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公开(公告)号：CN108696106A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810160732.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 荒木龙
IPC: H02M1/088
CPC classification number: H02M1/08 , H02M1/088 , H02M7/521 , H02M7/538 , H02M2001/0051 , H03K17/16 , H03K17/161 , H03K17/165
Abstract: 本发明提供兼顾了开关元件的低损耗化和对于在开关时VB‑VS间电压瞬间地下降的现象的对策的开关元件驱动装置。栅极驱动能力确定部(15)的驱动能力改变电路(26)在从上臂驱动电路(16)接收到将MOS晶体管(11)接通的栅极驱动信号时，以高的驱动能力驱动MOS晶体管(11)，降低开关损耗。由此流通的MOS晶体管的输出电流由输出电流检测电路(21)检测，并由比较器(24)与样本保持电路(23)所保持的前次开关时的MOS晶体管的输出电流进行比较。在本次所检测的输出电流达到了前次的输出电流时，驱动能力改变电路(26)以低的驱动能力驱动MOS晶体管，抑制下臂的续流二极管(14)的反向恢复电流的变化。
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公开(公告)号：CN107318272A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201680008296.9
申请日：2016-06-21
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 荒木龙
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387
Abstract: 提供一种能够降低开关损耗的半导体装置。半导体装置具有串联连接的第一半导体元件(Su)～(Sw)和第二半导体元件(Sx)～(Sz)，第一半导体元件是由具有比第二半导体元件的开关损耗小的开关损耗的低开关损耗半导体元件构成的，第二半导体元件是由具有比第一半导体元件的导通损耗小的导通损耗的低导通损耗半导体元件构成的。
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公开(公告)号：CN113474886B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080016044.7
申请日：2020-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/60 , H01L23/544
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。
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公开(公告)号：CN113676022A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110325031.4
申请日：2021-03-26
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 荒木龙
Abstract: 本发明提供改善了开关元件的关断时间的电流依赖特性的驱动电路内置型功率模块。高侧驱动电路(20)具备检测开关元件(30)的电流的电流检测电路(25)、以及能够使对于驱动开关元件(30)的输入信号延迟的延迟时间可变的可变延迟电路(22)。如果电流检测电路(25)检测出开关元件(30)的电流超过了预定的电流值这一情况，则可变延迟电路(22)将延迟时间调整得短。由此，由于被进行接通控制的开关元件(30)关断时的关断时间缩短，所以开关元件(30)的关断时在低电流域中增加的延迟时间被缩短了的延迟时间抵消。在低侧驱动电路(40)中也通过电流检测电路(44)和可变延迟电路(41)来实现相同的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113544846A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080018066.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/07 , H03K17/687
Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。
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公开(公告)号：CN113474886A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016044.7
申请日：2020-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/60 , H01L23/544
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。
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公开(公告)号：CN108696106B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201810160732.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 荒木龙
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明提供兼顾了开关元件的低损耗化和对于在开关时VB‑VS间电压瞬间地下降的现象的对策的开关元件驱动装置。栅极驱动能力确定部(15)的驱动能力改变电路(26)在从上臂驱动电路(16)接收到将MOS晶体管(11)接通的栅极驱动信号时，以高的驱动能力驱动MOS晶体管(11)，降低开关损耗。由此流通的MOS晶体管的输出电流由输出电流检测电路(21)检测，并由比较器(24)与样本保持电路(23)所保持的前次开关时的MOS晶体管的输出电流进行比较。在本次所检测的输出电流达到了前次的输出电流时，驱动能力改变电路(26)以低的驱动能力驱动MOS晶体管，抑制下臂的续流二极管(14)的反向恢复电流的变化。
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公开(公告)号：CN109729751B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201880003019.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法具备：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在开关动作过程中测定流过负载电缆的共模电流的阶段；以及基于共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
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公开(公告)号：CN109729751A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201880003019.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G01R29/0814 , G01R29/00 , G01R29/08 , G01R29/0871 , G01R29/26 , H02M1/00 , H02M7/217 , H02M7/537
Abstract: 本发明提供一种评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法具备：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在开关动作过程中测定流过负载电缆的共模电流的阶段；以及基于共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
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