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公开(公告)号：CN115186567A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210769893.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06T17/00 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种针对太阳耀斑辐射器件后损伤效应的计算方法，包括：构建飞行器敏感体的结构模型，并对所述结构模型添加球形外壳结构；获得所述太阳质子粒子源的积分能谱或微分能谱，然后将所述积分能谱或所述微分能谱导入求解器，得到所述积分能谱或所述微分能谱辐照所述球形外壳结构后的粒子能谱及累计通量；删除所述球形外壳结构，将所述粒子能谱导入求解器，对所述结构模型进行辐照，得到所述粒子能谱辐照后的所述结构模型的辐射损伤数据；对所述辐射损伤数据进行分析，分析粒子对所述飞行器敏感体的辐射损伤效应。本发明提供的计算方法能够精确模拟在辐射屏蔽层存在条件下太阳耀斑对飞行器敏感体的损伤情况，更加符合真实环境。
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公开(公告)号：CN115186539A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210770230.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06T17/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种航天器表面原子氧掏蚀效应的显示方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：根据坐标系内各方向上的所述多边形网格数量生成结构化网格文件；生成初始裂纹文件；生成掏蚀网格文件；根据所述结构化网格文件的数据、所述初始裂纹文件的数据以及所述掏蚀网格文件的数据，完成航天器表面原子氧掏蚀效应的显示。与现有技术比较，本发明能够直观显示航天器表面原子氧掏蚀效应，达到获得精确预测原子氧与紫外下材料表面掏蚀情况的目的，且本方法步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN115186466A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210768723.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于插件实现空间环境下航天器性能的模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述模拟方法，包括：确定实现空间环境下航天器性能模拟的应用主程序中待启动的插件；为所述插件创建运行环境，并在所述运行环境中通过接口加载所述插件，以启动所述插件，实现空间环境下航天器性能模拟；或在所述运行环境中通过接口卸载所述插件，以关闭所述插件。本发明通过设置插件，并通过接口加载或卸载所述插件，以启动或关闭所述插件，实现空间环境下航天器性能的模拟计算，计算结果准确且计算高效，稳定性高。
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公开(公告)号：CN115169105A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769647.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体缺陷深能级瞬态谱精确模拟方法，涉及模拟技术领域，本发明通过结合精确缺陷结构设计和模拟手段，精确定义深能级瞬态谱探测实验中观测缺陷的种类及结构，且模拟方法完全基于精确第一性原理杂化泛函获得各物理参数，并在量子力学密度泛函理论框架下构建，可准确预测DLTS缺陷表征实验结果，相比实验手段，本发明能够准确获得缺陷结构的详细信息，且成本低、效率高。
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公开(公告)号：CN115168996A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769671.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/23 , G16C60/00 , G06F113/28 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供了一种模拟空间环境下的原子氧通量的计算方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括将航天器表面剖分为多个多边形网格单元，并读取所述多边形网格单元中的瞬时通量数据；遍历每个所述多边形网格单元中瞬时通量数据；根据每个所述所述多边形网格单元中瞬时通量数据计算当前时刻每个所述多边形网格单元的累积通量，以得到每一时刻中所有所述多边形网格单元的累积通量。与现有技术比较，本发明方法操作简单，能够准确、快速地计算不同材料在不同环境条件下表面的原子氧累积通量和瞬时通量，为优化材料抗空间环境效应能力提供必要的依据，对材料的空间环境协同效应研究具有重大的意义，有着明显的优势和广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110595936B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910972109.4
申请日：2019-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种充湿条件下复合材料湿膨胀系数的测试装置和方法，测试装置包括真空罐及设置在所述真空罐内的石英测试件、湿度传感器、温度传感器、气压传感器、位移传感器和载荷传感器；所述真空罐包括从上到下依次连接的第一测试室、环境室和第二测试室，所述石英测试件与所述第一测试室固定连接，且悬垂贯穿所述环境室和所述第二测试室，所述第一测试室、所述环境室和所述第二测试室通过所述石英测试件连通，所述石英测试件在所述环境室内与试样可拆卸连接；所述载荷传感器与所述位移传感器分别用以测试所述试样的质量变化和长度变化。本发明提供的测试装置及方法，可实现从0‑95％间任一恒定湿度条件下充湿过程的质量和长度变化的动态测量。
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公开(公告)号：CN111863941A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735219.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法。所述抗辐射VDMOS器件的制备方法包括：在完成VDMOS器件的源极接触孔刻蚀后，向肼区内多次注入或扩散重金属离子，在所述肼区内形成重金属离子注入或扩散区，且所述重金属离子注入或扩散区的掺杂浓度自远离衬底一侧向靠近所述衬底一侧递减。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入或扩散，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升功率器件的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证VDMOS器件本身的高性能指标。另外，本发明与常规的功率VDMOS器件的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN111856152A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735220.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R29/00
Abstract: 本发明提供了一种脉冲信号采样方法及装置，涉及信号处理技术领域。所述脉冲信号采样方法包括获取采样信号；将所述采样信号滤波，分离为高频分量和低频分量；将所述高频分量和所述低频分量分别进行增益调节；对经过增益调节的所述高频分量和所述低频分量进行数据采集，分别获得静态分量和瞬态分量；将获得的所述静态分量和所述瞬态分量输出。这样，通过采用信号分离的方式独立控制各个分量，然后进行同步采集的方式同时获取多个信号分量的值，从而能够最大限度保留各个信号的有用成分，有利于后期数据处理和分析。
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公开(公告)号：CN111856095A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735735.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种脉冲高压负载电阻模块、组装方法及装置，涉及高频电子功率调节器技术领域，所述脉冲高压负载电阻模块包括电阻模块，包括多个负载电阻相互连接构成的电阻网络；安装板，与所述电阻模块相连接，以及散热组件，与所述安装板相连接，所述散热组件包括第一散热件和第二散热件，所述第二散热件与所述第一散热件的外壁固定相连，且所述第二散热件的内部设置腔体，且所述腔体内填充导热材料。与现有技术比较，本发明散热组件在电阻模块的最外层直接导热，减小了热传导路径，散热效率高，降低散热器重量，减小设备体积，且采用导热材料填充散热组件，进一步缩小产品尺寸，杜绝了电阻拉弧打火现象，安全性高。
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公开(公告)号：CN111855706A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735719.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、制备低阻单晶样品；S200、对低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品；S300、在掺杂样品的正面刻蚀沟槽；S400、对开槽的样品进行钝化，在样品的正面、背面和沟槽内形成介质层；S500、刻蚀样品背面的介质层，制备背面电极并形成欧姆接触；S600、刻蚀样品正面的介质层形成刻蚀区，制备正面电极并形成肖特基接触，制得测试样品；S700、对测试样品进行辐射诱导位移缺陷表征。本发明的检测方法通过制备出合适的半导体材料测试样品，有利于达到高效、高灵敏度位移缺陷检测与判定的目的，实现了半导体材料和器件中的辐射诱导位移缺陷快速、高效、准确检测。
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