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公开(公告)号:CN101081980A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200710106508.X
申请日:2007-06-01
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 原田昌道
CPC classification number: C09K11/7721 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L33/504 , H05B33/14
Abstract: 本发明公开了一种含有由每个覆盖有被膜的荧光体颗粒制成的荧光体的波长变换构件、以及具有结合在其内的荧光体和例如LED的半导体发光元件或半导体激光器的发光装置。一种波长变换构件(69),包括:由荧光体颗粒和被膜制成的荧光体,荧光体颗粒由氧氮化物和/或氮化物制成且具有折射率n1,被膜覆盖每一荧光体颗粒且具有折射率n2;和具有在其中分散的荧光体且具有折射率n3的介质(24),被膜的折射率n2是n3和n1之间的值,和提供一种波长变换构件(69)组合于其中的发光装置(60)。本发明优选地是,被膜由多层形成且具有在从每一荧光体颗粒的表面至与介质(24)的界面的方向上阶梯式变化的折射率。
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公开(公告)号:CN102386320B
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201110254113.0
申请日:2011-08-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/62 , H01L23/48 , H01L23/498 , G01R31/02
CPC classification number: H01L24/97 , H01L23/49827 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其检测方法和电子设备。根据本发明的半导体装置具有实现在绝缘衬底上的半导体元件,包括:衬底正面电极,形成在所述绝缘衬底的正面侧上并连接到所述半导体元件的元件电极;衬底背面电极,形成在所述绝缘衬底的背面侧上并电连接到所述衬底正面电极;和多个连接电极,在所述绝缘衬底的厚度方向上从所述绝缘衬底的正面侧和背面侧中的一侧延伸到另一侧,用于电连接所述衬底正面电极和所述衬底背面电极,其中所述衬底正面电极或衬底背面电极形成为具有针对所述多个连接电极中的每个连接电极而分离的平面图案。
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公开(公告)号:CN102738369A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210223577.X
申请日:2008-05-30
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人物质.材料研究机构
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光光谱形状与光的三原色的滤色器(216)良好匹配的第一荧光体的制造方法、包含该第一荧光体的发光装置(201a)及使用该发光装置的图像显示装置。发光装置(201a)包括发出激发光的半导体发光元件(102)和吸收激发光而发出绿光的第一荧光体,第一荧光体包含固溶体,该固溶体在具有β型Si3N4晶体结构的氮氧化物晶体中固溶铝元素和从Mn、Ce及Eu中选择的金属元素(M)而形成,所述晶体中的含氧量为0.8质量%以下。
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公开(公告)号:CN101081980B
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN200710106508.X
申请日:2007-06-01
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 原田昌道
CPC classification number: C09K11/7721 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L33/504 , H05B33/14
Abstract: 本发明公开了一种含有由每个覆盖有被膜的荧光体颗粒制成的荧光体的波长变换构件、以及具有结合在其内的荧光体和例如LED的半导体发光元件或半导体激光器的发光装置。一种波长变换构件(69),包括:由荧光体颗粒和被膜制成的荧光体,荧光体颗粒由氧氮化物和/或氮化物制成且具有折射率n1,被膜覆盖每一荧光体颗粒且具有折射率n2;和具有在其中分散的荧光体且具有折射率n3的介质(24),被膜的折射率n2是n3和n1之间的值,和提供一种波长变换构件(69)组合于其中的发光装置(60)。本发明优选地是,被膜由多层形成且具有在从每一荧光体颗粒的表面至与介质(24)的界面的方向上阶梯式变化的折射率。
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公开(公告)号:CN102386320A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110254113.0
申请日:2011-08-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/62 , H01L23/48 , H01L23/498 , G01R31/02
CPC classification number: H01L24/97 , H01L23/49827 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其检测方法和电子设备。根据本发明的半导体装置具有实现在绝缘衬底上的半导体元件,包括:衬底正面电极,形成在所述绝缘衬底的正面侧上并连接到所述半导体元件的元件电极;衬底背面电极,形成在所述绝缘衬底的背面侧上并电连接到所述衬底正面电极;和多个连接电极,在所述绝缘衬底的厚度方向上从所述绝缘衬底的正面侧和背面侧中的一侧延伸到另一侧,用于电连接所述衬底正面电极和所述衬底背面电极,其中所述衬底正面电极或衬底背面电极形成为具有针对所述多个连接电极中的每个连接电极而分离的平面图案。
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