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公开(公告)号：CN102214703A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010260685.5
申请日：2010-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/96 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78 , H01L29/7843
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基底；一电极，位于基底上方；一压电层，设置于基底和电极之间，当电极产生一电场时，压电层使基底产生应变。本发明提供的半导体元件和方法，能够于不同的操作下调整沟道的应变。
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公开(公告)号：CN106684140B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201610729466.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明的一些实施例提供了半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底。供给层位于半导体衬底上方。该供给层包括顶面。栅极结构、漏极和源极位于供给层上方。钝化层共形地覆盖在栅极结构和供给层上方。栅电极位于栅极结构上方。场板设置在栅电极和漏极之间的钝化层上。该场板包括底边。该栅电极具有接近于场板的第一边缘，该场板包括面向第一边缘的第二边缘，第一边缘和第二边缘之间的水平距离在从约0.05至约0.5微米的范围内。本发明的实施例还提供了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN105742348B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201510507509.X
申请日：2015-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种与高电子迁移率晶体管兼容的功率横向场效应整流器(L‑FER)器件及其形成方法。在一些实施例中，该整流器器件具有电子供给层，电子供给层设置在半导体材料层上方且位于阳极终端和阴极终端之间。掺杂的III‑N半导体材料层设置在电子供给层上方。钝化层设置在电子供给层和掺杂的III‑N半导体材料层上方。栅极结构设置在掺杂的III‑N半导体材料层和钝化层上方。掺杂的III‑N半导体材料层调制整流器器件的阈值电压，而钝化层通过缓解由于高温反向偏压(HTRB)压力(stress)引起的电流劣化而改进L‑FER器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105742348A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510507509.X
申请日：2015-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种与高电子迁移率晶体管兼容的功率横向场效应整流器(L-FER)器件及其形成方法。在一些实施例中，该整流器器件具有电子供给层，电子供给层设置在半导体材料层上方且位于阳极终端和阴极终端之间。掺杂的III-N半导体材料层设置在电子供给层上方。钝化层设置在电子供给层和掺杂的III-N半导体材料层上方。栅极结构设置在掺杂的III-N半导体材料层和钝化层上方。掺杂的III-N半导体材料层调制整流器器件的阈值电压，而钝化层通过缓解由于高温反向偏压(HTRB)压力(stress)引起的电流劣化而改进L-FER器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103545360A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210553817.2
申请日：2012-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/0254 , H01L27/14689 , H01L29/1033 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/42364 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其形成方法。半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层布置在第一III-V化合物层上且其组成不同于第一III-V化合物层的组成。源极部件和漏极部件布置在第二III-V化合物层上。栅电极布置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V化合物层的上方。氟区域嵌入在位于栅电极下面的第二III-V化合物层中。栅极介电层布置在第二III-V化合物层的上方。栅极介电层的氟段位于氟区域上以及栅电极的至少一部分的下面。
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公开(公告)号：CN103579328B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210454453.2
申请日：2012-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法，其中半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在组成上与第一III-V化合物层不同。第二III-V化合物层具有顶面。源极部件和漏极部件设置在第二III-V化合物层上。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V化合物层上方。氟区嵌入栅电极下方的第二III-V化合物层中。氟区的顶面低于第二III-V化合物层的顶面。栅极介电层设置在栅电极的至少一部分的下方以及氟区的上方。
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公开(公告)号：CN103579328A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210454453.2
申请日：2012-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法，其中半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在组成上与第一III-V化合物层不同。第二III-V化合物层具有顶面。源极部件和漏极部件设置在第二III-V化合物层上。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V化合物层上方。氟区嵌入栅电极下方的第二III-V化合物层中。氟区的顶面低于第二III-V化合物层的顶面。栅极介电层设置在栅电极的至少一部分的下方以及氟区的上方。
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公开(公告)号：CN103177960A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210477613.5
申请日：2012-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/452 , H01L29/778 , H01L29/7787
Abstract: 本发明涉及对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进。本发明提供了一种制造高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法包括：在硅衬底上方形成非故意掺杂的氮化镓(UID GaN)层，在UID GaN层上方形成施主供应层，形成栅极，在栅极和施主供应层的部分上方形成钝化层，以及在施主供应层和钝化层的部分上方形成欧姆源极结构和欧姆漏极结构。源极结构包括源极接触部和顶部。顶部与源极接触部和栅极之间的钝化层重叠，并且可以与栅极的一部分以及栅极和漏极结构之间的钝化层的一部分重叠。
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