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公开(公告)号：CN116764076A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310728419.8
申请日：2023-06-19
Applicant: 厦门大学附属翔安医院
IPC: A61M31/00
Abstract: 本发明公开了一种用于鼻息肉切除术后的鼻腔上药装置，应用在鼻腔上药器械技术领域，本发明通过设置涂抹组件，在波纹管的作用下，使得前端涂抹头可以随意调整涂抹角度，以便于适合不同患者的伤口角度，达到灵活使用的效果，并且通过采用药膏式药物，通过前端的涂抹头将药物涂覆在伤口处，能够达到保持药物浓度的效果，提升治疗效果，并且通过支撑部的设置，可以达到对前端涂抹头支撑以及固定的效果，使其能够在鼻腔内稳定进行涂抹工作，提升使用效果，而通过设置给药组件，通过利用活塞推动空气原理，将空气推出，从而使气压将药物推送至前端的涂抹头，达到了便于鼻腔上药的效果。
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公开(公告)号：CN106638330B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710080706.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
Abstract: 本发明提供一种桥墩建筑滑模自升降装置及其方法，包括位于桥墩旁侧的升降液压装置，所述升降液压装置的上下端分别连接有环绕于桥墩外周的上部攀爬台面及下部攀爬台面，所述上部攀爬台面置有用于使上部攀爬台面紧固于桥墩外周的上部锁紧装置，所述下部攀爬台面置有用于使下部攀爬台面紧固于桥墩外周的下部锁紧装置。本发明升降液压装置及锁紧装置带动上部攀爬台面及下部攀爬台面交替锁紧与上升实现建筑操作平台与建筑滑模自升降运动，替代了传统的搭建脚手架构建操作平台，大大提高桥墩及类似的建筑物的施工效率，减少搭建脚手架所用的钢材和时间，节省建筑成本，缩短建筑周期。
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公开(公告)号：CN106865385A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710079529.0
申请日：2017-02-15
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
CPC classification number: B66B9/025 , B66B11/0446
Abstract: 本发明涉及一种立柱攀爬装置及其使用方法，包括环绕立柱的上攀爬组件和下攀爬组件，所述下攀爬组件上均布有若干个通过同一电机驱使转动的螺旋升降机，该螺旋升降机的螺杆上端部穿过上攀爬组件，螺杆上端部还螺接有防止螺杆脱离上攀爬组件的螺母垫片，所述上攀爬组件上设置有经螺杆驱使转动的用于锁紧立柱的上锁紧装置，下攀爬组件上设置有经螺杆驱使转动的用于锁紧立柱的下锁紧装置，还包括一驱动下锁紧装置运转的手动驱动机构。本装置结构简单，使用方便。
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公开(公告)号：CN111063753B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
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公开(公告)号：CN111063753A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107009321B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201710403251.8
申请日：2017-06-01
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
Abstract: 本发明涉及一种长金属滤袋对接结构及其辅助安装工具与安装方法，该长金属滤袋对接结构包括分别设于金属滤袋端口处、相对接的对接卡管口和对接套管口，对接卡管口的端面上设有与对接套管口内腔相对接的圆环状凸部，对接卡管口和对接套管口的端面边缘处沿圆周均分别设有弧形凸部和弧形凹部，对接卡管口和对接套管口的外壁上沿圆周均设有环形槽，弧形凹部与环形槽连通，弧形凹部包括相连通的第一弧形凹槽和第二弧形凹槽，第一弧形凹槽与弧形凹部呈轴对称分布，第二弧形凹槽与弧形凹部呈中心对称分布，弧形凸部包括上下设置的第一弧形凸起和第二弧形凸起。与现有技术相比，本发明具有较好的密封性，拆卸简单快速，工作效率高。
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公开(公告)号：CN103474503B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310461747.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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公开(公告)号：CN106865385B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201710079529.0
申请日：2017-02-15
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
Abstract: 本发明涉及一种立柱攀爬装置及其使用方法，包括环绕立柱的上攀爬组件和下攀爬组件，所述下攀爬组件上均布有若干个通过同一电机驱使转动的螺旋升降机，该螺旋升降机的螺杆上端部穿过上攀爬组件，螺杆上端部还螺接有防止螺杆脱离上攀爬组件的螺母垫片，所述上攀爬组件上设置有经螺杆驱使转动的用于锁紧立柱的上锁紧装置，下攀爬组件上设置有经螺杆驱使转动的用于锁紧立柱的下锁紧装置，还包括一驱动下锁紧装置运转的手动驱动机构。本装置结构简单，使用方便。
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公开(公告)号：CN111029449A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911086642.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN104833450B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510288699.0
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L1/24
Abstract: 一种原位测试LED应力的拉曼测试系统及其测试方法，测试系统设有激光器、光路系统、长波通或带通滤波片、拉曼滤镜、显微镜、CCD；长波通或带通滤波片设在拉曼光路中的显微镜光路前端、显微镜光路后端、拉曼滤镜前端、拉曼滤镜后端或CCD前端等，并与波长远离LED发光光谱的激光器结合。测试方法：首先采用显微镜进行调节样品的位置，使样品处理聚焦状态；关闭显微镜的光源，打开激光器，激光器用来发射拉曼测试需要的激光光线，光路系统传输激光的输入和输出信号，反射光线经过拉曼滤镜进行信号处理和过滤，最终的信号被CCD所探测。提升拉曼信号的信噪比，实现不同电流注入条件下的LED应力的原位测试。
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