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公开(公告)号：CN115242334B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210769771.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04B17/391 , H04B17/40 , G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种卫星在轨地球电离层等离子体环境仿真方法及装置，涉及计算机仿真技术领域，仿真方法包括：获取低轨星座中各个卫星在当前仿真时刻下的当前状态参数，获取卫星的通信链路任务参数，根据所述通信链路任务参数、所述当前状态参数，获取建立空间通信链路的多个通信卫星状态参数，根据所述当前仿真时刻和所述当前状态参数，建立所述卫星的电离层等离子体环境模型；根据所述电离层等离子体环境模型和所述通信卫星状态参数，得到各个所述通信卫星的电离层等离子体环境表征数据。本发明能够在实现低轨通信卫星的通信链路仿真的同时计算每个卫星所处的地球大气电离层中的空间等离子体环境量化表征分析。
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公开(公告)号：CN117540687A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311610507.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于HiSIM‑HV模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，涉及半导体器件技术领域。所述自动化检查方法包括：需确定器件类型为N型MOSFET或P型MOSFET；将参数提取得到的参数文件，利用程序进行读取；得到参数名称和对应的参数值，对当前参数值进行判定，参数范围分为两个区间[r1,r2]和[r3,r4]；若当前参数值在区间[r3,r4]内，对是否在区间[r1,r2]内进行判定；若判定在区间[r1,r2]内，则当前参数值正确。实现了对参数提取得到HiSIM‑HV紧凑模型参数进行范围检查，以保证参数的合理性，并实现了对参数提取过程提供有力反馈，并为后续电路设计及芯片制造提供保障。
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公开(公告)号：CN117540685A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311604047.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，涉及半导体场效应晶体管技术领域。所述自动化检查方法包括：读取第一文件；读取第二文件；基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界，判断所述第一文件中的当前参数取值是否通过；若所述第一文件中的当前参数取值通过，则基于所述第二文件中的警告边界，判断所述第一文件中的当前参数取值是否符合物理要求。
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公开(公告)号：CN111855706B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202010735719.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、制备低阻单晶样品；S200、对低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品；S300、在掺杂样品的正面刻蚀沟槽；S400、对开槽的样品进行钝化，在样品的正面、背面和沟槽内形成介质层；S500、刻蚀样品背面的介质层，制备背面电极并形成欧姆接触；S600、刻蚀样品正面的介质层形成刻蚀区，制备正面电极并形成肖特基接触，制得测试样品；S700、对测试样品进行辐射诱导位移缺陷表征。本发明的检测方法通过制备出合适的半导体材料测试样品，有利于达到高效、高灵敏度位移缺陷检测与判定的目的，实现了半导体材料和器件中的辐射诱导位移缺陷快速、高效、准确检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863608B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202010735726.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L23/552 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制备方法。所述大功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；对所述外延层进行氧化处理和光刻处理，形成注入窗口；通过所述注入窗口对所述外延层进行多次重金属离子注入，且后一次注入所述重金属离子形成的离子注入区位于前一次注入所述重金属离子形成的离子注入区的上方。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升晶体管的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证晶体管本身的高性能指标。另外，本发明与常规的晶体管的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN116092603A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211618609.6
申请日：2022-12-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种复合材料损伤分析方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：将复合材料单胞划分为六面体单元，获取各个六面体单元中节点的坐标信息；获取复合材料的纤维轮廓包络面方程；进而获取各个所述六面体单元的材料属性；根据坐标信息以及材料属性，构建得到复合材料的单胞模型；根据位移载荷信息以及复合材料的参数，获取单胞模型的单元平衡方程，然后获取总体平衡方程，再获取单胞模型的节点位移；根据节点位移，获取仿真计算结果，并根据仿真计算结果更新单胞模型中刚度矩阵和单元本构关系。本发明显著简化了复合材料建模过程，降低的建模难度，且不需要借助商业软件和二次开发，显著提高了复合材料损伤分析的效率。
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公开(公告)号：CN111863606B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010735237.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/265 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；向所述外延层内注入碳离子，以在所述外延层底部形成碳离子注入层；在所述外延层顶部两侧形成基区，并向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过碳离子注入层可形成有效的抗辐射隔离区，并形成碳氧/碳碳络合物及碳化硅结构层等，有助于提升晶体管抗辐射能力。同时，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度梯度的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，减少基区损伤区域，提升晶体管的抗辐射能力，同时又能够保证晶体管本身的性能。
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公开(公告)号：CN115758816A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211404858.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种面向工艺仿真的边界演变修复方法、装置及存储介质，其中，一种面向工艺仿真的边界演变修复方法包括：对半导体器件进行边界识别；对识别得到的边界进行回路检测；当存在不合理边界回路时，进行边界修复，确定合理边界回路。本发明通过在半导体器件的工艺仿真中引入边界形态检测和修复过程，以消除沟道、遮挡等因素在工艺过程中的影响，防止相应边界深入单体材料内部，以得到工艺仿真产生的正确边界结果，从而得到符合预期的仿真结果，保证工艺仿真结果的准确性与可靠性。
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公开(公告)号：CN112356534B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202011238152.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B37/02 , B32B37/06 , B32B37/10 , C08L61/16 , C08K3/38
Abstract: 本发明提供了一种辐射防护复合材料及其制备方法，所述辐射防护复合材料以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，其中，所述中间层的相对两侧均设有所述面层。本发明通过以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，形成具有三层结构的复合材料，聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料能对铝‑含硼纳米复合材料起到较好的防护作用，避免铝‑含硼纳米材料腐蚀，产生二次电子，造成二次辐射，且聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料也具有优异的质子、中子和电子等空间带电粒子辐射防护性能，能减少复合材料中铝‑含硼纳米材料的用量，从而减少辐射防护复合材料的质量。
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