公开(公告)号：CN103311243B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310007113.X

申请日：2013-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄敬源 ,  许竣为 ,  游承儒 ,  姚福伟 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  陈柏智

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括硅衬底。第一III-V族化合物层设置在硅衬底上方。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方。半导体器件包括设置在第一III-V族化合物层并且部分设置在第二III-V族化合物层中的晶体管。半导体器件包括设置在硅衬底中的二极管。半导体器件包括连接至二极管并且延伸穿过至少第一III-V族化合物层的通孔。通孔电连接至晶体管或者邻近晶体管设置。本发明提供了用于HEMT器件的等离子体保护二极管。

公开(公告)号：CN104051458A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410088916.7

申请日：2014-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄敬源 ,  游承儒 ,  余俊磊 ,  陈柏智 ,  姚福伟 ,  杨富智

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/778

Abstract: 集成电路器件包括：第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层、位于第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层上方的第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层、位于第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层上方的栅极电介质以及位于栅极电介质上方的栅电极。阳电极和阴电极形成在栅电极的相对两侧上。阳电极电连接至栅电极。阳电极、阴电极和栅电极形成整流器的部分。

公开(公告)号：CN103367418A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210421462.1

申请日：2012-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚福伟 ,  游承儒 ,  黄敬源 ,  许竣为 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种高电子载流子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在成分上与第一III-V化合物层不同。载流子沟道设置在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。硅化物源极部件和硅化物漏极部件通过第二III-V化合物层与第一III-V化合物层接触。栅电极设置在第二III-V化合物层位于硅化物源极部件和硅化物漏极部件之间的部分的上方。本发明还公开了形成高电子迁移率晶体管的方法。

公开(公告)号：CN103187441A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210139230.7

申请日：2012-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许竣为 ,  余俊磊 ,  姚福伟 ,  游承儒 ,  陈柏智 ,  黄敬源

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管（HEMT），包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方，并且在组成上不同于第一III-V族化合物层。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上方。源极部件和漏极部件中的每一个都包括至少部分嵌入第二III-V族化合物层中的对应的金属间化合物。每个金属间化合物都不含Au但包含Al、Ti、或Cu。p型层设置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的一部分上方。栅电极设置在p型层上方。耗尽区设置在载流子沟道中并位于栅电极下方。本发明还提供了高电子迁移率晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN103137682A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210484917.4

申请日：2012-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游承儒 ,  熊志文 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  黄敬源 ,  余俊磊 ,  杨富智

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括硅衬底、位于硅衬底上方的非故意掺杂的氮化镓(UID GaN)层。该HEMT进一步包括位于UID GaN层上方的施主供应层、位于施主供应层上方的栅极结构、漏极和源极。该HEMT进一步包括位于施主供应层上方的栅极结构和漏极之间的具有位于施主供应层中的一个或多个电介质插塞部和顶部的介电层。本发明还提供一种用于制造HEMT的方法。本发明还提供了具有改进击穿电压性能的高电子迁移率晶体管结构。

公开(公告)号：CN107888167A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710741364.9

申请日：2017-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  陈居富 ,  蔡俊琳 ,  陈昆龙 ,  黄敬源 ,  林明正 ,  刘赐斌

IPC: H03K3/03 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/6877 ,  H01L23/3107 ,  H02M3/07 ,  H03K17/063 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/0081 ,  H03K3/0315 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明实施例是关于一种低静止电流半导体装置。一种半导体装置包含功率晶体管及驱动电路。所述驱动电路耦合到所述功率晶体管且经配置以驱动所述功率晶体管且包含第一级及第二级。所述第二级耦合于所述第一级与所述功率晶体管之间。所述第一级及所述第二级的各者包含一对增强模式高电子迁移率晶体管HEMT。如此的建构降低所述驱动电路的静止电流。

公开(公告)号：CN104051458B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410088916.7

申请日：2014-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄敬源 ,  游承儒 ,  余俊磊 ,  陈柏智 ,  姚福伟 ,  杨富智

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/778

Abstract: 集成电路器件包括：第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的栅极电介质以及位于栅极电介质上方的栅电极。阳电极和阴电极形成在栅电极的相对两侧上。阳电极电连接至栅电极。阳电极、阴电极和栅电极形成整流器的部分。

公开(公告)号：CN106684140A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610729466.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明玮 ,  黄敬源 ,  熊志文 ,  林明正

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的一些实施例提供了半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底。供给层位于半导体衬底上方。该供给层包括顶面。栅极结构、漏极和源极位于供给层上方。钝化层共形地覆盖在栅极结构和供给层上方。栅电极位于栅极结构上方。场板设置在栅电极和漏极之间的钝化层上。该场板包括底边。该栅电极具有接近于场板的第一边缘，该场板包括面向第一边缘的第二边缘，第一边缘和第二边缘之间的水平距离在从约0.05至约0.5微米的范围内。本发明的实施例还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN103177960B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210477613.5

申请日：2012-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余俊磊 ,  姚福伟 ,  游承儒 ,  许竣为 ,  黄敬源

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/452 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进。本发明提供了一种制造高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法包括：在硅衬底上方形成非故意掺杂的氮化镓(UID GaN)层，在UID GaN层上方形成施主供应层，形成栅极，在栅极和施主供应层的部分上方形成钝化层，以及在施主供应层和钝化层的部分上方形成欧姆源极结构和欧姆漏极结构。源极结构包括源极接触部和顶部。顶部与源极接触部和栅极之间的钝化层重叠，并且可以与栅极的一部分以及栅极和漏极结构之间的钝化层的一部分重叠。

公开(公告)号：CN103137682B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201210484917.4

申请日：2012-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游承儒 ,  熊志文 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  黄敬源 ,  余俊磊 ,  杨富智

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括硅衬底、位于硅衬底上方的非故意掺杂的氮化镓(UID GaN)层。该HEMT进一步包括位于UID GaN层上方的施主供应层、位于施主供应层上方的栅极结构、漏极和源极。该HEMT进一步包括位于施主供应层上方的栅极结构和漏极之间的具有位于施主供应层中的一个或多个电介质插塞部和顶部的介电层。本发明还提供一种用于制造HEMT的方法。本发明还提供了具有改进击穿电压性能的高电子迁移率晶体管结构。