扰动观察法流程，寻找最大功率点；循环上述步骤，直至观察结束。本发明基于梯度算法优化扰动观察法：根据经验值所设定固定步长存在许多的经验问题，基于梯度算法优化扰动观察法，将步长进行自适应化就会优化这些由于经验导致的问题，利用梯度算法自适应去寻找该时刻的最佳步长，并不断更新步长的大小，再传递给扰动观察法进行最大功率点追踪。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117855318A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410021349.7
申请日：2024-01-06
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/08 , C23C14/04 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种高响应度自供电日盲光电探测器及其制备方法。其中，所述方法包括：在衬底上沉积β‑Ga2O3薄膜；在β‑Ga2O3薄膜上，通过射频磁控溅射法原位生长CuCrO2薄膜，与CuCrO2薄膜构成异质结。本发明利用射频磁控溅射的方法在β‑Ga2O3薄膜上原位生长CuCrO2薄膜，从而完成了CuCrO2/β‑Ga2O3异质结的制备。本发明省去了制备CuCrO2/β‑Ga2O3异质结光电探测器的光刻和刻蚀等步骤，大大降低了工艺复杂度和制备成本，为大量制备CuCrO2/β‑Ga2O3异质结光电探测器提供了一种简便的方法。此外，采用本发明方法生长出来的CuCrO2薄膜表面致密，且厚度稳定均一。这种高质量的CuCrO2薄膜可以使光生载流子具有较高的迁移率，提高了收集效率，从而使光电探测器的性能更加优异。
-
公开(公告)号：CN117479495A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311416595.4
申请日：2023-10-30
Applicant: 厦门大学 , 厦门磐晟电气设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于模糊PID控制的碳化硅光伏逆变器散热方法。其中，所述方法包括：采集碳化硅光伏逆变器的光伏升压模块、逆变模块以及交流输出模块的温度数据，并根据采集的温度数据通过模糊PID控制对应模块的散热风扇的电流/电压信号，进而调节对应模块的散热风扇的输出功率，最终控制对应模块的散热风扇的转速。本发明采用了模糊PID控制算法来实现对光伏逆变器散热系统的精确控制。模糊PID控制算法能够更好地处理非线性、时变系统，并且对参数变化具有一定的鲁棒性。相比于传统PID控制算法，本申请所采用的模糊PID控制算法提高了风冷散热风扇的控制精度，降低了风冷散热风扇的功耗，减小了转速的波动范围。
-
公开(公告)号：CN117293193A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311264299.7
申请日：2023-09-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种具有AlN势垒层的氧化镓肖特基二极管及制备方法。其中该氧化镓肖特基二极管包括设置于低掺杂外延层与阳极电极区之间AlN势垒层；该AlN势垒层的厚度不大于5nm。在氧化镓和阳极金属之间引入了超薄的AlN势垒层，可使氧化镓和阳极金属界面处形成高浓度自由电子，当器件在正向偏压下工作时，自由电子能够隧穿，从而保持低开启电压。进一步的，该AlN势垒层的厚度不大于5nm，其原因在于厚度过大将导致界面处自由电子浓度降低，且自由电子难以通过势垒层，从而影响器件正向导通性能。
-
公开(公告)号：CN116314259A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310089969.X
申请日：2023-02-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种含稀土栅介质层的超结SiC MOSFET及其制造方法。其中，结构包括：金属层、衬底；设置于衬底上部的P‑pillar区，包括若干间隔设置的P‑pillar；设置于P‑pillar区上部及间隔处的外延层；设置于外延层上部两侧的P阱区，P阱区中间处形成JFET区；所述P阱区上部远离JFET区一侧的边缘位置设置有P+源区，靠近JFET区一侧设置有N+源区；所述JFET区上部设置有与JFET区、P阱区、N+源区接触的栅氧化层区；所述栅氧化层区包括若干稀土栅氧化层等。本发明结合漂移区垂直P/N超结(Super junction)，P+/N+超结结构以及三层稀土栅介质层(Al2O3/Gd2O3/SiO2)结构的方法；利用源极下段的P+/N+超结结构，以及漂移区下端的垂直P/N超结结构有效降低源极接触电阻和器件漂移区电阻，降低器件的导通电阻与器件损耗。
-
公开(公告)号：CN115911097A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211743085.3
申请日：2022-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种用于SiC功率器件的复合终端结构及其制造方法。其中，所述结构包括：形成于N型重掺杂衬底上的N‑漂移区，N‑漂移区上依次设有器件元胞区和器件终端区；器件元胞区包括间隔设置的深P阱区，以及深P阱区与N‑漂移区形成的PN结组成主结；器件终端区包括：P型结终端拓展区、钝化层；该P型结终端拓展区靠近主结一侧间隔设置有若干N+场限环；P型结终端拓展区表面淀积有钝化层，N+场限环远离N‑漂移区一侧设置有刻蚀沟槽。本发明可以增强器件的抗短路能力，在器件处于反向阻断状态时，器件元胞区的PN结和终端结构同时承受耐压，提高器件反向击穿电压，从而使器件更具有可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.031 seconds)
