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公开(公告)号：CN1291363C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN02820135.3
申请日：2002-12-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/17 , G02F1/167 , G02F1/1365 , H01L29/87
CPC classification number: H01L27/3244 , G02F1/1362 , G02F1/1365 , G02F1/167
Abstract: 提供一种用比以前还简单的方法制造得到的有源矩阵型显示装置。显示装置(100)具有：多个第一电极(11)；多个双向二端子元件(12)；多个像素电极(14)，分别经多个双向二端子元件(12)中的至少一个双向二端子元件(12)电连接于多个第一电极(11)的之一；多个第二电极(17)；和设置在多个像素电极(14)与多个第二电极(17)之间的显示介质层。多个像素电极(14)的各个与至少一个双向二端子元件(12)的配置关系为随机的。
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公开(公告)号：CN1656617A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811609.X
申请日：2003-03-26
IPC: H01L29/786 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在逆参差型的MOSFET(1)中，用无定形的氧化铝形成相对于由氧化锌构成的作为上述半导体层的沟道层(5)的栅绝缘层(4)。通过形成如此的结构，在沟道层(5)和栅绝缘层(4)的界面的缺陷能级被降低，能够得到与用结晶性叠层膜制作全部叠层膜的半导体装置同等水平的性能。另外，如此的方法，也能够用于顺参差型的MOSFET等，通用性也高。
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公开(公告)号：CN1568494A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02820135.3
申请日：2002-12-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/17 , G02F1/167 , G02F1/1365 , H01L29/87
CPC classification number: H01L27/3244 , G02F1/1362 , G02F1/1365 , G02F1/167
Abstract: 提供一种用比以前还简单的方法制造得到的有源矩阵型显示装置。显示装置(100)具有：多个第一电极(11)；多个双向二端子元件(12)；多个像素电极(14)，分别经多个双向二端子元件(12)中的至少一个双向二端子元件(12)电连接于多个第一电极(11)的之一；多个第二电极(17)；和设置在多个像素电极(14)与多个第二电极(17)之间的显示介质层。多个像素电极(14)的各个与至少一个双向二端子元件(12)的配置关系为随机的。
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公开(公告)号：CN113196569A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082286.3
申请日：2019-12-02
IPC: H01Q3/34 , H01Q3/44 , H01Q13/22 , G02F1/13 , G02F1/1339 , H01L29/786
Abstract: 一种扫描天线，具有包含多个天线单位(U)的发送接收区域(R1)、以及发送接收区域外的非发送接收区域(R2)。扫描天线具有：TFT基板(101)；缝隙基板(201)；液晶层(LC)；密封部(73a)，其包围液晶层；壁状结构体(追加密封部)(76A)，其配置在非发送接收区域中的由密封部包围的区域内；反射导电板；第1间隔物结构体，其规定发送接收区域中的第1电介质基板(1)与第2电介质基板(51)的第1间隙；以及第2间隔物结构体，其配置在壁状结构体内，规定比第1间隙宽的第2间隙。壁状结构体具有与第1电介质基板的表面相交的第1主侧面(79a)和第2主侧面(79b)，在从第1电介质基板的法线方向观看时，第1主侧面和第2主侧面中的至少一方具有多个凹部和/或多个凸部。
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公开(公告)号：CN109557659B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811110576.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明提供一种两基板间的密合性优异的电润湿装置及电润湿装置的制造方法。电润湿装置(100)包含：有源基板(14)，其具备：第一基板(1)、第一电极层(2)、电介质层(3)及第一防水层(4)；及共用电极基板(15)，其具备：第二基板(8)、第二电极层(7)及第二防水层(6)，所述有源基板与所述共用电极基板经由配置于密封区域的密封材料(5)具有间隙地粘合，其中，所述电介质层及所述第二电极层中的至少一方在其层上，除形成有所述防水层的防水层形成区域以外还具有防水层非形成区域(11、12)，所述密封区域形成为俯视观察时至少一部分与所述防水层非形成区域重叠，且所述间隙为10～500μm的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109557659A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811110576.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明提供一种两基板间的密合性优异的电润湿装置及电润湿装置的制造方法。电润湿装置(100)包含：有源基板(14)，其具备：第一基板(1)、第一电极层(2)、电介质层(3)及第一防水层(4)；及共用电极基板(15)，其具备：第二基板(8)、第二电极层(7)及第二防水层(6)，所述有源基板与所述共用电极基板经由配置于密封区域的密封材料(5)具有间隙地粘合，其中，所述电介质层及所述第二电极层中的至少一方在其层上，除形成有所述防水层的防水层形成区域以外还具有防水层非形成区域(11、12)，所述密封区域形成为俯视观察时至少一部分与所述防水层非形成区域重叠，且所述间隙为10～500μm的范围。
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公开(公告)号：CN109308880A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810667262.1
申请日：2018-06-25
Applicant: 夏普生命科学(欧洲)有限公司 , 夏普株式会社
Inventor： 本杰明·詹姆斯·哈德文 , 西内亚德·马丽·马修 , 莱斯利·安·帕里-琼斯 , 阿达姆·弗朗西斯·鲁滨逊 , 小坂知裕 , 原猛 , 寺西知子
Abstract: EWOD器件包括限定间隙且均包括面对间隙的绝缘表面的相对的基板。阵列元件包括施加有致动电压的电极元件。预充电结构限定与间隙流体连通的通道，其中，通道接收用于生成液滴的流体储液团的输入，并且预充电结构包括电暴露于通道的电元件。电元件对通道内的流体储液团预充电，并且间隙的含有与通道间隔开的液滴的部分与电元件电隔离，使得液滴在位于间隙的所述部分内时处于浮置电位。电元件可以是暴露于通道的电极部分或插入到通道中的外部连接的预充电元件。
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公开(公告)号：CN108885379A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019541.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/17
CPC classification number: G02F1/17
Abstract: 本发明提供良好地维持两基板间的紧贴特性、并且能够以令人满意的程度高精度地形成密封材料的电润湿装置。在第一疏水层(12)以及第二疏水层(5)形成有开口图案(12a/12b/5a/5b)，有源基板(7)与共用电极基板(2)经由形成于开口图案(12a/12b/5a/5b)的密封材料(14)而具有间隙地贴合。
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公开(公告)号：CN103299429B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180063129.1
申请日：2011-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1341 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1296 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 有源矩阵基板(20a)包括：设置在绝缘基板(10a)上的栅极电极(25)；和设置在栅极电极(25)上，由烧制而成的SOG材料形成的平坦化膜(26)。栅极电极(25)包括以下各导电膜的层叠膜：设置在所述绝缘基板(10a)上，由铜以外的金属形成的第一导电膜(27)；设置在第一导电膜(27)上，由铜形成的第二导电膜(28)；和设置在第二导电膜(28)上，由铜以外的金属形成的第三导电膜(29)。
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公开(公告)号：CN102652330B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080056072.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248
Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。
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