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公开(公告)号：CN101238759A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029260.5
申请日：2006-10-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H05K3/323 , G02F1/13452 , H01L24/16 , H01L24/83 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83192 , H01L2224/83851 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H05K3/3452 , H05K3/386 , H05K3/388 , H05K2201/0179 , H05K2201/0989 , H05K2201/10674 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2224/05599
Abstract: 包括具有树脂衬底、层叠在树脂衬底表面上的阻挡膜、形成在阻挡膜上的电路部、以及设置在树脂衬底中层叠了阻挡膜一侧的第一电极的第一电路部件，和与第一电路部件相对设置、具有与第一电极相对的第二电极的第二电路部件；第一电路部件的第一电极、和第二电路部件的第二电极，是在使它们相互接近的方向上施加了压力的状态下电连接的；阻挡膜，在第一电极的周围从树脂衬底表面除去。
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公开(公告)号：CN1522939A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410004635.5
申请日：2004-02-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/67383 , B65D25/107
Abstract: 本发明的挠性基板收存器具是，将至少一对的构成收存本体外形的相对向的对向构件保持一定间隔地进行设置，以便通过夹持具有挠性的多枚基板，使该多枚基板弯曲地进行收存。由此，可以提供可简易且确实地收存并保持塑料基板等具有挠性的基板的挠性基板收存器具及挠性基板收存方法。
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公开(公告)号：CN102652330A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201080056072.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248
Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。
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公开(公告)号：CN1266007C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200410004635.5
申请日：2004-02-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/67383 , B65D25/107
Abstract: 本发明的挠性基板收存器具是，将至少一对的构成收存本体外形的相对向的对向构件保持一定间隔地进行设置，以便通过夹持具有挠性的多枚基板，使该多枚基板弯曲地进行收存。由此，可以提供可简易且确实地收存并保持塑料基板等具有挠性的基板的挠性基板收存器具及挠性基板收存方法。
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公开(公告)号：CN102473727B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080029375.0
申请日：2010-03-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/22 , G02F1/1368 , G02F2202/10 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103299429A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180063129.1
申请日：2011-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1341 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1296 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 有源矩阵基板(20a)包括：设置在绝缘基板(10a)上的栅极电极(25)；和设置在栅极电极(25)上，由烧制而成的SOG材料形成的平坦化膜(26)。栅极电极(25)包括以下各导电膜的层叠膜：设置在所述绝缘基板(10a)上，由铜以外的金属形成的第一导电膜(27)；设置在第一导电膜(27)上，由铜形成的第二导电膜(28)；和设置在第二导电膜(28)上，由铜以外的金属形成的第三导电膜(29)。
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公开(公告)号：CN100594759C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200680029260.5
申请日：2006-10-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H05K3/323 , G02F1/13452 , H01L24/16 , H01L24/83 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83192 , H01L2224/83851 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H05K3/3452 , H05K3/386 , H05K3/388 , H05K2201/0179 , H05K2201/0989 , H05K2201/10674 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2224/05599
Abstract: 包括具有树脂衬底、层叠在树脂衬底表面上的阻挡膜、形成在阻挡膜上的电路部、以及设置在树脂衬底中层叠了阻挡膜一侧的第一电极的第一电路部件，和与第一电路部件相对设置、具有与第一电极相对的第二电极的第二电路部件；第一电路部件的第一电极、和第二电路部件的第二电极，是在使它们相互接近的方向上施加了压力的状态下电连接的；阻挡膜，在第一电极的周围从树脂衬底表面除去。
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公开(公告)号：CN103299429B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180063129.1
申请日：2011-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1341 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1296 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 有源矩阵基板(20a)包括：设置在绝缘基板(10a)上的栅极电极(25)；和设置在栅极电极(25)上，由烧制而成的SOG材料形成的平坦化膜(26)。栅极电极(25)包括以下各导电膜的层叠膜：设置在所述绝缘基板(10a)上，由铜以外的金属形成的第一导电膜(27)；设置在第一导电膜(27)上，由铜形成的第二导电膜(28)；和设置在第二导电膜(28)上，由铜以外的金属形成的第三导电膜(29)。
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公开(公告)号：CN102652330B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080056072.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248
Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。
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公开(公告)号：CN102696112A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080058007.9
申请日：2010-08-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2201/501 , H01L27/1248 , H01L27/1288
Abstract: 呈矩阵状设置的多个像素电极（P）；和分别与各像素电极（P）连接的多个TFT（5），各TFT（5）具有：设置于绝缘基板的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12a）；以在栅极绝缘膜（12a）上与栅极电极（11a）重叠的方式设置的氧化物半导体层（13a）；和以互相对峙的方式设置、且分别与氧化物半导体层（13a）连接的源极电极（17a）和漏极电极（17b），在源极电极（17a）和漏极电极（17b）与氧化物半导体层（13a）之间，以覆盖氧化物半导体层（13a）的方式设置有保护绝缘膜（14a）。
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