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公开(公告)号：CN112753279B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201880097996.9
申请日：2018-09-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 太田纯史
Abstract: 本发明的显示装置具有：基底基板；发光元件，其构成显示区域，显示区域隔着TFT层设置在基底基板上；密封膜，以覆盖发光元件的方式设置，依次叠层有第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜；边框区域，包围显示区域；切口部，以将显示区域的一部分切口的方式设置于边框区域；切口周壁，沿着显示区域的边界设置在显示区域和切口部之间的边框区域；蒸镀膜，设置在切口周壁和第一无机绝缘膜之间；以及有机缓冲层，设置在切口周壁的表面，被第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜夹着，由此，在显示装置中，即使在显示区域内设置切口部，也能够确保密封膜的密封性能。
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公开(公告)号：CN105144274B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201480022852.9
申请日：2014-03-04
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/30 , G09G3/3241 , G09G3/3266 , G09G2300/0426 , G09G2310/0202 , G09G2310/0251 , G09G2310/0275 , G09G2320/0285 , G09G2320/045 , G09G2330/021 , G09G2330/027 , G09G2330/028 , G09G2330/12
Abstract: 数据线驱动电路(120)对像素电路(11)内的驱动晶体管(T1)的栅极‑源极间供给与检测用电压和基准电压(Vref)相应的电压，对通过驱动晶体管(T1)输出到像素电路(11)的外部的驱动电流进行检测。阈值电压修正存储器(142)按每个像素电路(11)存储表示驱动晶体管T1的阈值电压的数据。显示控制电路(100)基于阈值电压修正存储器(142)中存储的数据，控制基准电压(Vref)。由此，即使驱动晶体管的阈值电压变化，也能够以高精度检测驱动电流。阈值电压修正存储器(142)按每个像素电路(11)存储表示驱动晶体管(T1)的阈值电压与基准电压(Vref)之差的数据。
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公开(公告)号：CN1271453C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200310123468.1
申请日：2003-12-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G02F1/133305 , H01L51/5246 , H01L51/5253
Abstract: 本发明涉及可以不受生产线上的制约，实现薄型轻量化的显示面板。液晶显示面板具有厚度分别在0.15mm以上0.3mm以下的一对玻璃基板(1、2)与使一对玻璃基板(1、2)贴合起来的密封材料(4)。一对玻璃基板(1、2)的端面(100、200)至少一部分具有树脂层(5)。
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公开(公告)号：CN1512216A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310123468.1
申请日：2003-12-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G02F1/133305 , H01L51/5246 , H01L51/5253
Abstract: 本发明涉及可以不受生产线上的制约，实现薄型轻量化的显示面板。液晶显示面板具有厚度分别在0.15mm以上0.3mm以下的一对玻璃基板(1、2)与使一对玻璃基板(1、2)贴合起来的密封材料(4)。一对玻璃基板(1、2)的端面(100、200)至少一部分具有树脂层(5)。
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公开(公告)号：CN112753279A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201880097996.9
申请日：2018-09-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 太田纯史
Abstract: 本发明的显示装置具有：基底基板；发光元件，其构成显示区域，显示区域隔着TFT层设置在基底基板上；密封膜，以覆盖发光元件的方式设置，依次叠层有第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜；边框区域，包围显示区域；切口部，以将显示区域的一部分切口的方式设置于边框区域；切口周壁，沿着显示区域的边界设置在显示区域和切口部之间的边框区域；蒸镀膜，设置在切口周壁和第一无机绝缘膜之间；以及有机缓冲层，设置在切口周壁的表面，被第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜夹着，由此，在显示装置中，即使在显示区域内设置切口部，也能够确保密封膜的密封性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104919517B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380070623.X
申请日：2013-12-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/14 , G09G3/2011 , G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , G09G3/3283 , G09G2300/08 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0271 , G09G2320/045 , G09G2320/046 , G09G2320/0633 , G09G2340/02 , H01L51/50
Abstract: 本发明的目的在于能够使显示装置中保存补偿用数据(为了补偿驱动晶体管的特性的偏差等而使用的数据)所需要的存储器容量比以往减少。在驱动晶体管使用了氧化物TFT的有机EL显示装置中设置有：从作为驱动晶体管的驱动电流的数据的像素电流数据(I)中提取低频成分数据(IL)的低通滤波器(421)；用于通过求出像素电流数据(I)与低频成分数据(IL)的差值来得到高频成分数据(IH)的第一运算部(422)；以规定的采样间隔从低频成分数据(IL)提取数据的下采样部(426)；和仅提取高频成分数据(IH)中的高振幅数据的高频信号压缩处理部(427)。
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公开(公告)号：CN103201828B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201180053396.0
申请日：2011-10-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67115 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L29/7869
Abstract: 在氧化退火处理装置(1)的密闭容器状的装置主体(3)的内部配置有远红外线面状加热器(6)，连接对装置主体(3)内供给包含水蒸气和氧气的氧补充气体的氧补充气体供给管(8)和将装置主体(3)内的气体排出的排气管(11)，使氧补充气体供给管(8)与对基板(50)的氧缺陷部位喷射包含水蒸气和氧气的氧补充气体的喷嘴喷射口(16)连通。由此，即使是大型基板也能够在防止产生漏泄电流的同时以高吞吐量和低成本进行氧化退火处理。
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公开(公告)号：CN105144274A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022852.9
申请日：2014-03-04
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/30 , G09G3/3241 , G09G3/3266 , G09G2300/0426 , G09G2310/0202 , G09G2310/0251 , G09G2310/0275 , G09G2320/0285 , G09G2320/045 , G09G2330/021 , G09G2330/027 , G09G2330/028 , G09G2330/12
Abstract: 数据线驱动电路(120)对像素电路(11)内的驱动晶体管(T1)的栅极-源极间供给与检测用电压和基准电压(Vref)相应的电压，对通过驱动晶体管(T1)输出到像素电路(11)的外部的驱动电流进行检测。阈值电压修正存储器(142)按每个像素电路(11)存储表示驱动晶体管T1的阈值电压的数据。显示控制电路(100)基于阈值电压修正存储器(142)中存储的数据，控制基准电压(Vref)。由此，即使驱动晶体管的阈值电压变化，也能够以高精度检测驱动电流。阈值电压修正存储器(142)按每个像素电路(11)存储表示驱动晶体管(T1)的阈值电压与基准电压(Vref)之差的数据。
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公开(公告)号：CN102473727B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080029375.0
申请日：2010-03-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/22 , G02F1/1368 , G02F2202/10 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。
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公开(公告)号：CN102906804B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201180024993.0
申请日：2011-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/127 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1262
Abstract: 各TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。
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