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公开(公告)号：CN102792771B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180012755.8
申请日：2011-01-06
Applicant: 新日铁住金株式会社
CPC classification number: B21D7/162 , B21D7/165 , C21D1/42 , C21D9/08 , C21D9/085 , C21D11/00 , H05B6/104 , H05B6/36 , H05B6/44 , Y02P10/253
Abstract: 本发明提供感应加热线圈，其能够在以非旋转的方式向钢管的轴向输送的该钢管的周向上均匀且在该钢管的轴向上的狭窄范围内稳定地加热该钢管。在作为被加热体的长尺寸的金属材料（1）的周向上围绕该金属材料（1）的外周的结构的感应加热线圈（10）具有第一匝感应加热线圈的线圈主体（11）和第二匝感应加热线圈的线圈主体（12）这样的两个以上的单匝线圈，将在将上述线圈向轴向投影的情况下实质上的线圈匝数小于线圈整体的匝数时的内周长度设为Ln（非有效线圈长度），将投影的线圈主体的内周长度设为L0（内周线圈长度），Ln／L0为0.05以下，线圈主体（11）和线圈主体（12）在连接部具有绝缘部（11b）和绝缘部（12b），绝缘部彼此位于按线圈主体的中心角偏离5度～45度的位置。
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公开(公告)号：CN104662213A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380046179.8
申请日：2013-09-02
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/00 , C30B19/068 , C30B29/36 , C30B19/06 , C30B19/064
Abstract: SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括：晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。
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公开(公告)号：CN104620676A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047275.4
申请日：2013-09-11
Applicant: 新日铁住金株式会社
CPC classification number: B21D7/162 , B21D7/165 , C21D1/42 , C21D9/00 , C21D9/0075 , C21D9/08 , F27D11/06 , F27D11/12 , H05B6/101 , H05B6/104 , H05B6/36 , H05B6/365 , Y02P10/253
Abstract: 本发明提供一种使用电磁波的渗透深度比被加工件的板厚大的频率并能够对具有向外凸缘的被加工件的整周进行淬火的高频感应加热装置。高频感应加热装置(10)具有高频感应加热线圈(11)，该高频感应加热线圈(11)在将具有封闭的横截面并且具有向外凸缘(12a)的纵长且空心的钢制的被加工件(12)作为原材料来制造弯曲构件的3DQ中用于加热被加工件(12)。高频感应加热线圈(11)具有：磁芯(13)，其以与向外凸缘12a的两个表面(12a－1)、(12a－2)分离开并且隔着该两个表面相对的方式配置；以及感应加热线圈(14)，其配置为与磁芯(13)相连接并且包围被加工件(12)的外周中的除向外凸缘(12a)以外的一般部(13b)。
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公开(公告)号：CN103282558A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062911.1
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/32 , C30B19/06 , C30B29/36 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。
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公开(公告)号：CN103210127A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054125.7
申请日：2011-11-04
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/36 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106413934B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201580027091.0
申请日：2015-05-27
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: B21D7/16
Abstract: 本发明的弯曲部件的制造方法具有：把持工序，通过卡盘把持具有开口端的长条钢材的长度方向一端部；进给工序，将上述把持工序后的上述钢材以上述一端部为前头沿着上述长度方向进给；加热工序，对上述钢材的上述长度方向的一部分进行高频感应加热而形成加热部；弯曲工序，通过使上述卡盘沿三维方向移动而对上述加热部赋予弯曲力矩；以及冷却工序，朝上述弯曲工序后的上述加热部喷射冷却介质而进行冷却。在上述加热工序的开始时，使在上述一端部形成上述加热部时施加的加热量大于在沿着上述钢材的进给方向观察的情况下在与上述一端部的上游侧邻接的上游侧邻接部位形成上述加热部时施加的加热量，并且通过上述冷却介质冷却上述卡盘。
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公开(公告)号：CN104662213B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201380046179.8
申请日：2013-09-02
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/00 , C30B19/068 , C30B29/36
Abstract: SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括：晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。
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公开(公告)号：CN104471117A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035985.5
申请日：2013-07-10
CPC classification number: C30B15/32 , C30B9/06 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。
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公开(公告)号：CN103282559A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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公开(公告)号：CN102015157B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200980115168.4
申请日：2009-03-25
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: B22D11/115 , B22D11/128
CPC classification number: B22D11/122 , B22D11/115 , B22D11/1206
Abstract: 本发明涉及一种钢的连续铸造方法及使用该方法的电磁搅拌装置，在从铸片的轧制位置靠铸造方向上游侧设置电磁搅拌装置而对具有未凝固部的铸片进行轧制的连续铸造中，施加碰撞流形成模具的搅拌和单方向交替流形成模具的搅拌，因此能够沿铸片的宽度方向搅拌偏析成分增稠后的钢液并使其扩散，从而在长时间的铸造操作中能够制造中心偏析特征稳定的铸片。此外，由于使用同一电磁搅拌装置选择性地施加任一种搅拌流动模式，因此对设备成本的减少或维修性的改善有效，能够大范围地对应各种铸造条件。因此，在裂纹敏感性高的高强度钢或极厚制品用的钢种的铸造中，可作为能够在长时间内稳定确保优良的中心偏析特征的连续铸造方法而广泛应用的技术。
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