铜研磨用研磨液及使用了其的研磨方法

    公开(公告)号:CN102834479B

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201180017611.1

    申请日:2011-06-06

    Abstract: 本发明的铜研磨用研磨液含有第1有机酸成分、无机酸成分、氨基酸、保护膜形成剂、磨粒、氧化剂和水,所述第1有机酸成分是选自具有羟基的有机酸、该有机酸的盐及该有机酸的酸酐中的至少一种,所述无机酸成分是选自2价以上的无机酸及该无机酸的盐中的至少一种,以铜研磨用研磨液整体为基准计,无机酸成分以无机酸换算的含量为0.15质量%以上,氨基酸的含量为0.30质量%以上,保护膜形成剂的含量为0.10质量%以上,第1有机酸成分以有机酸换算的含量相对于保护膜形成剂的含量的比率为1.5以上。

    CMP用研磨液以及研磨方法
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102766409B

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201210226495.0

    申请日:2009-04-16

    Abstract: 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法,该CMP用研磨液包含介质、分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂,胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35~55nm;(2)与在(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0,通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1,用S0去除S1所得到的值为1.20以下;(3)在CMP用研磨液中,通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

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