公开(公告)号：CN102227006B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201010576708.3

申请日：2010-12-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 根岸哲 ,  森下敏 ,  柴田晃秀 ,  小宫健治 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065 ,  F21S8/00

Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法及半导体元件，提供能够增大发光面积并且发光效率高的棒状结构的半导体元件的制造方法。该半导体元件的制造方法，因为不仅在n型的半导体核心（7）的前端面（7A），也在侧面（7B）形成p型的半导体层（10），所以能够增大pn结的面积，能够增大发光面积，能够提高发光效率。此外，因为使用触媒金属（6）形成n型的半导体核心（7），所以能够加快n型的半导体核心（7）的生长速度。因此，能够增长半导体核心（7），能够进一步增大与n型的半导体核心（7）的长度成比例关系的发光面积。

公开(公告)号：CN102227006A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201010576708.3

申请日：2010-12-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 根岸哲 ,  森下敏 ,  柴田晃秀 ,  小宫健治 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065 ,  F21S8/00

Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法及半导体元件，提供能够增大发光面积并且发光效率高的棒状结构的半导体元件的制造方法。该半导体元件的制造方法，因为不仅在n型的半导体核心（7）的前端面（7A），也在侧面（7B）形成p型的半导体层（10），所以能够增大pn结的面积，能够增大发光面积，能够提高发光效率。此外，因为使用触媒金属（6）形成n型的半导体核心（7），所以能够加快n型的半导体核心（7）的生长速度。因此，能够增长半导体核心（7），能够进一步增大与n型的半导体核心（7）的长度成比例关系的发光面积。

公开(公告)号：CN102042540A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010511004.8

申请日：2010-10-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 柴田晃秀 ,  根岸哲 ,  森下敏 ,  小宫健治 ,  岩田浩 ,  高桥明 ,  矢追善史

IPC: F21S8/00 ,  F21V19/00 ,  F21V23/06 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H05B33/0806 ,  H05B33/0803 ,  H05B33/0821

Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据该发光装置，在棒状发光元件(505)的N型第二区域(507)的两侧配置有P型第一区域(506)和P型第三区域(508)。因而，即使棒状发光元件(505)的第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接互换，相对于第一、第三电极(501、503)的二极管极性也不互换，所以可正常发光。因此，在制造工序中，第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接也可以相反，不需要用于识别棒状发光元件(505)的方向性的标记或形状，能够简化制造工序，进而能够抑制制造成本。

公开(公告)号：CN104704616B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201380052563.9

申请日：2013-10-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木贵光 ,  安藤隆彦 ,  森下敏

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H03K17/687 ,  H01L21/823475 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 场效应晶体管包括形成在源极电极(38)上并且与源极电极(38)电连接的源极电极焊盘(16)和形成在漏极电极(37)上并且与漏极电极(37)电连接的漏极电极焊盘(15)中的至少一方，源极电极焊盘(16)具有使其与漏极电极(37)之间的寄生电容减少的缺口(504、505)，漏极电极焊盘(15、65、115)具有使其与源极电极(38、88、138)之间的寄生电容减少的缺口(501、502)。

公开(公告)号：CN106415794A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580025673.5

申请日：2015-04-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森下敏 ,  安井忠 ,  木下多贺雄 ,  佐藤知稔

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/78 ,  B24B27/06 ,  B24B37/105 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/14 ,  H01L23/544 ,  H01L29/2003 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体晶片(1)包括：衬底(23)；层叠在衬底体膜(24)上的多个元件区域；层叠在GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25)；和以划分上述元件区域的方式不贯通上述电介质膜地设置成格子状的具有切割槽(27)的切割区域(21)。而且，在切割槽(27)的底面(27a)，切割槽(27)的元件区域侧的端部高于或低于切割槽(27)的宽度方向(W)的中央部。(23)上的GaN类半导体膜(24)；设置在GaN类半导

公开(公告)号：CN102097446B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010521005.0

申请日：2010-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小宫健治 ,  根岸哲 ,  柴田晃秀 ,  森下敏 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种不需要用于减轻亮度不均的零部件、能够以低成本获得均匀的亮度的发光装置。在该发光装置中具有1558万个发光二极管(2)，它们在基板(1)上40cm2的区域内以每单位面积的个数大致均匀的方式连接在第1电极(3)和第2电极(5)之间，配置密度达到38万9500(个/cm2)。由此，能够将亮度不均降低到约±0.08％。

公开(公告)号：CN102097446A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010521005.0

申请日：2010-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小宫健治 ,  根岸哲 ,  柴田晃秀 ,  森下敏 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种不需要用于减轻亮度不均的零部件、能够以低成本获得均匀的亮度的发光装置。在该发光装置中具有1558万个发光二极管(2)，它们在基板(1)上40cm2的区域内以每单位面积的个数大致均匀的方式连接在第1电极(3)和第2电极(5)之间，配置密度达到38万9500(个/cm2)。由此，能够将亮度不均降低到约±0.08％。

公开(公告)号：CN102074631A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010516174.5

申请日：2010-10-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 根岸哲 ,  柴田晃秀 ,  森下敏 ,  小宫健治 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置。为了容易连接电极，实现高发光效率，棒状结构发光元件具备：棒状的第1导电型的半导体核心；以及以覆盖上述半导体核心的方式形成的第2导电型的半导体层。上述半导体核心的一部分的外周面露出。