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公开(公告)号：CN114310530B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111469456.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构，包括底座，所述底座上设置有用于输送碳化硅衬底片的输送通道，所述输送通道上设置有加工区域，所述加工区域一侧设置有碳化硅衬底片储存桶组件，所述碳化硅衬底片储存桶组件一侧的所述输送通道上连接有用于将所述碳化硅衬底片储存桶组件内的碳化硅衬底片顶出至所述加工区域的推送组件，所述加工区域四周设置有用于夹持处于所述加工区域内的碳化硅衬底片的夹持组件，夹紧装置和研磨装置自动为上料过程让位，上料完毕后夹紧装置自动夹紧，并且研磨装置自动进给研磨，最后下次上料时，将已研磨完毕的碳化硅衬底片自动送出，一体化联动自动加工，减少人力物力的投入。
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公开(公告)号：CN115592954A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211159468.6
申请日：2022-09-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(CN)
IPC: B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y50/00 , B33Y50/02
Abstract: 一种粘结剂喷射3D打印的切片生成方法，为解决由于粘结剂喷射3D打印过程中的打印墨量固定，导致打印小图案后使所述图案变得模糊，打印大图案后在脱脂、烧结过程中会产生气孔缺陷的问题，首先建立3D模型；将3D模型从下至上分为多层，提取并保存每层3D模型的轮廓；得到每层待打印的轮廓并定位；缩放并定位每层已定位的待打印的轮廓，保存缩放后的轮廓；将每层缩放前后的轮廓保存在同一张切片上，且中心点重合，依次对两个轮廓进行灰度处理，得到所有层灰度填充处理后的两个轮廓及其对应的切片，得到局部灰度化切片集；重复上述缩放和灰度填充，得到新局部灰度化切片集，再进行二值化处理，自定义每张切片的信息，得到待打印的切片集。
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公开(公告)号：CN106908177B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710154020.8
申请日：2017-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L1/25
Abstract: 一种测量各向异性材料平面应力的装置，涉及一种材料平面应力检测装置。是要解决现有应力检测方法测量精度不高的问题。该装置包括超声换能器组、超声斜入射楔块、信号发生器、数字示波器和分析处理软件；第一超声纵波激发探头、第二超声纵波激发探头和第三超声纵波激发探头分别与信号发生器连接；第一超声纵波接收探头、第二超声纵波接收探头和第三超声纵波接收探头分别与数字示波器连接；信号发生器与数字示波器连接；所述分析处理软件与所述数字示波器连接。该装置基于各向异性三向法，采用临界折射纵波作为检测波源，测量效率高、操作简单，可广泛应用于航空航天、武器制造、车辆等领域中各向异性材料中平面应力的检测和分析。
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公开(公告)号：CN104944418B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510337459.5
申请日：2015-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法，它涉及一种制备氮含量和种类可调控的掺杂石墨烯的方法。本发明的目的是要解决目前氮掺杂石墨烯制备工艺复杂，制备成本较高，难以工业化以及制备的氮掺杂石墨烯中氮元素含量和种类可控的问题，本发明方法为：将氮化碳放入一端密封的石英管中，在石英管开口端放置圆柱形石英堵头，将石英管转移至管式炉中，在惰性气氛保护下进行升温，保温，继续升温，并保温来调控氮掺杂石墨烯种氮元素含量和种类，即完成。本发明方法简单，环境友好，氮掺杂石墨烯种氮元素的含量和种类可控，可用于替代商业Pt/C作为氧还原催化剂，本发明应用于电池、光催化、催化氧化、气体传感器和药物输运领域。
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公开(公告)号：CN101885618B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010257400.2
申请日：2010-08-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法，它涉及一种结连接陶瓷件的方法。本发明解决了钎焊连接陶瓷件会在陶瓷与钎料之间形成热应力，影响陶瓷焊接件的稳定性，胶接方法中有机胶的耐高温性能较差的问题。本方法如下：用石膏板将碳化硅陶瓷件分瓣的待连接面所形成的空间包围，形成腔体，然后将用于制备碳化硅陶瓷的浆料填满腔体，干燥，再烧结，机械加工，得到碳化硅陶瓷件。将采用本发明方法连接后的碳化硅陶瓷件使用手持式显微镜观察对接面之间部分及边界部分，很难辨别基体与后形成的反应烧结碳化硅。连接部分具有与基体相近的断裂强度，用显微镜对连接部位进行观察后发现连接部分与基体部分之间结合非常紧密，没有发现缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102674874A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210176664.4
申请日：2012-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 一种ZrC-SiC-LaB6三元超高温陶瓷复合材料及其制备方法，它涉及超高温陶瓷复合材料及其制备方法。本发明要解决现有ZrC陶瓷脆性大、致密度低、强度低、韧性低和烧蚀性能较差的问题。方法：将SiC晶须超声分散后，与ZrC、SiC纳米颗粒和LaB6混合后球磨得浆料，将其烘干得混合粉；将混合粉装入石墨模具中，在氩气保护下热压烧结，得到致密度≥98％的陶瓷，质量烧蚀率为0.74～1.11×10-4g/s，线烧蚀率为1.50～2.78×10-3mm/s。该材料用于固体火箭发动机的喉衬喷管、燃气舵，超高速飞行器的鼻锥、翼前缘等耐高温结构件，高温气冷堆包覆燃料颗粒涂层、热光电辐射器涂层等方面。
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公开(公告)号：CN101314543B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200710072298.7
申请日：2007-06-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 优质短碳纤维增韧碳化硅复合材料、制备方法及应用，目前，对于纤维增强复合材料的制备方法主要有模压法、泥浆浸渗法、熔胶-凝胶法、先驱转化法、熔融浸渗工艺、化学气相沉积和反应烧结等。本发明的方法是将碳化硅颗粒表面改性，采用球磨工艺制备浆料，烘干浆料并对粉料进行造粒处理、模压成型，热压烧结素坯。本方法制作的产品具有较高断裂韧性，在航空航天、汽车发动机等领域有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102041445A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201110024351.2
申请日：2011-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C38/08
Abstract: 高强度超低膨胀因瓦合金基复合材料的制备方法，本发明涉及因瓦合金基复合材料的制备方法。本发明要解决现有高强因瓦合金存在变形加工工艺复杂、难以加工大尺寸构件的技术问题。本发明的方法如下：一、制备高纯钛粉和碳粉预制块；二、熔炼因瓦合金，得到熔体；三、预制块加入步骤二熔体中，保温，浇注成铸锭或铸件；四、热处理；即得到高强度超低膨胀因瓦合金基复合材料。本发明的高强度低膨胀因瓦合金基复合材料与现有技术相比具有成分和工艺控制简单，不需要经过复杂的形变强化工艺，可以直接铸造成形，不含贵重金属，成本低，更重要的是可以在大幅提高低膨胀因瓦合金强度的同时合金的膨胀系数可控制在较低的水平。
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公开(公告)号：CN101315435A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710072299.1
申请日：2007-06-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可见光波段内碳化硅反射镜的高反膜及其制备方法，目前，在大型太空望远镜、大型地面望远镜、预警卫星、探测卫星、侦察卫星、气象卫星、高能激光及激光雷达等设备为了满足其设计要求，反射镜表面在特定波长范围内的反射率是一个关键的指标。采用反应烧结法制备出形状复杂的反射镜体，对反射镜进行基本机械加工和表面处理，然后按以下步骤：a.对反射镜的表面进行清理；b.用磁控溅射设备进行镀膜处理；c.对反射膜层精加工。本发明应用于可见光波段的碳化硅反射镜反射率大于97％反射膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN115921895B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202211666768.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SLM高致密度金刚石金属基复合材料的打印方法，涉及一种3D打印金刚石/金属基复合材料的方法。本发明是要解决目前3D打印金刚石/金属基复合材料的致密度较低的技术问题。本发明步骤三中通过激光第一次打印金刚石/金属基复合材料粉末层形成一个骨架，再利用二次打印其上方的金属层融化对其下层的骨架进行二次致密，从而获得高致密度的打印件。本发明通过原位的金属层二次致密化，获得高致密度的打印件，保证金刚石/金属基复合材料致密度的同时，充分发挥3D打印在复杂结构件成形上的优势。
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