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公开(公告)号：CN1508915A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN03153544.5
申请日：2003-08-15
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/3201 , H01S5/3432 , H01S2301/176
Abstract: 提供一种表面发射型半导体激光器及其制造方法，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。
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公开(公告)号：CN106505410B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201610791440.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该垂直腔面发射激光器阵列包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。
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公开(公告)号：CN105914581B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510648476.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785777A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710432803.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: G03G15/04072 , H01S5/005 , H01S5/026 , H01S5/125 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S5/50 , H01S2301/18 , H01S5/4025
Abstract: 发光元件阵列、光器件和图像形成设备。一种发光元件阵列，包括：多个半导体堆叠结构，各半导体堆叠结构包括发光单元，该发光单元形成在基板上，以及光放大单元，该光放大单元沿着基板的基板表面从发光单元延伸，使得沿延伸方向的长度长于发光单元的长度，将从发光单元沿延伸方向传播的光放大，并且从沿着延伸方向形成的发光部发出经放大的光，其中，多个半导体堆叠结构被排列成使得各个光放大单元的延伸方向基本彼此平行。
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公开(公告)号：CN107728265A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710550326.5
申请日：2017-07-07
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: G02B6/42
CPC classification number: H01L33/60 , H01L27/15 , H01L27/156 , H01L33/405 , H01L33/62 , G02B6/4287 , G02B6/4295 , G02B6/4296
Abstract: 本发明涉及一种光发射元件、光发射元件阵列和光传导装置，该光发射元件包括半导体堆叠结构，半导体堆叠结构包括：光发射部分；以及光接收部分，其接收从光发射部分通过半导体层沿横向传播的光，其中，光发射部分和光接收部分共享量子层。该光发射元件还包括光反射层，光反射层覆盖光接收部分中的量子层的侧表面的1/3以上。
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公开(公告)号：CN105914581A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201510648476.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: G02B26/10 , G02B19/0052 , H01S5/02212 , H01S5/02284 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/2009 , H01S5/343 , H04B10/503
Abstract: 本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。
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公开(公告)号：CN101154792A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710107736.9
申请日：2007-04-28
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01S5/02276 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/4075 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供表面发射型半导体阵列装置。该表面发射型半导体阵列装置包括：基板；多个发光部；电极焊盘部，其形成在所述基板上并通过一分隔沟而与所述多个发光部隔开，并且具有形成在一绝缘膜上的多个电极焊盘；以及多个金属配线，用于经过所述分隔沟将所述多个发光部中的相应发光部连接到对应的电极焊盘，其中，所述分隔沟在所述基板上形成有波浪形的侧壁。
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公开(公告)号：CN1747263A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510095824.2
申请日：2003-08-15
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/3201 , H01S5/3432 , H01S2301/176
Abstract: 提供一种表面发射型半导体激光器，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。
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