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公开(公告)号：CN114310530A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111469456.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构，包括底座，所述底座上设置有用于输送碳化硅衬底片的输送通道，所述输送通道上设置有加工区域，所述加工区域一侧设置有碳化硅衬底片储存桶组件，所述碳化硅衬底片储存桶组件一侧的所述输送通道上连接有用于将所述碳化硅衬底片储存桶组件内的碳化硅衬底片顶出至所述加工区域的推送组件，所述加工区域四周设置有用于夹持处于所述加工区域内的碳化硅衬底片的夹持组件，夹紧装置和研磨装置自动为上料过程让位，上料完毕后夹紧装置自动夹紧，并且研磨装置自动进给研磨，最后下次上料时，将已研磨完毕的碳化硅衬底片自动送出，一体化联动自动加工，减少人力物力的投入。
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公开(公告)号：CN112980599A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202982.2
申请日：2021-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C11D1/66 , C11D1/835 , C11D1/825 , C11D3/33 , C11D3/20 , C11D3/39 , C11D3/04 , C11D3/60 , C11D11/00 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶清洗剂及其应用。本发明的碳化硅单晶清洗剂包括以下原料：金属螯合剂、表面活性剂、过氧化氢、氟化物和硫酸。本发明的清洗剂，通过表面活性剂和螯合剂的协同作用，实现了对金属离子的去除；通过表面活性剂实现了对表面杂质的去除；该清洗剂实现了晶片表面0.5μm的颗粒度≤1000，对碳化硅单晶的清洗效果有显著的提升。
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公开(公告)号：CN108511721B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810297516.5
申请日：2018-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/054 , C01B32/158
Abstract: 钠离子电池负极用VC0.75@NPC复合材料、制备及应用，本发明属于钠离子电池负极材料制备领域，具体是钠离子电池负极用VC0.75@NPC材料、制备及应用。本发明是要解决现有钠离子电池用负极材料不能在保证良好比容量的前提下，又能有效提高材料的循环稳定性的问题。方法：一、制备三聚氰胺分散液；二、将络合酸加入分散液中，得到沉淀；三、沉淀清洗干燥得前驱体A；四、制备含有钒源、磷源的凝胶；五、将前驱体A和凝胶混合，干燥得前驱体B；六、将前驱体B在氩气或氮气的条件下升温并保温，得黑色粉末；七、将黑色粉末清洗干燥后，即得VC0.75@NPC复合材料。复合材料作为钠离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN106904580A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710137965.9
申请日：2017-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用水热法合成1T相‑无序度协同调控的二维纳米片的方法，本发明涉及一种二维纳米片的制备方法，它要解决现有MX2纳米片通常为半导体性质的2H相结构，且较难实现对结晶无序度调控的问题。合成方法：一、按摩尔比为1：2：(2～10)将含过渡金属元素的前驱体化合物、硫属元素的单质或含硫属元素前驱体化合物以及还原剂分散于去离子水中；二、控制加热温度进行水热反应，清洗产物得到二维MX2纳米材料；三、烘干处理。本发明通过水热法实现了一步1T相‑无序度协同调控的二维纳米片，通过调节还原剂的量实现对1T相含量的调控，通过调节水热反应的温度实现纳米片晶格无序度的调节。且得到的二维纳米片具有良好的催化制氢效率。
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公开(公告)号：CN104180933A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410436999.4
申请日：2014-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用X射线检测在役复合材料构件残余应力的方法，涉及一种检测在役复合材料构件残余应力的方法。本发明是要解决现有检测在役复合材料构件残余应力的方法存在的对构件造成损伤，得到的残余应力大小不准确的技术问题。方法为：一、将金属丝平行粘贴于在役复合材料构件表面；二、用X射线检测法检测粘贴于在役复合材料构件表面的金属丝的残余应力，然后经计算，得出在役复合材料构件各部位的残余应力，即完成。采用本发明测定在役复合材料构件的残余应力，既能保证不会对构件造成损伤，又能得到准确快捷的在役构件的残余应力大小，即该检测方法具有无损、可以检测在役构件、操作简便等优点。本发明应用于在役复合材料构件残余应力的检测领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104155036A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410437022.4
申请日：2014-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L1/25
Abstract: 一种用X射线检测大型碳纤维增强树脂基复合材料构件残余应力的方法，涉及一种检测大型碳纤维增强树脂基复合材料构件残余应力的方法。本发明是要解决现有方法无法准确检测大型碳纤维增强树脂基复合材料构件残余应力的技术问题。本发明的方法为：一、将金属丝及胶膜制成新型应变片；二、将步骤一得到的新型应变片粘贴在大型碳纤维增强树脂基复合材料构件表面；三、用X射线检测法检测步骤二中粘贴于大型碳纤维增强树脂基复合材料构件表面的新型应变片的残余应力，然后经计算，得出大型碳纤维增强树脂基构件各部位的残余应力，即完成大型碳纤维增强树脂基构件的检测。本发明应用于大型碳纤维增强树脂基复合材料构件残余应力的测定领域。
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公开(公告)号：CN103901063A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410166088.4
申请日：2014-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用X射线衍射测定C纤维增强树脂基复合材料的方法，涉及一种测定C纤维增强树脂基复合材料的方法。本发明是要解决现有X射线测定C纤维增强树脂基复合材料的方法存在的只能测定试件C纤维增强树脂基复合材料表层的残余应力，而不能测定各个深度的残余应力的技术问题。方法为：取C纤维增强树脂基复合材料的试件用盐酸逐层腐蚀后，用去离子水将表面进行清洗，放入X射线应力测定仪，进行测试，再计算，得到各个深度的残余应力，即完成。采用本发明测定C纤维增强树脂基复合材料的残余应力，既能保证逐层腐蚀不会增加额外的残余应力，又能得到准确的大型试件不同深度的残余应力。本发明应用于C纤维增强树脂基复合材料的测定领域。
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公开(公告)号：CN103553034A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310558449.5
申请日：2013-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种三维孔状石墨烯骨架的制备方法及其应用，涉及一种石墨烯骨架的制备方法及其应用。本发明是要解决目前很难制备高性能、高稳定性的三维孔状结构石墨烯的技术问题。本发明的方法为：将氧化石墨在真空或充入气体的条件下密封于石英管中，将石英管转移到马弗炉中，加热到并保温，然后取出石英管快速浸入冰水中，多次重复以上加热-淬火过程，收集石英管内产物，所得产物即为三维孔状石墨烯骨架。本发明的方法简单，环境友好，所得具有特殊结构的三维石墨烯骨架能有效的提高石墨烯的可用负载面积，所制备的三维孔状石墨烯骨架可广泛用于锂离子电池、燃料电池、太阳能电池、光催化、催化氧化、气体传感器、药物输运等领域。
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公开(公告)号：CN102295472B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910310229.4
申请日：2009-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 一种呈等级孔结构且宏孔单向排列氧化硅陶瓷的制备方法，它涉及多孔氧化硅陶瓷的制备方法。本发明解决了现有的方法制备的氧化硅陶瓷的宏孔尺寸难以控制和比表面积低的问题。本方法如下：先将可溶性淀粉、聚乙烯醇和去离子水制成水溶胶，然后经定向凝固、冷冻干燥得到可溶性淀粉模板；再将可溶性淀粉模板浸入到由正硅酸乙酯、表面活性剂、盐酸、无水乙醇和去离子水制成溶液中浸渍；然后经烧结后得到呈等级孔结构且宏孔单向排列的氧化硅陶瓷。本发明制备的呈等级孔结构且宏孔单向排列的氧化硅陶瓷的宏孔单通道的平均尺寸为2～10靘，比表面积为500～840m2/g，可作为吸附剂、催化剂载体和多孔电极使用。
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公开(公告)号：CN101429596A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810209701.0
申请日：2008-12-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米晶WC－Co硬质合金的制备方法，它涉及一种WC－Co硬质合金的制备方法。它解决现有制备纳米WC－Co硬质合金的工艺复杂、设备昂贵且合成困难，得到的产品致密度低、尺寸小、晶粒迅速长大的问题。制备方法：一、将纳米WC－Co粉末装入无缝钢管内；二、将圆锥形木块粘到无缝钢管上，装炸药；三、实施爆破；四、将爆炸压实后得到的无缝钢管在真空条件下热处理，冷却后去掉无缝钢管，得到大尺寸、直径为10～14mm，长度为96～160mm的纳米晶WC－Co硬质合金。此方法工艺简单、易合成、成本低廉，得到的产品致密度高且晶粒的生长速度很大程度上得到了控制，可工业化生产。
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