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公开(公告)号：CN119221106A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411415973.1
申请日：2024-10-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种GeSn和GePb半导体单晶纳米点的制备方法，涉及半导体单晶纳米点制备领域。包括以下步骤：1）选择具有与所生长材料相似晶体结构以及较小的晶格失配的半导体晶圆衬底，并清洗；2）将AAO模版转移至半导体晶圆衬底上，并用丙酮溶液溶解PMMA基底；3）将步骤2）转移好AAO模版并溶解掉PMMA的衬底送入溅射腔中磁控溅射外延生长GeSn或GePb，衬底温度250~360℃，溅射速率大于21 nm/min；4）机械剥离AAO模版，获得GeSn、GePb半导体单晶纳米点。本发明为制备高质量GeSn、GePb单晶纳米点提供新工艺方法，有望应用于硅基光电集成中的硅基高效发光探测器件研发。
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公开(公告)号：CN118688901A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410763678.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将外延的硅基GeSn薄膜进行标准光刻步骤；步骤2：采用氧化酸性垂直刻蚀溶液刻蚀GeSn薄膜和部分Ge缓冲层；步骤3：采用F基等离子体进行横向刻蚀Ge缓冲层；步骤4：丙酮溶液浸泡去胶，完成结构制备。本发明的GeSn悬空结构可以弛豫GeSn合金的应变，实现直接带隙；制备悬空结构的工艺简单，所制备的GeSn悬空结构相比其他工艺具有样品表面平整、粗糙度低、GeSn损耗小的特点；为硅基GeSn发光器件制备提供了一种新型工艺方法，有望在硅基光电子领域发挥巨大的作用。
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公开(公告)号：CN105118804B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510631195.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762
Abstract: 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法，涉及一种GeOI的制备方法。1)将Ge片清洗，在Ge片上生长超薄硅钝化层，即得Si/Ge晶片；2)将Si片清洗，采用干氧氧化，在Si片上生长SiO2层，即得SiO2/Si晶片；3)将步骤1)得到的Si/Ge晶片和步骤2)得到的SiO2/Si晶片清洗后，进行氧等离子体处理，超薄硅钝化层被氧化、活化，得到SiO2/Ge，同时得到活化的SiO2/Si晶片；4)将步骤3)处理后的SiO2/Ge和SiO2/Si晶片用氨水浸泡，吹干后贴合，再升温加压处理，得键合片；5)将步骤4)得到的键合片进行湿法腐蚀，将Ge层减薄后抛光，得到表面平整的绝缘体上锗。
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公开(公告)号：CN106868580A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710118094.6
申请日：2017-03-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。
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公开(公告)号：CN118360671A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410575524.7
申请日：2024-05-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种低成本高p型自掺杂GeIn单晶薄膜的制备方法，采用磁控溅射法先在Ge衬底上外延不同薄膜材料如Ge、GeSn或GePb缓冲层，其次降低衬底温度，在此基础上低温(210℃～250℃)外延生长一层GeIn单晶薄膜，最终实现低成本高质量和高p型掺杂的GeIn薄膜制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114464691A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210119652.1
申请日：2022-02-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用，所述GeSn纳米晶材料为GeSn纳米晶嵌于非晶GeSn中，Sn组分的摩尔含量为7.5％～41.6％；所述GeSn纳米晶材料的制备方法，包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3)对步骤2)的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶。本发明与传统CMOS工艺相兼容，制备得到的GeSn纳米晶的Sn组分高于Sn在Ge中的平衡固溶度并且可通过退火温度调控。
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公开(公告)号：CN108447819B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810347003.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a‑Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。
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公开(公告)号：CN108447819A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810347003.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a-Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。
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公开(公告)号：CN103928562B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410183675.4
申请日：2014-05-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。
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公开(公告)号：CN119480632A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411663013.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/285 , H10D30/01
Abstract: 一种锗基源漏材料的制备方法及其应用，涉及锗基源漏材料领域，在锗基衬底上通过锗和铝的共沉积生长锗铝薄膜，当衬底温度为215~383℃时，X射线衍射（XRD）测试锗铝薄膜为单晶结构，晶体质量良好且表面无铝的偏析。霍尔测试锗铝薄膜自带p型掺杂，激活的空穴浓度高达8×1020#imgabs0#。根据飞行时间‑二次离子质谱仪（TOF‑SIMS）的表征结果，铝原子在未掺杂锗基衬底的扩散长度小于4nm/decade，可以应用于锗基逻辑电路先进节点工艺的p型原位掺杂和p+/n浅结的制备。
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