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公开(公告)号：CN1788673A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510128575.2
申请日：2005-11-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: A61B1/0653
Abstract: 本发明提供一种组合第1单元和第2单元而成的发光装置。其中，第1单元由以下部分构成：包含射出蓝色波长区域的激发光的激光元件的第1激发光源；对从该第1激发光源射出的第1激发光至少部分地进行吸收、波长变换，放出比所述第1激发光更长的波长的区域的光的、包含至少1种荧光物质的第1波长变换部件；断面的中心部的折射率比周边部的折射率高，传送从所述第1激发光源射出的所述第1激发光的第1光导管。且第2单元由以下部分构成：第2激发光源；第2波长变换部件；第2光导管。根据该发光装置，通过组合射出高亮度的蓝色波长区的激发光的激光元件和另一激光元件，能够发挥优异的显色性。
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公开(公告)号：CN1764027A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510116450.8
申请日：2005-10-21
Applicant: 富士胶片株式会社 , 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/34333
Abstract: 本发明是具有折射率波导结构，将横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器的多个发光区域，能够聚光为高亮度，抑制水平光束辐射角度为小。本发明具有：例如，在p－GaN盖层(28)和p－Al0.1Ga0.9N金属包层(27)，形成宽度W2的脊形结构所形成的折射率波导结构。横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器中，将带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn设定为1.5×10－2以下。
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公开(公告)号：CN1525612A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410003721.4
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN1964094B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200610163962.4
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧的半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧的半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，其特征在于，所述p导电侧或n导电侧的半导体区域的至少一层氮化物半导体层，是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第一层与第二层积层而成的超晶格层。根据上述结构，可降低元器件的工作电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN101465400B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810109931.X
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101532614A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910132176.1
申请日：2005-11-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: F21S2/00 , H01S5/00 , H01S5/02 , A61B1/00 , F21Y101/02
CPC classification number: A61B1/0653
Abstract: 本发明提供一种组合第1单元和第2单元而成的发光装置。其中，第1单元由以下部分构成：包含射出蓝色波长区域的激发光的激光元件的第1激发光源；对从该第1激发光源射出的第1激发光至少部分地进行吸收、波长变换，放出比所述第1激发光更长的波长的区域的光的、包含至少1种荧光物质的第1波长变换部件；断面的中心部的折射率比周边部的折射率高，传送从所述第1激发光源射出的所述第1激发光的第1光导管。且第2单元由以下部分构成：第2激发光源；第2波长变换部件；第2光导管。根据该发光装置，通过组合射出高亮度的蓝色波长区的激发光的激光元件和另一激光元件，能够发挥优异的显色性。
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公开(公告)号：CN100485985C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610004486.1
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1832215A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004486.1
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1528037A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN02807309.6
申请日：2002-03-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0237 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/32 , H01S5/34333 , H01S2302/00
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件，其在第一导电型层与第二导电型层之间具有活性层12，其采用量子井结构，其中活性层12具有至少一层由含有In与Al的氮化物半导体形成的井层11及由含有Al的氮化物半导体形成的壁垒层2，通过此可得在短波长区发光效率优异的激光元件。特佳的是，该井层1由AlxInyGa1－x－yN(0＜x≤1＜0＜y≤1，x+y＜1)形成而该壁垒层2由AluInvGa1－u－vN(0＜u≤1，0≤v≤1，u+v＜1)形成。实施该发光元件以得在发光区中短波长光线为380nm的优异效率。
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公开(公告)号：CN1157804C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN00803557.1
申请日：2000-02-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/323
Abstract: 一种氮化半导体器件，包括：GaN基底，至少在所述GaN基底的表面有一个单晶GaN层，所述单晶GaN层通过侧向生长工艺形成；在所述GaN基底上形成的由氮化半导体制成的多个器件形成层；其中与所述侧向生长的单晶GaN层相接触的所述器件形成层的层由AlaGa1-aN(0＜a≤1)构成，并且其热胀系数小于GaN，因此压应力作用在与所述单晶GaN层相接触的所述层上。结果可防止器件形成层产生裂纹，从而可改善氮化半导体器件的工作寿命。
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