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公开(公告)号：CN105590638A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510752153.6
申请日：2015-11-06
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种对应于高记录密度化的磁盘用玻璃基板及磁盘。所述磁盘用玻璃基板具有主表面，其特征在于，通过原子力显微镜在所述主表面上测定的算术平均粗糙度Ra为0.15nm以下，基于通过原子力显微镜测定的结果，对预定的区域在使角度方向以每次变化1°的方式从0°变化至180°的同时算出各角度方向上的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg，在将所述算出的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且将最小值设为角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情况下，(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.6以下，由此解决了上述课题。
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公开(公告)号：CN102246269B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200980150521.2
申请日：2009-12-11
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , Y10T428/24
Abstract: 本发明涉及一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。
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公开(公告)号：CN103934747A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410027681.0
申请日：2014-01-21
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: B24B37/08
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/005
Abstract: 本发明涉及玻璃基板的研磨方法及制造方法、以及研磨装置。提供能够获得平行度优异的玻璃基板的玻璃基板的研磨方法以及研磨装置。玻璃基板的研磨方法的特征在于，基于使与研磨装置的平板的研磨面抵接的多个玻璃基板的位置变化的马达的电力或者电流的检测值，对上述玻璃基板的研磨条件进行控制，以使得在上述研磨面中研磨速度差变小。研磨装置具备：平板，该平板具有研磨面；保持件，该保持件能够保持要利用上述研磨面进行研磨的多个玻璃基板；马达，该马达使上述研磨面与上述保持件之间的相对位置变化；以及控制部，该控制部基于上述马达的电力或者电流的检测值对上述玻璃基板的研磨条件进行控制，以使得在上述研磨面中研磨速度差变小。
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公开(公告)号：CN101946208B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980105684.9
申请日：2009-02-19
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: G21K1/062 , B82Y10/00 , C03C23/0025 , G03F1/24 , G03F1/60 , G03F1/72 , G21K2201/067
Abstract: 本发明提供一种使EUVL用光学部件的具有凹形缺陷的光学表面平滑的方法。本发明涉及一种使EUVL用光学部件的光学表面平滑的方法，其包括：用波长为250nm以下的准分子激光以0.5～2.0J/cm2的能量密度照射EUV光刻(EUVL)用光学部件的具有凹形缺陷的光学表面，所述光学部件由包含SiO2作为主要成分的含TiO2的石英玻璃材料制成。
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公开(公告)号：CN103456321A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310347225.X
申请日：2011-02-01
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C10M169/04 , C10M133/00 , C10M2203/1025 , C10M2215/064 , C10M2215/065 , C10M2215/28 , C10N2230/04 , C10N2230/10 , C10N2230/42 , C10N2230/45 , C10N2240/10 , C10N2240/103 , C10N2240/104 , C10N2240/121 , C10N2260/14
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质用玻璃基板及其制造方法，该磁记录介质用玻璃基板为在中心部具有圆孔的圆盘形状，其特征在于，所述磁记录介质用玻璃基板具有内周侧面、外周侧面及两主平面，磁记录介质用玻璃基板的所述两主平面的至少记录重放区域上的平行度为3.2μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157157A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110036046.5
申请日：2011-02-01
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C10M169/04 , C10M133/00 , C10M2203/1025 , C10M2215/064 , C10M2215/065 , C10M2215/28 , C10N2230/04 , C10N2230/10 , C10N2230/42 , C10N2230/45 , C10N2240/10 , C10N2240/103 , C10N2240/104 , C10N2240/121 , C10N2260/14
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质用玻璃基板及其制造方法，该磁记录介质用玻璃基板为在中心部具有圆孔的圆盘形状，其特征在于，所述磁记录介质用玻璃基板具有内周侧面、外周侧面及两主平面，磁记录介质用玻璃基板的所述两主平面的至少记录重放区域上的平行度为3.2μm以下。
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公开(公告)号：CN103456321B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310347225.X
申请日：2011-02-01
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C10M169/04 , C10M133/00 , C10M2203/1025 , C10M2215/064 , C10M2215/065 , C10M2215/28 , C10N2230/04 , C10N2230/10 , C10N2230/42 , C10N2230/45 , C10N2240/10 , C10N2240/103 , C10N2240/104 , C10N2240/121 , C10N2260/14
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质用玻璃基板及其制造方法，该磁记录介质用玻璃基板为在中心部具有圆孔的圆盘形状，其特征在于，所述磁记录介质用玻璃基板具有内周侧面、外周侧面及两主平面，磁记录介质用玻璃基板的所述两主平面的至少记录重放区域上的平行度为3.2μm以下。
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公开(公告)号：CN102157157B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110036046.5
申请日：2011-02-01
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C10M169/04 , C10M133/00 , C10M2203/1025 , C10M2215/064 , C10M2215/065 , C10M2215/28 , C10N2230/04 , C10N2230/10 , C10N2230/42 , C10N2230/45 , C10N2240/10 , C10N2240/103 , C10N2240/104 , C10N2240/121 , C10N2260/14
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质用玻璃基板及其制造方法，该磁记录介质用玻璃基板为在中心部具有圆孔的圆盘形状，其特征在于，所述磁记录介质用玻璃基板具有内周侧面、外周侧面及两主平面，磁记录介质用玻璃基板的所述两主平面的至少记录重放区域上的平行度为3.2μm以下。
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公开(公告)号：CN102246269A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150521.2
申请日：2009-12-11
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/16
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , Y10T428/24
Abstract: 本发明涉及一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。
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公开(公告)号：CN101679097A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880019204.2
申请日：2008-05-21
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C15/02 , C03C17/3665 , C03C23/0025 , C03C23/006 , C03C2204/08 , C03C2218/31 , Y10T428/24777
Abstract: 本发明是提供处理整个玻璃衬底表面以使得表面具有优异的平坦度和表面粗糙度的方法。本发明提供使用处理技术来处理玻璃衬底表面的方法，所述处理技术选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀，其中在对所述玻璃衬底表面进行处理之前，沿所述玻璃衬底的周围设置框架部件，所述框架部件满足下列(1)和(2)：(1)所述框架部件的高度和所述玻璃衬底表面的高度之差为1mm以下；以及(2)所述框架部件的宽度不小于在所述处理技术中使用的离子束直径或激光直径的一半。
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