公开(公告)号：CN108369897B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201680072766.8

申请日：2016-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02

Abstract: 用于沉积金属膜的方法，包括：在基板上形成非晶硅层以作为成核层和/或胶黏层。一些实施例进一步包括并入胶黏层，以增加非晶硅层与金属层黏着到该基板的能力。

公开(公告)号：CN108028172B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201680054413.5

申请日：2016-09-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·陈 ,  陈一宏 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28

Abstract: 公开了用于通过原子层沉积选择性地沉积膜的方法。基板表面通过硅氢加成来钝化以防止沉积，并允许在未钝化的表面上选择性沉积。

公开(公告)号：CN111699549A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980012399.6

申请日：2019-01-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  江施施 ,  巫勇 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的各方面包括处理基板的方法。所述方法包括将共形层沉积在包含接缝的基板上。在存在氧化剂时使用高压退火来处理所述基板。

公开(公告)号：CN108140562A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060335.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  K·陈 ,  K·杰纳基拉曼 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4584

Abstract: 用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环暴露至前体与除气环境，以移除从膜释出的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加间隙填充均匀度。

公开(公告)号：CN112041969B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN201880092720.1

申请日：2018-12-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  巫勇 ,  秦嘉政 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  凯尔文·陈

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的方法。一些实施方式包含形成包含硅或硼中的一或多种的非晶成核层，和在所述成核层上形成金属层。

公开(公告)号：CN110945642B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201880037482.4

申请日：2018-06-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巫勇 ,  陈一宏 ,  江施施 ,  段子青 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了用于以无缝钨填充物来填充基板特征的方法。所述方法包括沉积钨膜、将钨膜氧化成氧化钨柱、将氧化钨膜还原成无缝钨间隙填充物，且可选地在钨间隙填充物上沉积额外的钨。

公开(公告)号：CN108807264B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810410364.5

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏 ,  段子青 ,  程睿 ,  江施施

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。

公开(公告)号：CN110709967B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880036516.8

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  Y·杨 ,  陈一宏 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN107112278B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201580068587.2

申请日：2015-11-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·帕德希 ,  陈一宏 ,  K·陈 ,  A·B·玛里克 ,  A·T·迪莫斯 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C16/30 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

Abstract: 在此所述的实施例一般涉及含硅与铝层的形成。在此所述的包法可包括：将基板定位在工艺腔室的处理区域中；输送工艺气体到该处理区域，该工艺气体包含含铝气体与含硅气体；活化反应物气体，该反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；输送该反应物气体到该工艺气体以产生沉积气体，该沉积气体将含硅与铝层沉积在该基板上；及净化该处理区域。可执行上述步骤一或更多次以沉积蚀刻终止层。

公开(公告)号：CN111492467A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880081231.6

申请日：2018-12-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  巫勇 ,  S·冈迪科塔 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 兹描述选择性地沉积钌的方法。优选的沉积表面根据处理期间的基板温度而改变。在高温下，钌沉积在导电材料的第一表面上更甚于绝缘材料的第二表面。在低温下，钌沉积在绝缘表面上更甚于导电表面。